【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】炭化珪素膜はアルゴンキャリアガスと、水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる減圧ＣＶＤ法で成膜される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 （もっと読む）

【目的】
ＧａＮ系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくＳｉ基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶層であるバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にＧａＮ系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ層をサファイア下地基板から簡単に剥離できるようにしたＧａＮ自立基板の製造方法の提供。
【解決手段】サファイア下地基板上にＧａＮ層を気相成長させる工程と、前記ＧａＮ層から前記サファイア下地基板を、前記成長中の反りもしくは降温中の熱応力によって前記下地基板を破壊することで除去する工程と、を含む、ＧａＮ自立基板を製造する方法において、前記サファイア下地基板が、面方位が（１１−２０）面であるａ面サファイア下地基板１０であり、前記サファイア下地基板の表面もしくは裏面に前記サファイア下地基板全面を横断するように溝を形成し、前記溝が前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向に形成されているようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた透明性及び導電性を兼ね備える透明導電性部材を生産性良く製造することができる透明導電性部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る透明導電性部材の製造方法は、金属箔を準備するステップ、
前記金属箔上にグラフェン層を形成するステップ、前記グラフェン層上に、直接又は一若しくは複数の層を介して、未硬化状態又は半硬化状態の反応性硬化型樹脂組成物からなる樹脂層を形成することで、中間部材を得るステップ、前記中間部材の前記樹脂層に透明な基材を重ね、続いて前記樹脂層を硬化させることで、積層物を得るステップ、及び前記積層物から金属箔を除去するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】２°以上のオフ角を有する結晶構造｛１１１｝の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サファイア基板の（０００１）面上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させ、少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板の結晶面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させ、前記カーボンナノチューブ層を覆う第三ステップと、前記基板及び前記カーボンナノチューブ層を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】波長２４０〜３００ｎｍの領域における紫外光の透過性に優れた窒化アルミニウム単結晶、該単結晶からなる層を有する積層体、該積層体を製造する方法、および該積層体から紫外光の透過性に優れる窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸素原子、及び炭素原子を含む窒化アルミニウム単結晶であって、酸素原子の濃度を［Ｏ］ｃｍ^−３、炭素原子の濃度を［Ｃ］ｃｍ^−３としたときに、下記式（１）の条件を満足することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
［Ｏ］−［Ｃ］ ＞ ０ （１） （もっと読む）