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国際特許分類[C23C14/34]の内容

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【課題】MoSを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がMoSおよび不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第1の加熱処理で第1の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第2の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第2の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第3の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 (もっと読む)


【課題】150℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下、可視波長(400nm〜800nm)において98%以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Sn/Inが0.019〜0.102であり、かつ、In/(In+Sn+Co)が0.771〜0.967、Sn/(In+Sn+Co)が0.016〜0.091、Co/(In+Sn+Co)が0.015〜0.15であり、相対密度が98%以上、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 (もっと読む)


【課題】WSを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がWSおよび不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバ内に導入するべき導入ガスの流量値が大きくても、その流量値の近傍の狭い区間で流量を高速制御でき、例えば、真空チャンバ内のプラズマを所望の状態で保ち続けて、成膜等に最適な状態を維持することが可能なプラズマ制御装置及び流量制御装置を提供する。
【解決手段】前記真空チャンバVC内に導入される導入ガスが流れる第1流路L1上に設けられた第1バルブ11と、前記第1バルブ11を経由して前記真空チャンバVC内に導入される前記導入ガスの流量が第1流量となるように当該第1バルブ11の開度を制御する第1バルブ制御部12と、プラズマモニタ3と、前記導入ガスが流れる第2流路L2上に設けられた第2バルブ21と、前記プラズマモニタ3で測定される測定プラズマ強度と、予め設定された設定プラズマ強度との偏差に基づいて前記第2バルブ21の開度を制御する第2バルブ制御部22と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Gaをドープした酸化インジウム、又はAlをドープした酸化インジウムを含み、正4価の原子価を示す金属を、Gaとインジウムの合計又はAlとインジウムの合計に対して100原子ppm超1100原子ppm以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】インジウム−錫ロウ材からインジウムターゲットへの錫の拡散が良好に抑制された、使用効率が良好な積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットがこの順で積層され、インジウムターゲットのインジウム−錫ロウ材側表面から2.5〜3.0mmの厚み範囲における錫濃度が、5wtppm以下である積層構造体。 (もっと読む)


【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性(ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと)にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si/(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明においては、所定の量の酸化アルミニウム及び酸化ケイ素を添加した、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を用いることにより、膜厚を薄くした場合においても導電性・透明性・耐久性に優れた透明電極付き基板を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板において、該透明導電性酸化物層は、酸化ケイ素を1.2重量%以上2.1重量%以下、酸化アルミニウムを0.2重量%以上1.0重量%未満含有しており、該透明導電性酸化物層の抵抗率は、4.5×10-3Ωcm以下であり、かつ85℃・85%RHの環境下で1000時間放置した時の抵抗率の変化△Rが、温度(T)がT=300K、膜厚(d)が20nm≦d≦120nmのとき、ΔR=a×exp(−b×d/T)+1.0 [1.2≦a≦3.0、15≦b≦45、a,bは実数](式1)を満たすことを特徴とする透明電極付き基板。 (もっと読む)


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