国際特許分類[C23C16/06]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着 (14,497) | 金属質材料の析出に特徴のあるもの (514)
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金属カルボニル化合物からのもの (64)
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国際特許分類[C23C16/06]に分類される特許
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金属プレート及びオスミウム膜の成膜方法
【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに1回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート107を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材39と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具8であって、前記電極部材は、プラズマCVD装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】 エレクトロマイグレーション耐性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングして配線溝を形成する工程と、前記配線溝内に銅膜を形成し、銅配線を形成する工程と、前記銅配線及び前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と、平坦化された前記銅配線及び絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、酸素を含んだ雰囲気中で加熱を行うことにより前記銅配線上の前記金属膜と前記銅配線とを選択的に反応させて合金膜を形成するとともに前記絶縁膜上の前記金属膜を酸化して絶縁性の膜に変化させる工程と、前記合金膜及び前記絶縁性の膜上にブロック膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
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材料を付着させる方法
【課題】改良された付着プロセスを提供すること。
【解決手段】ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。いったん反応が開始されると、ビームが存在しなくなっても、反応が開始された表面の領域において反応は継続する。
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半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
【課題】 Niを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を収容する工程と、処理容器内にニッケルと不純物とを含む原料を供給する工程と、処理容器内に不活性ガスを供給する工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことにより、基板上に所定膜厚のニッケルを含む膜を形成する工程と、を有する。
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半導体装置および半導体装置アセンブリ
【課題】外部からの磁場を遮蔽する磁気シールド効果が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板SUBの主表面上に形成されたスイッチング素子TRを覆うように形成された層間絶縁膜III1と、平板状の引出配線LELと、引出配線LELとスイッチング素子TRとを接続する接続配線ICLと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層MFLを含み、引出配線LEL上に形成された磁気抵抗素子TMRとを備える。磁化自由層MFLの磁化状態を変化させることが可能な配線DLと配線BLとを備えている。磁気抵抗素子TMRが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子TMRの上部に配置された第1の高透磁率膜CLAD2が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。
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半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
【課題】 金属膜の酸化に起因する特性劣化を最小限に抑えることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給し排気して化学的蒸着法により基板上に金属膜を形成する工程と、処理容器内にアルミニウム原子を含む原料ガスと窒素原子を含むガスとを供給し排気して化学的蒸着法により金属膜上に窒化アルミニウム膜を形成する工程と、金属膜および窒化アルミニウム膜形成後の基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、金属膜を形成する工程と窒化アルミニウム膜を形成する工程は、処理容器内を非酸素雰囲気に保った状態で連続的に行われる。
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導電性薄膜のプラズマ成膜方法
【課題】陽電極及び陰電極間に直流高電圧を印加した際に、瞬間的に過大電流が流れるのを回避し、数nmオーダーの膜厚で導電性薄膜を安定的に成膜し、優れた再現性を実現する。直流高電圧の印加時間を長くしながら数nm単位の膜厚で導電性薄膜を成膜することができ、成膜作業に優れている。
【解決手段】(1).反応容器内の圧力が所定の真空圧になった際に原料ガスを微量流入させながら両電極間に直流高電圧を印加する。(2).原料ガスの微量流入により反応容器内における原料ガス濃度が、両電極間を低電流値で導通させる低濃度状態になった際に、該低電流状態を維持するように原料ガスの微小流入量を制御しながら両電極間に発生するグロー放電により導電性金属分子をプラズマ化して試料表面に堆積させる。(3).上記(2)による原料ガスの低濃度状態及び低電流状態を所定時間の間、維持して試料表面に堆積される導電性金属分子により導電性薄膜をnmオーダーで成膜する。上記(1)乃至(3)の工程からなる。
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半導体装置、半導体装置の製造方法および基板処理装置
【課題】低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に隣接して設けられた金属膜と、を有し、金属膜は、第1の金属膜と第2の金属膜との積層構造を有しており、第1の金属膜は第2の金属膜よりも耐酸化性が高い物質で構成され、第2の金属膜は4.8eVよりも高い仕事関数を有する第1の金属膜とは異なる物質で構成され、第1の金属膜は第2の金属膜と絶縁膜との間に設けられている。
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半導体デバイスおよび半導体構造の製造方法
【課題】 半導体結晶材料の作製またはこの半導体結晶材料を含む構造を提供する。
【解決手段】 第1の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。半導体デバイスは、第1の結晶材料の表面上に低欠陥の歪んだ第2の半導体結晶材料を含む。歪んだ第2の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。一実施例は、第1および第2の半導体結晶材料間の界面境界の不純物を減少させるプロセスパラメータを作成することによって、粗さが低減された表面を得ることを含む。一実施の形態では、第1の半導体結晶材料は、アスペクト比トラッピング技術を用いて欠陥をトラップするのに十分なアスペクト比を有する絶縁体の開口によって限定されることができる。
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金属−シリコン−含有膜のパルス化学蒸着方法
基板上に金属−シリコン−含有膜をパルス化学蒸着により形成するための方法が提供される。本方法は、前記基板をプロセスチャンバ内に準備し、前記基板を金属−シリコン−含有膜を、金属含有ガス及びシリコン含有ガスの前記基板上での熱分解による化学蒸着に適する温度に維持し、前記基板を前記金属含有ガスの連続フローに暴露し、及び前記連続フローの間に前記基板を前記シリコン含有ガスの順次的パルスに暴露する、方法である。
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