【課題】耐久性に優れ、高い成膜レートが実現可能なハースライナと、それを用いた電子ビーム加熱源、電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム加熱源１０は、ハース３と、ハースライナ４と、電子銃５とを有する。ハースライナ４は、ハース３の凹部３１に装着され、被加熱材料Ｍを収容することが可能であり、窒化ケイ素系セラミックスで形成される。電子銃５は、ハースライナ４に収容された被加熱材料Ｍに照射され、被加熱材料Ｍを加熱するための電子ビームＢを発生させる。 （もっと読む）

【課題】分子線エピタキシー（ＭＢＥ）による成膜に先立って、原料蒸発源セルの周辺に存する不純物を、原料を浪費することなく除去して所期の高真空度を達成し、容易且つ確実に信頼性の高い成膜を実現する成膜装置、成膜方法、及び化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ装置は、原料１０が充填される坩堝１１と、坩堝１１を覆うように配置された第１のヒータ１３と、第１のヒータ１３を覆うように配置された熱反射板１４と、熱反射板を覆うように配置された第２のヒータ１５とを備えた原料蒸発源セル２と、原料蒸発源セル２の少なくとも一部を囲み、その壁面を液体窒素温度に冷却することができるシュラウド４とを含み構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の表面欠陥の発生を抑制する半導体膜蒸着装置および半導体膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】
半導体原料を収容するるつぼ２と、るつぼ２と対向して基板５を支持する基板支持器６と、るつぼ２と基板５との間でるつぼ２の開口を覆って配置されるマスク４と、るつぼ２およびマスク４を加熱する加熱器３と、るつぼ２、基板支持器６、およびマスク４を収容する真空チャンバ７とを備える半導体膜蒸着装置。るつぼ２から飛散した半導体分子はマスク４内部を衝突しながら通過することで基板５上に表面欠陥が抑制された状態で成膜される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造が容易で、大型基板量産工程に容易に適用され、製造収率及び蒸着効率の向上した有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法に係り、蒸着物質を放射する第１蒸着源１１０ａ、及び第１蒸着源上にスタックされた形態に配列され、第１蒸着源と異なる蒸着物質を放射する第２蒸着源１１０ｂと、被蒸着体に向かう第２蒸着源の一側に配置され、第２蒸着源から形成された複数個の第２蒸着源ノズル１２１ｂを含む第２蒸着源ノズル部と、第２蒸着源の一側に配置され、第１蒸着源から第２蒸着源を貫通して形成された第１蒸着源ノズルを含む第１蒸着源ノズル部１２１ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚の薄膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】蒸着材料から生成した蒸着材料ガスを、複数の主分散板２３〜２５の主分散孔７２を通過させ、均一に分散させる。主筐体２１と主分散板２３〜２５は、環状に形成し、主分散板２３〜２５の幅方向両端を主筐体２１で支持する。主分散板２３〜２５は撓まないので、均一な分散が行える。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、クラスタを自由に構成できる有機ＥＬデバイス製造装置及び同製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸着材料を基板に蒸着する処理部を具備する真空処理チャンバと、前記基板を搬入または搬出する受渡室と、前記基板を前記受渡室と前記複数の処理部との間を放射状に搬送する搬送手段とを具備する真空搬送チャンバとを備えるクラスタを、前記受渡室を介して複数有する有機ＥＬデバイス製造装置において、前記受渡室は、載置基台に支持され前記基板を載置する載置部と、前記基板を前後反転させる前後反転補正機構、前記基板を搬送方向に移動させる搬送方向移動機構のうち少なくとも一方を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 真空アーク蒸着法により、基材に付着するマクロパーティクルを抑制することの可能な真空アーク式蒸発源を提供する。
【解決手段】 真空アーク式蒸発源は、蒸発させる物質からなる棒状又は板状の陰極３と、該陰極の蒸発面の反対面に設けられるスペーサー部１６と、該スペーサー部１６が取り付けられるバッキングプレート１０とを含み、前記スペーサー部１６の軸方向に垂直な断面積が前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さくする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュ現象の発生を抑制し、高いガスバリア性を付与できる蒸着用材料と、その蒸着用材料を用いたガスバリア性蒸着フィルムの製造方法と、その蒸着用材料を用いて蒸着したガスバリア性蒸着フィルムとを提供する。
【解決手段】蒸着用材料は、金属珪素粉末と二酸化珪素粉末と金属銅粉末もしくは酸化銅粉末とを含有した加熱方式の蒸着用材料であって、珪素と銅の合計の原子数に対する酸素の原子数の比が１．０以上１．８以下の範囲内であり、珪素の原子数に対する銅の原子数の比が０．０５以上の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）