【課題】真空雰囲気中で測定対象物を精度良く測定でき、光ファイバを着脱しても、測定精度に影響の無いエリプソメータを提供する。
【構成】投光部１３と受光部１４を筺体１１の内部に配置し、発光装置１２を筺体１１の外部に配置し、光配線装置１８によって、発光装置１２と投光部１３とを光接続する。投光部１３は入射光を偏光して測定光を生成し、測定対象物７に照射し、反射光を受光部１４によって受光して筺体１１の外部に配置された分析装置１５へ送光すると、分析装置１５で膜厚が求められる。測定対象物７を真空雰囲気中で測定でき、光配線装置１８と投光部１３とを着脱しても、相対的に同じ位置で仮固定され、着脱が測定精度に影響を与えない。 （もっと読む）

【課題】温度の急上昇や他の原因によって共振周波数の測定値が急変したときにも正常な膜厚値を求める。
【構成】成膜開始時に、符号Ｌ₁で示すように、共振周波数の測定値が急変したとき、所定の回復時間まで測定値を異常値とし、回復時間後、最小個数の正常な測定値から、時間と共振周波数との間に成立する一次式の“傾きａ”と“ｙ切片ｂ”とを算出し、算出した一次式から、回復時間間に成長した薄膜の膜厚を求め、回復時間後の測定値から求めた膜厚に加算する。異常値が出力されている間の膜厚値が加算されるので、実際より小さい値の膜厚値を出力することが無くなる。正常状態から異常値が得られた場合も、異常値が出力されている間の膜厚は、一次式から求め、正常な測定値から求めた膜厚に加算する。 （もっと読む）

【課題】断熱性能が向上され、耐熱温度の向上が図られた温度測定器、それを備えた成膜装置、それを用いた成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】温度検出部１からの信号を記録する記録部２を内側容器３に収容し、その内側容器３を外側容器４〜６に収容することで断熱する構成とする。外側容器４〜６を、板厚方向に所定間隔の隙間部を有する複数の壁体により構成し、板厚方向に隣接する壁体間の熱伝導を減らす。同様に、外側容器４と内側容器３との間に隙間部を形成すると共に、内側容器３と記録部２との間に隙間部を形成する構成とする。さらに、外側容器の壁体を、内側容器の材質と比較して、熱伝導率が高く、かつ、熱容量が小さい材質によって形成する。これにより、外側容器で受けた熱を、同一壁体内に伝熱し均一化することで、局所的な高温部の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】真空槽内の真空雰囲気を維持しながら振動子から付着膜を除去できる真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽１１内に蒸着材料の蒸気を放出させ、ホルダ３２ａ、３２ｂに接触して保持された振動子３１ａ、３１ｂの表面に蒸気を付着させ、付着膜の膜厚を測定しながら、基板１６に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、付着膜の蒸発温度より融点の高い振動子３１ａ、３１ｂとホルダ３２ａ、３２ｂと、ホルダ加熱装置３３ａ、３３ｂとを用いて、真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら、ホルダ３２ａ、３２ｂの融点と振動子３１ａ、３１ｂの融点の両方より低い温度でかつ付着膜の蒸発温度以上の温度にホルダ３２ａ、３２ｂを加熱し、ホルダ３２ａ、３２ｂからの熱伝導により振動子３１ａ、３１ｂを加熱し、振動子３１ａ、３１ｂから付着膜を気化させて除去する。 （もっと読む）

【課題】膜厚センサの使用寿命が長い真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空槽２１と、真空槽２１内を真空排気する真空排気装置２７と、真空槽２１内に露出する放出口１１ａ、１１ｂから蒸着材料の蒸気を放出する放出装置１２ａ、１２ｂと、放出口１１ａ、１１ｂと対面する位置に基板２６を保持する基板保持部２５と、放出された蒸気が入射する位置に配置され、付着した蒸気からなる付着膜の膜厚を測定する膜厚センサ１５ａ、１５ｂとを有し、基板保持部２５に保持された基板２６に薄膜を形成する真空蒸着装置２であって、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに向けてレーザーを照射するレーザー照射装置１８ａ、１８ｂを有し、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに付着した付着膜にレーザーが照射されると、膜厚センサ１５ａ、１５ｂから付着膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】精度よく、成膜対象物に均一な膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜材料を加熱し、前記成膜材料の蒸気を放出させるための成膜源と、前記成膜源を、所定の成膜待機位置と成膜位置との間で成膜対象物に対して相対的に移動させる移動手段と、前記成膜源から放出される前記成膜材料の放出量を測定するための測定用水晶振動子と、前記測定用水晶振動子を校正するための前記校正用水晶振動子と、を備える成膜装置であって、前記測定用水晶振動子は、前記移動手段内に設けられ、前記校正用水晶振動子は、前記移動手段が前記成膜待機位置にあるときの前記移動手段の上方に設けられることを特徴とする成膜装置、及びこの成膜装置を用いた成膜方法。 （もっと読む）

【課題】成膜中のパーティクルを正確に検出することができ、そのパーティクル発生量の変動に合わせた適切なプロセス管理によって、膜中に含まれるパーティクルを管理することができるアークイオンプレーティングを用いた成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】真空炉１本体に通じる開口部５１を一端部に備え、他端部を閉塞した筒体５と、筒体５の他端部に取り付けられたパーティクル検出手段６とを備え、筒体５は、その軸芯の延長線上にターゲット表面の一部が位置するように配置され、開口部５１の最小開口径Ｄに対する基準点６０と開口部５１との間の距離Ｌの比率が１２以上３０以下となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】静電プローブ法により真空チャンバ内プラズマ密度ｎ及び電子温度Ｔｅを求め、それにより得られた該プラズマ密度ｎ及びプラズマ電位Ｔｅに基づいて、被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度Ｊを、Ｊ＝ｎｑ〔√（ｋ・Ｔｅ／Ｍ）〕・ｅｘｐ（−１／２）（該式においてｑはイオン電荷量、ｋはボルツマン定数、Ｍはイオン質量）を用いて算出し、算出されるイオン電流密度が、被処理物品へ目的とする処理を施すためのイオン照射量を示すイオン電流密度へ向かうようにプラズマ密度を調整すべくプラズマ生成装置を制御するプラズマ処理方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体。 （もっと読む）

【課題】ドーパント濃度を精度よく検出でき、製品管理能力が高い薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】この薄膜製造装置１は、フィルム基板１０の搬送方向の上流側から下流側に向けて設けられ、減圧条件下でフィルム基板１０上に薄膜を形成する第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃと、第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃの下流側に隣接して設けられた第１サンプリング室１４ａ及び第２サンプリング室１４ｂとを備える。第１サンプリング室１４ａには、第１成膜室１３ａで第１薄膜層４１が形成されたフィルム基板１０が搬入され、減圧条件下でフィルム基板１０から試料を採取する。 （もっと読む）