【課題】ターゲット材とバッキングプレートとを、気泡を発生させることなく確実に接合できる簡単な方法を提供する。
【解決手段】ターゲット材２及びバッキングプレート３の接合面にボンディング材の塗布層４Ａ，４Ｂを形成した状態でこれらの一方の接合面を上方に向けて配置するとともに、その接合面に他方の接合面を上方から対向させ、これらの面方向の一端部を接触させた状態で、一端部から離れた位置で両接合面の間にボンディング材により形成されたブロック材１１を配置し、ブロック材１１及び塗布層４Ａ，４Ｂを溶融することにより、両接合面どうしを密接させ、ターゲット材２とバッキングプレート３とを接合する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、平均粒径１０μｍ以下、且つ粒径３０μｍ以上の結晶粒の割合が１５％以下であり、相対密度８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度８５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 切断加工時などにおけるひび割れの発生を抑制することができるＣｕ−Ｇａ合金スラブ、および、このようなＣｕ−Ｇａ合金スラブを用いて作製されたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｃｕ−Ｇａ合金スラブは、Ｃｕ−Ｇａ合金よりも融点の高い高融点金属を、原子百分率で１ａｔ％以下含有する。このＣｕ−Ｇａ合金スラブを用いて、スパッタリングターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム（Ｇａ）若しくはスズ（Ｓｎ）の一部又は全部の代わりにゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム（Ｇｅ）原子は、酸素（Ｇｅ）原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム（Ｇａ）又はスズ（Ｓｎ）の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 （もっと読む）

【課題】 大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 加圧圧縮時には充填した原料粉末に対して実質的に１軸方向からのみ加圧し、加圧終了後の減圧時には成形体に対して等方的に圧力を開放することが可能な構造を有する成形型を用いることにより、成形時のスプリングバックを効率よく解消して、高い成形圧力での冷間静水圧プレスを可能とする。これにより、バインダー等の有機物を含まない原料粉末を用いて、直接、形状精度の良い成形体を作製することができ、大型で均質、かつ、炭素含有量の少ない焼結体を効率よく高い歩留まりで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜用ワークを、その成膜面に成形痕あるいは取出痕が付かないように成形して取り出し、高均質の薄膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】射出成形により成形した成膜用ワーク（Ｗ１）を取り出すとき、成膜用ワークの成膜面（Ｍ１）が可動側金型（５）に残るように型を開き、型を開くことにより露出した非成膜部（Ｍ’１）を吸着して前記可動側金型（５）から取り出す。このとき、成膜用ワーク（Ｗ１）の縁部と、該縁部が付着している可動側金型（５）のパーティング面（Ｐ）との間に圧縮空気（２４、２４）を吹き付け、真空吸着力を破壊して剥離する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ−Ｇａ合金からなるＣｕ−Ｇａ合金スラブを溶解鋳造により作製するための鋳造装置において、大型のＣｕ−Ｇａ合金スラブを、ひび割れ発生を充分に抑制して製造することができる鋳造装置を提供する。
【解決手段】 鋳造装置１００は、坩堝１と鋳型２との間に貯留槽３を備える。貯留槽３は、坩堝１の下方に配置され、坩堝１の出湯開口１２から出湯された溶湯を一時的に貯留する。この貯留槽３は、坩堝１の出湯開口１２から出湯された溶湯が流入する流入開口３２と、該流入開口３２よりも下方に設けられ、流入開口３２から流入して貯留される溶湯を、溢流させて排出可能な排出開口３３とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで使い勝手が良く、イニシャルコストもランニングコストも安い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ（２）内に、ワークホルダ（１０）と、マグネトロン電極（１５）とを設ける。マグネトロン電極（１５）には、第１のターゲット材料（１６）を設け、これに重ね合わせるように第２のターゲット材料（１７）を設ける。第２のターゲット材料（１７、１７）は第１のターゲット材料（１６）をカバーする位置と、開放する位置の２位置を採ることができるようにする。ワークホルダ（１０）と、第１、２のターゲット材料（１６、１７）との間には、直流電圧と高周波電圧とが選択可能に印加されるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Ｐｂ（４０６ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｐｂ、Ｚｒ（４６８ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｚｒ、Ｔｉ（４５３ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｔｉをそれぞれ求める。Ｉ_Ｐｂ／（Ｉ_Ｚｒ＋Ｉ_Ｔｉ）の値をＰ_１としたとき、０．４＜Ｐ_１＜０．７を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 （もっと読む）