【課題】スパッタ粒子の無駄を抑え、有効に使用できるイオンビームスパッタ用ターゲット、該ターゲットを用いた酸化物超電導導体用基材の製造方法および酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のイオンビームスパッタ用ターゲットは、イオンビームをターゲットに照射し、該ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を基材上に堆積させて、該基材上に成膜するイオンビームスパッタ法に用いられるターゲットであって、中央板部３と、この中央板部３に隣接して配置された側板部１、２を備え、側板部１、２は、中央板部３のイオンビームが照射される面３Ａの内側向きに傾斜されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームアシストデポジション法による結晶配向の対称性が制御された岩塩構造の中間層の成膜方法の提供、すなわち、４回対称の岩塩構造の中間層と３回対称の岩塩構造の中間層を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、４回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体及び３回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、イオンビームアシストデポジション法により、金属基材の上方に岩塩構造の中間層を成膜する方法であって、成膜時の水蒸気圧を制御することにより前記中間層の結晶配向の対称性を３回対称又は４回対称に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成膜される薄膜の面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板保持部と、スパッタ粒子の基板上への入射を規制する規制部材を複数保持し、所定のターゲットに応じた所定の規制部材を基板と所定のターゲットとの間に挿入させる規制部材保持部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成膜される薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板を保持する基板保持部と、ターゲット保持部に保持され、各ターゲットに対向する部位に第１開口部がそれぞれ形成されると共に、隣接する各ターゲット間を仕切る隔壁を複数有し、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに飛散することを抑制する飛散抑制部と、飛散抑制部と基板との間に設けられ、所定のターゲットを露出させるように第２開口部が形成されると共に、他のターゲットに対向する第１開口部を覆うように構成され、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに入射することを抑制する入射抑制部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス頻度を低減でき、適切なメンテナンス時期を見極めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、イオンを発生させるイオン源４０と、イオン源４０からのイオンビーム４５を受けるターゲット３６と、第一真空容器１１内に収容されてターゲット３６からのスパッタ粒子４６を受けるウエハ１を保持するウエハホルダ１８と、第二真空容器２２へのスパッタ粒子４６の付着を抑制する防着板５１と、防着板５１へ付着するスパッタ粒子４６の付着量を予測する付着量予測部６１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に入射する正のイオン流による急速な帯電に起因するアーク放電を生じることなく、絶縁材料の堆積にも使用できるイオンビーム源を提供する。
【解決手段】非導電ターゲットとともに使用するイオンビーム源であって、イオンを抽出するグリッド１〜４と、このグリッドにパルス電力を供給する電源（直流電源１６およびビーム制御装置１７）とからなり、前記電源は、グリッド１電源〜グリッド３電源と、前記グリッドに対する電力の供給を接続および遮断するスイッチのセット１９と、このスイッチを制御する電力スイッチング装置２１と、スイッチの切替を行うためのパルス発生器２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】グリッド・アセンブリ内の熱ひずみが小さいイオンビーム発生器を提供すること。
【解決手段】放電チャンバの側壁（１Ａ）、取付けプラットホーム（４０）および抽出グリッド電極アセンブリ（２０）の熱膨張係数α_Ｐ、α_Ｍおよびα_Ｇが、α_Ｐ＞α_Ｍ≧α_Ｇの関係を有するように選択される。たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はＭｏ、ＷまたはＣであり、また、プラットホームの材料はＴｉまたはＭｏである。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波が導入されるとともに、該マイクロ波の伝播方向に延びるスリットを有する導波管と、前記スリットから誘電体窓を介して漏れ出すマイクロ波によってプラズマ化されるプラズマ生成用ガスが供給されるチャンバーと、前記プラズマに対して磁場を印加することによって前記チャンバー内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場発生機構と、を備えていることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴ラインプラズマ発生装置とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの角度を調整可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源が発射したイオンビームが照射されるターゲットと、該ターゲットを保持するターゲットホルダと、前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分粒子が堆積する位置で基板を保持する基板ホルダと、前記ターゲットの前記イオンビームに対する角度を調整する角度調整部と、を有している。ターゲットホルダに保持されたターゲットの角度を角度調整部により調整し、イオン源が発射したイオンビームを前記ターゲットに照射させて前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分を基板ホルダに保持された基板に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持する基板ホルダと、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源から発生するイオンが照射されるターゲットと、前記基板ホルダが軸延長方向に位置するように配置される回転軸と、該回転軸に対して垂直方向であって異なる方向に複数延在する延在部と、該延在部それぞれに設けられ前記ターゲットを前記基板ホルダ側に近づくに従って前記回転軸と前記ターゲットとの距離が短くなるように保持するターゲットチャックと、前記回転軸を回転させる回転装置と、を有する。 （もっと読む）