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国際特許分類[C23C16/00]の内容

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国際特許分類[C23C16/00]に分類される特許

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【課題】高いガスバリア性を備え、基材、ポリマー層及びガスバリア層間の密着性が向上し、屈曲耐性及び環境耐性に優れたガスバリア積層体とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材F上に、少なくともガスバリア層G−1、G−2とポリマー層P−1、P−2、P−3とを有し、該ポリマー層P−1、P−2、P−3の少なくとも1層が該ガスバリア層G−1、G−2の少なくとも1層に隣接し、該ポリマー層P−1、P−2、P−3の該ガスバリア層G−1、G−2との接触界面における平均炭素含有量が該ポリマー層P−1、P−2、P−3の平均炭素含有量より小さいガスバリア積層体1。 (もっと読む)


【課題】 有機成分を含有する有機珪素化合物の撥水性及び離型性の蒸着膜を有する繊維強化プラスチック(FRP)成形加工用フィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長法(PE−CVD法)により、プラスチック基材上にSi−C又はC−H結合を含有する有機珪素化合物の蒸着膜を形成させてなるFRP成形加工用フィルム及びその製造方法において、分子内にSi−O結合を含有する有機珪素化合物を蒸着原料とし、前記有機珪素化合物ガスの蒸着時に有機珪素化合物及び炭素原子含有化合物に起因する有機成分を蒸着膜中に含有し、加熱処理時に有機成分が離型層表面に転移し、優れた離型性を発現できる離型層をプラスチック基材上にプラズマ化学気相成長により成膜させ、有機珪素化合物中の有機成分に基づく撥水性を発現させ、離型性を付与してなるFRP成形加工用フィルム及びその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】自重による基板素材の撓みを低減することができる基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】周縁部1bが支持された場合、自重による撓みを生じる基板素材の一面1aには、自重による基板素材の撓みを低減し、基板素材の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する膜が形成されている。 (もっと読む)


本発明は、真空チャンバおよびその製造に関する。本発明によると、真空チャンバは挿入プレートが挿入されるフレームを含んでいる。挿入プレートはフレームとともに、内部で真空を生成することができる閉じられた空間を形成する。フレームの筐体は一体的な金属材料から広い面積の材料を取り除くのが好ましく、それにより、挿入プレートのための開口部が生じる。このことは特に、挿入プレートが挿入される場所で、溶接継目が必要ないという利点がある。
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【課題】均一性の良い結晶膜を短時間で得ることができる技術である、スパッタ法をIII族窒化物化合物半導体層を作製するに際して使用し、安定して良好な結晶性のIII族窒化物化合物半導体層を得る。
【解決手段】基板上に、III族窒化物化合物半導体からなる多層膜構造を成膜させる方法において、該多層膜構造は少なくとも基板側からバッファ層と下地層を含み、バッファ層と下地層をスパッタ法で積層し、かつ、バッファ層の膜厚が5nm〜500nmであることを特徴とするIII族窒化物化合物半導体積層構造体の成膜方法。 (もっと読む)


【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板1上にエピタキシャル成長をさせる。 (もっと読む)


【課題】高性能の窒化ガリウム系トランジスタを製造するための、誘電体膜付の半導体エピタキシャル結晶基板を提供すること。
【解決手段】下地基板1上にエピタキシャル法によって、バッファ層2、チャネル層3、及び電子供給層4から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してAlNを電子供給層4上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜5を形成する。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】カソードの製造方法において、炭素材料をチタン基板の一部分上に堆積させるステップと、堆積させた材料及びチタン基板を減少した圧力及び(又は)化学的に不活性な保護ガスの下にて約600℃ないし約1000℃の範囲にて加熱し、チタンと炭素材料との境界面に炭化チタン層を形成するステップと、約0.1時間ないし4時間の範囲、200℃ないし500℃の範囲の温度にて酸素を含む雰囲気中で加熱することにより堆積させた炭素材料を活性化するステップとを備える、カソードの製造方法である。
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【課題】 絶縁性を向上させることが可能な絶縁層の生成方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】 絶縁性樹脂で生成した第1の絶縁性薄膜PI上に、第2の絶縁性薄膜としての重合させたエチレン(PPE)を付着させることにより絶縁層I1を生成する。 (もっと読む)


環状エーテル、環状炭酸エステル、及び環状エステル類を用いてプラズマ気相重合法によって電極上に高分子薄膜を形成させて高分子固体電解質としての機能を持つ膜の製造法及びその製造条件の最適化。
【効果】この方法は、イオン伝導薄膜の作製法として非常に簡便で効率的である。膜の性質も均一でち密である。 (もっと読む)


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