【課題】 膜の良好な平坦性および耐紫外線性を有すると共に酸化による反射率の低下を防ぐことができる光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜した光記録媒体の反射膜を提供する。
【解決手段】 反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．５〜１０質量％およびＺｎ：０．５〜１０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。または、Ｉｎ：０．５〜１０質量％、Ｚｎ：０．５〜１０質量％およびＣｕ：０．５〜２質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを維持しつつ基板上への異物の落下を抑制する。
【解決手段】チャンバー１１０と、チャンバー１１０内で成膜処理される基板の上面と対向する主面を有するターゲット１３０とを備える。また、ターゲット１３０を下方から支持してチャンバー１１０に固定する係合部材１４０および頭付螺子１５０と、係合部材１４０と係合して取り付けられ、係合部材１４０および頭付螺子１５０の下方を覆う防着部材１６０とを備える。ターゲット１３０は、主面の一部に凹部１３１を有する。係合部材１４０および頭付螺子１５０は、上記凹部１３０内に位置する。防着部材１６０は、凹部１３１を埋めるように位置する。防着部材１６０のターゲット１３０と面する裏面とは反対側の表面は、ステージ１２０の上面と対向して平面である。 （もっと読む）

【課題】原料粉末の化合物化を促進し、所望とする化合物相を安定に形成することができるホウ酸リチウム粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るホウ酸リチウム粉末の製造方法は、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を溶解する工程と、前記混合粉末の溶解物を凝固させ、粉砕した凝固粉末を作製する工程と、前記凝固粉末を仮焼する工程とを有する。上記製造方法においては、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を一旦溶解し、その後冷却することで原料粉末の化合物化を促進することで、所望とする化合物相を有するホウ酸リチウム粉末を安定に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】重畳する第１のトランジスタおよび第２のトランジスタからなる第１のインバータと、重畳する第３のトランジスタおよび第４のトランジスタからなる第２のインバータと、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有し、第１のインバータの出力端子、第２のインバータの入力端子および第１の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続され、第２のインバータの出力端子、第１のインバータの入力端子および第２の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続されることによって、微細化したＳＲＡＭ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ｉｎ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦２０、３≦ｚ≦６５で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＩｎＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】大型ターゲット等の製造コストの低減を図った上で、ターゲットに起因するパーティクルの発生を抑制したスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット１の製造方法は、基体２と金属原料粒子とを準備する工程と、基体２にコールドスプレー法を適用して金属原料粒子を高速で吹付け、基体２上に金属粒子４の堆積膜からなるターゲット層３を形成する工程とを具備する。ターゲット層３のＸ線回折チャートにおける第１ピークと第２ピークとの比率をＰ１、金属原料粒子のＸ線回折チャートにおける第１ピークと第２ピークとの比率をＰ２としたとき、Ｐ１とＰ２との差が１０％以内となるように、金属原料粒子を基体２に吹付ける。 （もっと読む）

【課題】カルーセルが大型である場合にも、成膜される薄膜の厚みや膜質がばらつきにくいスパッタリング成膜装置のカルーセル及びそれを備えるスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】カルーセルは、カルーセルの回転軸を中心として回転するホルダ３０を備える。ホルダ３０は、取付部３２と押さえ部材３３とを備える。取付部３２は、開口部３１とフランジ部とを有する。開口部３１には、スパッタリング成膜される被成膜部材４が挿入される。フランジ部は、開口部３１の内壁から内側に向かって突出している。フランジ部は、開口部３１に挿入される被成膜部材４に当接する。押さえ部材３３は、開口部３１に、開口部３１の軸方向に変位可能に挿入されている。押さえ部材３３は、ホルダ３０と共に回転することにより、遠心力によりフランジ部に対して被成膜部材４を径方向外側に向けて押圧する。 （もっと読む）

【課題】繰り返しスパッタリング成膜を行った場合であっても、成膜される薄膜に構造欠陥が生じ難いスパッタリング成膜装置及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング成膜装置１は、チャンバ１０ｂと、ホルダ１１と、加熱装置とを備えている。ホルダ１１は、チャンバ１０ｂ内に配されている。ホルダ１１には、被成膜部材が取り付けられる。加熱装置は、ホルダ１１を加熱する。加熱装置は、遠赤外線をホルダ１１に照射する遠赤外線ヒーター２０と、近赤外線をホルダ１１に照射する近赤外線ヒーター２１とを有する。 （もっと読む）