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国際特許分類[C23C14/48]の内容

国際特許分類[C23C14/48]に分類される特許

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【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 (もっと読む)


【課題】イオン電流量の低下を抑えつつ、原料ガスの使用量を低減させることが可能なイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオン注入装置10は、イオンビ−ムを引き出すイオン源12と、半導体基板30(ターゲット)にイオン注入を行う注入室20と、注入室20へガスを導入するガス導入部11を備えている。そして、注入室20へ導入されるガスは、原料ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、原料ガスのみを注入室20へ導入したときのイオン電流量が最大となる流量をXaとしたときに、混合ガスの総流量が0.7Xa以上、且つ、原料ガスの流量が0.4Xa以上(原料ガスがBFを主体として構成される場合は、原料ガスの流量が0.3Xa以上)となるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】エネルギー線照射システムにおいて、ワークに効率的にエネルギー線を照射できるようにしながらも、飛躍的なコンパクト化を可能とする。
【解決手段】エネルギー線IBを所定の照射領域Pに向かって射出するエネルギー線射出機構と、前記エネルギー線IBが照射される対象物である第1ワークW1を、前記照射領域Pを含む第1周回軌道O1に沿って周回させる第1周回機構1と、前記エネルギー線が照射される対象物である第2ワークW2を、前記照射領域P1を含む第2周回軌道O2に沿って周回させる第2周回機構2とを具備し、各周回軌道によって形成される仮想の周回面と垂直な方向から視たときに、前記第1周回軌道O1で囲まれる領域と前記第2周回軌道O2で囲まれる領域との少なくとも一部が重なるように構成した。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置に関し、より詳しくは、イオンビームを基板に照射して、基板にイオンを照射する基板処理を行う基板処理装置、それを有する基板処理システムに関する。
【解決手段】基板処理装置が、一つ以上の基板が安着されたトレーが移送される移送経路の設けられた工程チャンバーと、前記移送経路に沿って移送される基板にイオンビームを照射する、一つ以上のイオンビーム照射部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】処理対象物の表面に凹凸が生じることを防止できる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、X(式中、X及びYのいずれか一方を水素原子とし、いずれか他方を質量数が11〜40の原子とし、水素原子の数を1〜6、他方の原子の数を1〜2とする)で表される分子の中から選択される少なくとも1種を含む処理ガスを用い、この処理ガスを減圧下で導入してプラズマを形成し、プラズマ中で電離したイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物W内に注入するイオン注入法であって、処理ガスの分圧、イオンの注入エネルギ及びイオンの注入ドーズ量の少なくとも1つを制御して、処理対象物W表面に堆積する活性種の堆積速度よりも、加速したイオンによる活性種のエッチング速度を遅くする。 (もっと読む)


【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、かさ密度の高い固体材料によって内容積あたりの充填量を多くし、不純物が少ない高純度の固体材料からなる固体材料ガスを供給すること。
【解決手段】 キャリアガスCにより所定量の蒸発または昇華・供給が可能な固体材料を、大気圧下または減圧下の融点以上沸点以下の温度条件において加熱し、溶融した状態で冷却・固化させて固体試料Sを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスCが供給される供給部1と、供給されたキャリアガスCを分散させる分散部2と、固体試料Sが設置される試料設置部3と、該試料設置部3において作製された固体材料ガスGが供出される供出部4と、を有すること。 (もっと読む)


【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面23を、露出されたチャック面13に提供することと、チャック面13に静電吸着された基板Wに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面23を解除することと、を含む。保護表面23は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 (もっと読む)


【課題】一定の加速電圧で処理対象物の厚さ方向全長に亘って均一なイオン濃度分布を得ることができる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、減圧下で所定の処理ガスを導入してプラズマを形成し、このプラズマ中のイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物W内に注入するイオン注入法であって、処理ガスとして、X(式中、X及びYを互いに異なる元素であって、その質量数が1、5〜40の原子とし、m=1〜4、n=1〜10とする)で表される分子の中から選択されるものを用いる。 (もっと読む)


【課題】スパッタ効率の高いことよりも、むしろ効率よくプラズマが生成し、かつエネルギー密度の高いプラズマ発生技術が求められている。
しかも安定したプラズマを生成させる際にはトリガーを必要とするため、装置内にトリガーを設置する空間を要すること、及びより装置が複雑になることによって装置が大型化していた。
【解決手段】板状のターゲット側電極の一方の面に、
1つの中心磁石と、該中心磁石の周囲に配置してなり、該中心磁石と極性が異なる1つ以上の周辺磁石との組み合わせからなるターゲット側磁石を設け、
該ターゲット側電極の他方の面にターゲット基板を近接して設けると共に、
該ターゲット基板に対向して試料を設置し、
該試料のターゲット基板に面する側の反対の側にアシスト磁石を設置し、該アシスト磁石の該試料側の極性と、該中心磁石のターゲット側電極側の極性が同じであるプラズマ発生装置。 (もっと読む)


【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、固体材料の残量を簡便に精度よく検知することができること。
【解決手段】 キャリアガスCにより所定量の昇華・供給が可能な固体材料に溶剤を添加してペースト状に加工し、該溶剤を蒸発除去させて固体試料Sを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスCが供給される供給部1と、供給されたキャリアガスCを分散させる分散部2と、固体試料Sが設置される試料設置部3と、試料設置部3から供出される固体材料ガスGが供出される供出部4と、を有すること。 (もっと読む)


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