【課題】ＡＤ法を用い、厚さが均一な膜を形成するのに適した成膜装置を提供する。
【解決手段】原料粉をガスによって分散させることにより、エアロゾルを生成するエアロゾル生成部と、複数の排気ポートが設けられた成膜チャンバと、該成膜チャンバ内に配置され、基板が固定される基板ステージと、成膜チャンバ内に配置され、エアロゾル生成部において生成された原料粉のエアロゾルを基板に向けて噴射するノズルとを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏを含むＮｉ基合金からなり、表面の平滑度が極めて小さく、その上に多結晶配向中間薄膜上に酸化物超電導薄膜を成膜した場合に、良好な超電導特性を持つ酸化物超電導導体を製造可能な酸化物超電導導体用金属基材の製造方法及び該金属基材を用いた酸化物超電導導体の製造方法の提供。
【解決手段】Ｍｏを含むＮｉ基合金からなる母材に、１１００℃以上の温度で少なくとも１回の焼鈍しと、少なくとも１回の圧延とを行い、最終圧延の後に電解研磨を行う酸化物超電導導体用金属基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２半導体を、今後様々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の
制御が必要となる。特に、キャリア濃度の低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制
御などは必要不可欠である。
【解決手段】β−ＦｅＳｉ_２の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法において、基板
温度を４００℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中に水素を
混入することによりβ−ＦｅＳｉ_２を水素化させ、水素化の度合いにより光学バンドギャ
ップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とするβ−Ｆ
ｅＳｉ_２半導体薄膜の製造方法 （もっと読む）

ガラス状基材に減圧下で適用される薄層のスタックによって形成される、層（Ｂ）と基材との間に配置された少なくとも１つの層（Ａ）の少なくとも一方の表面部分の処理方法は、少なくとも１つの薄層（Ａ）を前記基材の表面部分に減圧堆積プロセスによって堆積し、少なくとも１つのリニアイオン源を用いて、イオン化された種のプラズマをガス又はガス混合物から発生させ、該プラズマに前記層（Ａ）の少なくとも一方の表面部分をさらして、前記イオン化された種により該層（Ａ）の表面状態を少なくとも部分的に改質するようにし、少なくとも１つの層（Ｂ）を該層（Ａ）の表面部分に減圧堆積プロセスによって堆積することにある。 （もっと読む）

【課題】 基板及びその周辺に粒子線を照射することによって成膜を行う際に、基板上に照射される粒子線の強度を精度よく制御できる粒子線強度の制御方法を提供する。
【解決手段】 分子線エピタキシャル装置に適用される分子線強度の制御方法は、原子吸光式成膜モニタによって分子線に含まれる原子数を測定する原子数測定工程Ｓ６・Ｓ７と、原子数測定工程Ｓ６・Ｓ７において測定した原子数を基に、基板上に照射される領域における分子線強度を算出する分子線強度算出工程Ｓ１２と、分子線強度算出工程Ｓ１２において算出した分子線強度と、所望の分子線強度とに基づいて、設定温度を算出する照射強度算出工程Ｓ１３・Ｓ１４と、照射強度算出工程Ｓ１３・Ｓ１４によって算出した設定温度に基づいて、粒子線源の加熱温度を制御する照射強度制御工程Ｓ５とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 成膜時の温度上昇を抑制しつつ、多元系膜の組成制御を精度よく行えるようにする。
【解決手段】 チャンバ１内の真空引きを行いながら、ヒータ６にて蒸着源７を加熱し、半導体ウェハＷの成膜処理を蒸着にて行うとともに、スパッタガスＧ１および反応ガスＧ２をチャンバ１内にそれぞれ供給し、ターゲット２に高周波電圧を印加することにより、チャンバ１内にプラズマＰＺを発生させ、半導体ウェハＷの成膜処理を蒸着にて行いながら、半導体ウェハＷの成膜処理をスパッタにて行うことにより、半導体ウェハＷ上に多元系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 多層膜の成膜において、膜の密着性を高め、クラックの発生を抑制し、成膜後の波長シフトの小さい光学素子の製造を可能とする。
【解決手段】 多層膜の成膜方法であって、通常蒸着により圧縮応力を示す蒸着膜を形成するステップ、及びプラズマを用いた蒸着により引張応力を示す蒸着膜を形成するステップからなる多層膜の成膜方法において、圧縮応力を示す蒸着膜と引張応力を示す蒸着膜とを交互に積層するようにした。 （もっと読む）

【課題】 成膜時の温度上昇を抑制しつつ、多元系膜の組成制御を精度よく行えるようにする。
【解決手段】 ターゲット２、静電チャック４および坩堝５を移動させることにより、ターゲット２、半導体ウェハＷおよび蒸着源７の位置関係を調整した後、チャンバ１内の真空引きを行いながら、ヒータ６にて蒸着源７を加熱し、半導体ウェハＷの成膜処理を蒸着にて行うとともに、スパッタガスＧ１および反応ガスＧ２をチャンバ１内にそれぞれ供給し、ターゲット２に高周波電圧を印加することにより、チャンバ１内にプラズマＰＺを発生させ、半導体ウェハＷの成膜処理を蒸着にて行いながら、半導体ウェハＷの成膜処理をスパッタにて行うことにより、半導体ウェハＷ上に多元系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 リチウムの放電容量を向上させること。
【解決手段】 純度９９．９９９５％以上の不活性ガス雰囲気の超微粒子生成室内でリチウムまたはリチウム合金材料を加熱により加熱蒸発させてリチウムまたはリチウム合金の超微粒子を生成し、該超微粒子を前記不活性ガスに同伴させて搬送管により真空雰囲気の膜形成室内に搬送し、前記搬送管の先端に取り付けられ前記超微粒子の融点以下の温度に加熱されたノズルから前記膜形成室内に配置された基板に向けて前記超微粒子を前記不活性ガスの圧力で噴射すると共に前記ノズル又は前記基板の一方を任意の移動速度で移動させることにより前記基板上にリチウムまたはリチウム合金の薄膜を形成するようにし、前記不活性ガスを真空室内に導入する前に、真空排気系による前記膜形成室内の到達真空度を５×１０^-4Ｐａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】硬質皮膜の耐欠損性、潤滑性の特性を犠牲にすることが無く、特に優れた靭性を有する硬質皮膜を提供する。
【解決手段】硬質皮膜は、４ａ、５ａ、６ａ族、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉから選択される１種以上の金属元素と、Ｓを含みＣ、Ｎ、Ｏから選択される１種以上の非金属元素によって構成され、該硬質皮膜は柱状組織構造を有し、該柱状組織構造の結晶粒はＳ成分に組成差を有する多層構造を有し、少なくとも該多層構造における層間の境界領域で結晶格子縞が連続している領域があり、各層の厚みＴ（ｎｍ）が０．１≦Ｔ≦１００、（２００）面の格子定数が０．４１００ｎｍ以上、０．４３００ｎｍ以下であることを特徴とする硬質皮膜である。 （もっと読む）