【課題】多元系合金からなる接点材料の絶縁破壊電圧特性の組成依存性を短時間で測定する。
【解決手段】接点材料に用いられるＣｕ、Ｃｒ、Ａｇなどの複数の金属系物質を加熱して蒸気化し、それを基板５に蒸着させ、成分が順次変化した薄膜６を形成し、この薄膜６を平板電極として接地し、薄膜６と所定のギャップを持って針電極１１を対向配置し、薄膜６を針電極１１の軸方向と直交する方向に所定間隔で移動させながら、針電極１１と薄膜６間の絶縁破壊電圧を測定する。変化した成分量と絶縁破壊電圧の関係を求める評価方法である。 （もっと読む）

【課題】 樹脂薄膜を用い電子材料などを形成する際に厚みむらや欠陥があると薄膜化の効果が半減、性能不良に繋がる。薄膜の実用化には、膜質と生産性の両立が求められるが、従来の樹脂材料塗布方法は、重力による自然流動方式のため塗布したい加熱板面の範囲に対して流動させる時間を要し、また、流動する間に厚みむらや欠陥を生じ易いなど課題がある。
【解決手段】 樹脂材料の塗布方法としてニードルバルブによる吐出方法を採用することで、加熱板面上に均一な樹脂量が吐出可能となる。また。付着させる幅に応じ樹脂材料の供給点を複数個所設けることで、効率良く均一な吐出が可能となる。また、吐出粒径および吐出量の制御が可能となる。重力による自然流動方式で無いため、樹脂粘度の変化に対しても影響を受け難く、均一に吐出させながら蒸発させることで支持体に高速で安定した成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】防湿性、および耐ピンホール性に優れたバルーン用包材を提供する。
【解決手段】外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層−バリア層−印刷層−シーラント層のいずれかからなるバルーン用包材において、基材層としてポリブチレンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート樹脂に対してポリエチレンテレフタレート樹脂を３０重量％以下の範囲で配合したポリエステル系樹脂組成物のいずれかからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを用いる。 （もっと読む）

【課題】所望の領域の材料のみが成膜されることを可能にし、微細パターンの形成を可能にする。また、材料の利用効率を高めることによって製造コストを低減させる。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させる。
【解決手段】一方の面に、開口部を有する反射層と、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側からレーザ光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合、形成される膜の膜質の劣化の防止が困難である。
【解決手段】蒸着チャンバ１０、隔壁４０で隔てられた副チャンバ２０、隔壁を貫通して蒸着チャンバから副チャンバへ移動可能に設けられた蒸着材料供給ベルト３０、蒸着材料溶液を副チャンバ中において蒸着材料供給ベルト上に供給する蒸着材料溶液供給部（３４）、蒸着チャンバ内の蒸着材料供給ベルト上の蒸着材料が気化するように加熱する加熱部３３、成膜対象物１の保持搬送部を有し、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離し、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面に配されている１以上の基板が準備され、該１以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において、該１以上の基板の一主面および端面のうちの少なくとも一方の面に対向する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、非酸化性の気体の流れが発生されながら、該１以上の基板が加熱されることによって、該１以上の基板の一主面に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】シャドウマスクを使用することなく高精細な薄膜パターンの蒸着形成を容易にする。
【解決手段】蒸発源２から蒸発した有機ＥＬ材料の蒸着分子２３が有機ＥＬ表示用基板５に到達する前に上記蒸着分子２３を帯電させる段階と、発光層１６を形成する箇所に対応して位置する画素電極１４の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体２１に、帯電された蒸着分子２３の帯電極性とは異なる極性で且つ有機ＥＬ材料を昇華させない程度に制限された温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、発光層１６を形成しない箇所に対応して位置する画素電極１４の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体２１に、帯電された蒸着分子２３の帯電極性と同じ極性で且つ有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、を行う。 （もっと読む）

【課題】マスクの強度を低下させずに、大面積の成膜対象物に成膜できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】
マスク３１は、薄膜材料蒸気が通過する複数の通過孔３２が配置された有効領域３３₁〜３３₃と、薄膜材料蒸気を遮蔽する遮蔽領域３４₁〜３４₄とを有し、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₃は、長さ方向と、長さ方向と直交する幅方向とを有する四角形状であり、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₃とは、有効領域３３₁〜３３₃の幅方向６に沿って互いに隣接して配置され、成膜装置１０ａは、マスク３１と放出装置２１とに対し、成膜対象物４２を、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₄とが並ぶ方向に相対的に移動させる第一の移動装置５１を有している。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ、高い成膜レートが実現可能なハースライナと、それを用いた電子ビーム加熱源、電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム加熱源１０は、ハース３と、ハースライナ４と、電子銃５とを有する。ハースライナ４は、ハース３の凹部３１に装着され、被加熱材料Ｍを収容することが可能であり、窒化ケイ素系セラミックスで形成される。電子銃５は、ハースライナ４に収容された被加熱材料Ｍに照射され、被加熱材料Ｍを加熱するための電子ビームＢを発生させる。 （もっと読む）

【課題】分子線エピタキシー（ＭＢＥ）による成膜に先立って、原料蒸発源セルの周辺に存する不純物を、原料を浪費することなく除去して所期の高真空度を達成し、容易且つ確実に信頼性の高い成膜を実現する成膜装置、成膜方法、及び化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ装置は、原料１０が充填される坩堝１１と、坩堝１１を覆うように配置された第１のヒータ１３と、第１のヒータ１３を覆うように配置された熱反射板１４と、熱反射板を覆うように配置された第２のヒータ１５とを備えた原料蒸発源セル２と、原料蒸発源セル２の少なくとも一部を囲み、その壁面を液体窒素温度に冷却することができるシュラウド４とを含み構成される。 （もっと読む）