【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の表面へのイオンの入射量を安定化させる。
【解決手段】 本発明に係るイオンプレーティング装置１０によれば、熱電子放射フィラメント３６から放射された熱電子がイオン化電極３８に向かって加速される。そして、この熱電子が蒸発源１６からの被膜材料２２の蒸発粒子と非弾性衝突することにより、当該蒸発粒子がイオン化される。さらに、このイオン化された蒸発粒子が被処理物としての基板２６の表面に入射されることにより、当該基板２６の表面に被膜が生成される。ここで、イオン化電極３８に流れる電流Ｉｄは、イオンの生成量に相関する。このイオン化電極電流Ｉｄが一定になるように、熱電子放射フィラメント３６からの熱電子の放射量が制御される。このような制御が成されることで、イオンの生成量が安定化され、ひいては基板２６の表面へのイオンの入射量が安定化される。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気を維持したまま、多数の基板の薄膜の膜厚を成膜中に測定する。
【解決手段】真空槽１２内に複数のサンプル板１６を配置し、基板の成膜面に薄膜を成長させる際に、サンプル板１６の検出面６１にも薄膜を成長させ、サンプル板１６表面に測定光を照射して薄膜の膜厚測定を行うことができる。サンプル板１６には金属電極が不要であり、高温に加熱することができるので、検出面６１に形成された薄膜を加熱して除去し、サンプル板１６を再使用することができる。その結果、真空雰囲気を維持したまま、多数枚数の基板に対する薄膜の膜厚測定を行うことができる。真空雰囲気内に複数のサンプル板１６を用意し、薄膜が形成されたサンプル板１６を加熱する間に別のサンプル板１６によって膜厚測定を行うと、薄膜除去の待ち時間は生じない。 （もっと読む）

【課題】生産性を高めることができるとともに均一な蒸着膜を形成することができる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】フィルムＦを外周に沿わせて連続的に送る冷却ドラム２１を備え、このフィルムＦの外周側に、有機材料を加熱して蒸発させるとともに放出させて当該フィルムＦに負圧下で蒸着させる蒸発源３１を４基配置した真空蒸着装置１であって、上記蒸発源３１のうち、第１蒸発源３１Ａおよび第２蒸発源３１Ｂは、同一の有機材料を蒸着させるものであり、上記第１蒸発源３１Ａは蒸発させた有機材料の放出量を調整し得るバルブ駆動部３３を有せず、第２蒸発源３１Ｂは当該バルブ駆動部３３を有するものであり、上記第１蒸発源３１Ａおよび第２蒸発源３１Ｂ以外の他の蒸発源３１Ｃ，３１Ｄは、上記バルブ駆動部３３を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】光っているマクロパーティクルのみならず、光っていないマクロパーティクルについても計測すること、さらにマクロパーティクルの速度分布のみならず、マクロパーティクルの粒度分布や帯電状態（正・負・中性）を計測する。
【解決手段】マクロパーティクルが通過可能な孔を有する電極をマクロパーティクルの移動方向と垂直に配置して、１つ以上の無電界空間および電界空間を形成させ、マクロパーティクルに外部光源より光を照射して粒径を計測すると共に、マクロパーティクルが無電界空間および電界空間内において所定距離を移動するために要した時間を計測し、それに基づいてマクロパーティクルの無電界空間内における速度および電界空間内における速度変化を求め、粒径に基づいて、前記マクロパーティクルの粒度分布を計測すると共に、速度および速度変化に基づいて、マクロパーティクルの速度分布および帯電状態を計測する。 （もっと読む）

【課題】光量を高めた特殊な光源や感度の高い特殊な検出器を用いることなく、成膜される光学薄膜の膜厚を、高い精度で計測する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置を得ることである。
【解決手段】モニター基板と、真空チャンバーの外に設置され、透明窓を介してモニター基板にモニター光を投射する発光手段と、モニター基板から反射され、真空チャンバーの外に導出されるモニター光を受光する受光手段と、受光手段で計測したモニター光の強度変化から、被成膜部材に形成される薄膜の膜厚を算出する手段とを有する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置であって、モニター基板が、平面に半導体でなる膜厚が１００ｎｍ未満の第１の薄膜を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】被成膜材料の有無を検出する検出機能を確保することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、ワークＷに成膜材料を成膜する成膜装置であって、ワークＷを収納し成膜処理を行う成膜室２と、成膜室２の内部に設けられ、ワークＷを搬送する搬送装置７と、成膜室２を画成する壁３ａに設けられ、光を透過する防着ガラス２７を有し、成膜室２の外部から内部への投光を可能とするビューポート１３と、成膜室２の外部に設けられ、ビューポート１３の防着ガラス２７を透過させてセンサー光を投光し成膜室２の内部のワークＷの有無を検出する走行センサ１１と、防着ガラス２７への成膜材料の堆積を抑制するためのヒータ３１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光散乱効果を持つＺｎＯ系膜を高い成膜速度で成膜できる生産性のよい成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明では、成膜室１内に処理すべき基板ＷとＺｎＯを主成分とするターゲット３１とを配置し、真空雰囲気の成膜室１内に希ガス等のスパッタガスを導入し、ターゲット３１に所定電力を投入し、プラズマ雰囲気を形成してターゲットをスパッタリングすることで、基板Ｗ表面にＺｎＯを主成分とする薄膜を成膜する。スパッタリングによる成膜中、前記プラズマに基板Ｗが曝されるようにし、成膜室１内の圧力を２Ｐａ未満に保持する。 （もっと読む）

【課題】成膜容器の圧力を測定するための圧力計に耐熱性を要求せず、かつ、設置面積を低減可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１１内に保持されている基板に原料ガスを供給することによって、基板に膜を成膜する成膜装置において、成膜容器１１に原料ガスを供給する供給機構と、成膜容器１１からガスを排気する排気機構２５と、成膜容器１１から排気機構２５にガスが流れる排気流路５５の途中に設けられており、原料ガスを含む生成物を析出させることによって、原料ガスを捕捉するトラップ部３０と、成膜容器１１とトラップ部３０との間で排気流路５５に合流するように接続されており、排気流路５５にパージガスを供給するパージガス供給部５０と、パージガス供給部５０から排気流路５５にパージガスが流れるパージガス供給流路５２の途中に設けられた圧力計５１とを有する。 （もっと読む）