【課題】バリア膜とｎ型Ｓｉ半導体層が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】材料損失を少なく抑えた大面積の基板への均等コーティング可能なコーター及び陰極アセンブリを提供する。
【解決手段】大面積の基板を陰極スパッタによってコーティングするためのコーターであって、コーティングチャンバを有し、その内部に、スパッタされる材料がコーティングプロセス中に回転するとともに湾曲面を有するターゲット４上に配置されている陰極アセンブリ２を備える。スパッタされる材料は、回転可能な湾曲したターゲットを持つ陰極アセンブリを少なくとも３つ以上、凝集コーティング領域のための単一のコーティングチャンバ内に並行して配置する。 （もっと読む）

【課題】 何らかの原因でアーク放電が発生したときでも放電切れを防止できるようにした低コストのセルフスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理すべき基板Ｗが配置される真空チャンバ１と、前記基板に対向配置されるターゲット２と、前記ターゲットに負の直流電位を印加するスパッタ電源Ｅ１と、前記ターゲットの前方空間を囲うように配置され、正の電位が印加されるアノードシールド４と、前記真空チャンバ内に所定のスパッタガスを導入するガス導入手段６、６ａとを備える。更に、直流電源からターゲットへの出力回路に並列にＬＣ共振回路８を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜積層体において、金属酸化物薄膜と金属薄膜、あるいは金属酸化物薄膜と金属酸化物薄膜との界面での経時による剥離が生じることがあり、その剥離を防止するために、内部応力が小さい非晶質の酸化タンタル薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタリング法により透明基板上に形成される非晶質酸化タンタル薄膜であり、該酸化タンタル薄膜の理論密度をρ_０、実測密度をρとしたとき（ρ／ρ_０）×１００で表わされる値が７５〜９５体積％とする。 （もっと読む）

本発明は、式ＡＭ_４Ｘ_８（式中、Ａは、ＧａまたはＧｅであり、Ｍは、Ｖ、Ｎｂ、ＴａまたはＭｏであり、Ｘは、ＳまたはＳｅである）の少なくとも１種の化合物の薄膜を製造するための方法に関する。前記方法は、ｉ）少なくとも１種の不活性ガスを含む雰囲気下で式ＡＭ_４Ｘ_８の少なくとも１種の化合物を含有する標的をマグネトロンスプレーすることにより、式ＡＭ_４Ｘ_８の少なくとも１種の化合物の薄膜を形成するステップと、ｉｉ）ステップｉ）で形成された薄膜を熱処理によってアニーリングするステップとを含み、ここで、前記ステップｉ）および／またはステップｉｉ）は、ＸがＳである場合は硫黄の存在下で、またはＸがＳｅである場合はセレニウムの存在下で行われる。 （もっと読む）

【課題】 加熱性を損なうことなく被加熱体を冷却することが可能な被加熱体の冷却方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも一部が断熱材で覆われた被加熱体を冷却する被加熱体の冷却方法であって、被加熱体１０を加熱するとき、断熱材１１を被加熱体１０に密着させ、被加熱体１０を冷却するとき、被加熱体１０と断熱材１１との間に空間１３が生じるように、断熱材１１を被加熱体１０から離間させ、空間１３中に冷却流体１４を送り込み、被加熱体１０を冷却する。 （もっと読む）

【課題】キャリヤの移動度や薄膜トランジスタ等の作製工程における耐エッチング性等が従来以上に優れたＩＧＺＯアモルファス半導体膜を形成することができる透明薄膜形成用材料、及びこの透明薄膜形成用材料を作製するためのＩＧＺＯ焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。前記透明薄膜形成用材料は、成膜用ターゲットであり、気孔率が理論密度比で５％以下のスパッタリングターゲットであり、体積抵抗が１０^−２Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】密着性が充分な非晶質炭素被膜を被覆した非常に高い面圧下で使用される機械部品や、切削工具、金型を提供する。
【解決手段】非晶質炭素被覆部材の構造を、基材１上に周期律表第ＩＶａ 、Ｖａ、ＶＩａ 、ＩＩＩｂおよびＣ以外のＩＶｂ 族元素のなかから選ばれた少なくとも１つの元素、またはこれらのなかから選ばれた少なくとも１つの元素の炭化物からなる中間層２が形成され、この中間層２上に非晶質炭素膜３が形成された構造とし、中間層２の厚さを０．５ｎｍ 以上１０ｎｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】硬質炭素被膜を成膜するための方法としてスパッタリング法を採用した場合でも、低摩擦係数を実現することができる、自動車部品用摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】自動車部品用摺動部材１は、基材２と、基材２の表面にコーティングされた硬質炭素被膜３とを有する。基材２の表面粗さはＲｙ（最大高さ）で０．１μｍ以下であり、硬質炭素被膜３はスパッタリング法により成膜されている。 （もっと読む）

【課題】均一に成膜でき、異常放電が生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛焼結体からなり、Ｇａを０．０３〜０．７５原子％含み、複合酸化物がＸ線回折で検出されないことを特徴とするスパッタリングターゲットであり、Ｚｒ、Ｓｉ及びＡｌのうち１以上を合計で１００原子ｐｐｍ以下含み、酸化亜鉛焼結体表面の色差ΔＥ＊ａｂが０．７以下である。また、上記スパッタリングターゲットは、複合酸化物がＸ線回折で検出されない条件で焼結される。 （もっと読む）