国際特許分類［C23C14/34］の内容
化学；冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆；金属材料による材料への被覆；表面への拡散，化学的変換または置換による，金属材料の表面処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | 被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆 (14,491) | 被覆の方法に特徴のあるもの (7,808) | スパッタリング (3,573)
国際特許分類［C23C14/34］の下位に属する分類
磁界の適用によるもの，例．マグネトロンスパッタリング (349)
ダイオードスパッタリング (26)
トリオードスパッタリング (18)
外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの (69)
国際特許分類［C23C14/34］に分類される特許
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スパッタ装置
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ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法
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ターゲットアッセンブリ及びスパッタリングターゲット
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タッチパネルセンサー用Ｃｕ合金配線膜、及びタッチパネルセンサー、並びにスパッタリングターゲット
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酸化物焼結体およびその製造方法
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Ｃｕ層形成方法及び半導体装置の製造方法
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プラズマの発生及びスパッタのためのコイル
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薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた表示装置、スパッタリングターゲット材
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ナトリウム／モリブデン粉末圧縮体およびその同じものを製造するための方法
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半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器
【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。
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