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国際特許分類[C23C14/34]の内容

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【課題】 高密度および高強度を有し、窒化チタン系の膜を成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化チタン粉と酸化チタン粉とを焼結したスパッタリングターゲットであって、N:30〜43at%、O:9〜27at%を含有し、残部がTiおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が4.4g/cm以上である。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結する工程とを有し、前記酸化チタン粉の少なくとも一部をO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とし、この酸化チタン粉を窒化チタン粉と混合する。 (もっと読む)


【課題】成膜用ワークを、その成膜面に成形痕あるいは取出痕が付かないように成形して取り出し、高均質の薄膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】射出成形により成形した成膜用ワーク(W1)を取り出すとき、成膜用ワークの成膜面(M1)が可動側金型(5)に残るように型を開き、型を開くことにより露出した非成膜部(M’1)を吸着して前記可動側金型(5)から取り出す。このとき、成膜用ワーク(W1)の縁部と、該縁部が付着している可動側金型(5)のパーティング面(P)との間に圧縮空気(24、24)を吹き付け、真空吸着力を破壊して剥離する。 (もっと読む)


【課題】簡素化した製造工程でも低酸素の焼結Mo合金スパッタリングターゲット材を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】(Ti、Nb、Ta)の群から選択される1種または2種以上の金属元素Mを0.5〜60原子%含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなるMo合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、Mo原料粉末と平均粒径200μm以下の水素化した前記金属元素Mの粉末とを混合処理した混合粉末を加圧容器に充填し、次いで該加圧容器を加熱しながら減圧脱気処理をした後、熱間静水圧プレスで加圧焼結してMo合金焼結体を作製する焼結Mo合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】酸化マグネシウム膜の面内均一性を高めることの可能なスパッタ装置を提供することにある。
【解決手段】ターゲット表面12aに対して基板表面Saを平行に配置する基板ステージ11と、ターゲット表面12aに漏洩磁場を形成する磁気回路と、を有し、ターゲット表面12aにて法線方向の漏洩磁場が無い部位をエロージョン部位12eとし、基板表面Saの中心とエロージョン部位12eとを結ぶ線を第1の直線L1とし、基板表面Saの中心から該基板の径方向に延びる直線を第2の直線L2とすると、ターゲット表面12aの中心とエロージョン部位12eとの距離が基板半径R1より大きく、第1の直線L1と第2の直線L2とのなす角度が43.5°以上、54.5°以下である。 (もっと読む)


【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、MoTiターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Tiを20〜80原子%含有し残部がMoおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が10質量ppm以下であるMoTiターゲット材である。また、本発明のMoTiターゲット材は、MoTi焼結体を100Pa未満の圧力、800℃以上、0.5時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 (もっと読む)


【課題】ターゲットの損傷を防止しつつ、高品質の成膜を実現することができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】内部に配置された基板13にスパッタによる成膜を行う成膜室1と、成膜室1内に配置されたターゲット2a、2bの前面側にプラズマを生成するための電源5と、閉じ込め磁場を生成する永久磁石8a、8bと、成膜室1内に配置されたターゲット2a、2bの周縁部を覆うリングプレート6a、6bとを備え、リングプレート6a、6bは、少なくとも表層部が例えばセラミックスなどの絶縁材料で構成されており、異常放電の原因および発塵源となるスパッタ粒子が、非エロージョン領域でターゲット上に堆積するのを防止でき、ターゲットの損傷を防止しつつ高品質の成膜を実現する。 (もっと読む)


【課題】複数の圧電体薄膜を積層して形成される圧電体素子における膜の密着性を高めて剥離を防止し、耐久性、信頼性を高めるとともに変位効率(駆動効率)を向上させる圧電体素子を提供する。
【解決手段】基板30上に、第1の電極32が形成され、その上に第1の圧電体膜34が形成される。さらに第1の圧電体膜34の上に拡散ブロック層として機能する金属酸化物膜36が積層され、その上に金属膜38が積層して形成される。金属膜38の上に第2の圧電体膜76が形成され、その上に第2の電極46が積層して形成される。第1の圧電体膜34の分極方向と第2の圧電体膜44の分極方向は互いに異なる。第1の電極32と第2の電極46を接地電位とし、金属膜38を含む中間電極40をドライブ電極とすることができる。各層の圧電体膜を互いに異なる組成で構成することができる。中間層40の厚みと応力値の積は100N/m未満であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】太陽電池に用いられるCu−Ga合金スパッタリングターゲットにおいて、従来問題になっていたスパッタリング時の放電やスパッタ膜の濃度分布不均一性という問題を解決する品質の高いCu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るCu−Ga合金スパッタリングターゲットは、Ga濃度が、27.4重量%以上32重量%以下であり、不可避的空隙を含み、残部がCuからなるスパッタリングターゲットであり、凝固方向と平行な面において、不可避的空隙のうち50μm以上の空隙の面積率が、0.05%以下である。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜の成膜時における温度上昇を抑制でき、電極の金属拡散を抑制できる圧電振動片の製造方法と、この方法で製造された圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】パッシベーション膜成膜工程は、ターゲット77と、回転可能な回転ドラム71と、を備えたスパッタリング装置70を用いて行い、パッシベーション膜成膜工程は、回転ドラム71の外周面71aにウエハWを取り付けるウエハ取付工程と、ウエハWがターゲット77に対向する位置を通過するように回転ドラム71を回転させてパッシベーション膜を成膜する回転成膜工程と、を備え、回転成膜工程は、ウエハWがターゲット77に対向する位置を複数回通過するように回転ドラム71を回転させることによりパッシベーション膜を成膜することを特徴としている。 (もっと読む)


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