【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に元々付着していた不純物及び成長炉内の不純物を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を成長炉内に搬入する搬入工程と、該基板の上と該成長炉の内壁に、該基板表面と該成長炉内の不純物を吸収する不純物吸収層を形成する吸収層形成工程と、該不純物吸収層と、該基板の一部とをエッチングすることで該基板を薄化基板にするエッチング工程と、該薄化基板の上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、該バッファ層の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの上部電極上に形成される充填膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成された下部電極１４と、下部電極１４上に形成された容量絶縁膜１５と、容量絶縁膜１５上に形成された上部電極１６と、上部電極１６の表面に形成された表面改質層と、表面改質層上に形成された充填膜１８を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO₂パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕの選択成長と非選択成長を適用した半導体デバイスの相互接続配線の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ増強原子層堆積チャンバ内に基板を準備し、基板は、露出した第１材料を有する第１領域と、露出した第２材料を有する第２領域とを含み、第１材料は金属窒化物又は窒化可能な金属を含み、第２材料は窒化不可能な金属又はシリコン酸化物を含むようにし、（ａ）第１ステップとして貴金属前駆体をチャンバに供給して、貴金属前駆体をキャリアガスの存在下で基板に接触させ、続いて貴金属前駆体をパージするステップ、アンモニア及びキャリアガスをチャンバに供給しつつ基板をプラズマに曝露するステップを繰り返し実施することにより、第１領域でなく第２領域上で貴金属層を選択的に堆積させ、次に（ｂ）基板をアンモニア及びキャリアガスプラズマに曝露するステップと、貴金属前駆体を基板に接触させるステップで非選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】少ない雰囲気ガスの量でチャンバー内の不純物を効率的に除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、チャンバー４と、噴出口部５と、吸入口部６とを備えている。チャンバー４は、複数の側面２を有する側面部３を含む。噴出口部５は、チャンバー４に雰囲気ガス７を供給するためのものである。吸入口部６は、チャンバー４から雰囲気ガス７を排気するためのものである。噴出口部５と吸入口部６とは側面２に沿って配置されている。噴出口部５と吸入口部６との少なくとも一方は線形状であり、かつ側面２の周縁側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】選択的エピタキシープロセス及びＡＧＳプロセスの両者に対して、効率的に実施するための装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を形成する方法において、エピタキシャル膜を形成する前に、第１のガスを使用して第１の処理チャンバー１０８内で基板を前クリーニングするステップと、上記第１の処理チャンバーから真空下で移送チャンバー１０２を通して第２の処理チャンバー１１０へ基板を移送するステップと、上記第１のガスを使用せずに上記第２の処理チャンバー１１０内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、上記第１のガスは上記第２の処理チャンバー内で使用するには不適当である、を備えた方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ガスバリア性ポリ乳酸樹脂成形体において、水系内容物をガスバリア性薄膜側から接触させた状態で１ヶ月から数ヶ月保管した場合においても薄膜の密着性の低下をさせないことである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性ポリ乳酸樹脂成形体は、容器、フィルム又はシートの形状を有するポリ乳酸樹脂成形体の表面にガスバリア性薄膜を形成したガスバリア性ポリ乳酸樹脂成形体において、ポリ乳酸樹脂成形体は、アルコキシカルボニル基（−ＣＯＯＲ、Ｒはアルキル基）若しくはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）又はその両方を有する樹脂組成物が添加物として配合されたポリ乳酸樹脂で成形されてなり、かつ、ポリ乳酸樹脂成形体の表面に樹脂組成物が露出していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置１０は、Ｔｉ層を形成する金属層形成チャンバ１３と、Ｔｉ層上に、該Ｔｉ層を構成するＴｉＣｌ_４と、ＮＨ^＊とを用いてＴｉＮ層を形成する窒化金属層形成チャンバ１４とを備えている。窒化金属層形成チャンバ１４では、ＴｉＮ層が形成される前に、Ｔｉ層の表面が窒化される。 （もっと読む）