国際特許分類[C23C14/34]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | 被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆 (14,491) | 被覆の方法に特徴のあるもの (7,808) | スパッタリング (3,573)
国際特許分類[C23C14/34]の下位に属する分類
磁界の適用によるもの,例.マグネトロンスパッタリング (349)
ダイオードスパッタリング (26)
トリオードスパッタリング (18)
外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの (69)
国際特許分類[C23C14/34]に分類される特許
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スパッタリング法
等しくない接合特性と側面を有する基板を塗布する方法は、第1の組の被覆条件下で第1の側面を塗布し第1の組の被覆条件と異なる第2の組の動作条件下で第2の側面を被覆することにより基板を非対称に被覆し、側面の等しくない接合特性を補償する工程を含む。また基板作成法は第1及び第2の面を有しアニーリング処理された熱可塑性基板のベース層を与える工程と、ベースライン温度及び相対湿度を有する環境下で基板のベース層を安定化する工程と、ベース層をドリリング処理してビアホールを形成する工程と、ベース層の第1及び第2の面をイオン処理してビアホールのドリリング処理による汚染物を除去しスパッタリング処理用の第1及び第2の面を作成する工程と、ベース層の温度がベース層のアニーリング処理温度を越えないよう制御して、ベース層の第1の面上に少なくとも1の金属層を第1のスパッタリング処理によりオングストロームを金属化し次に第2の面上に少なくとも1の金属層をスパッタリング処理する工程と、金属化されたベース層をベースライン温度並びに相対湿度を有する環境下で安定化させ次に金属化されたベース層を更に処理して金属層を導電性パターンに変形する工程とを含む。 (もっと読む)
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