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国際特許分類[C23C16/08]の内容

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国際特許分類[C23C16/08]に分類される特許

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【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】単膜でCu拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Cuとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜の成膜方法は、Ti膜を成膜する工程(STEP1)、Ti膜上にCo膜を形成する工程(STEP2)、Ti膜及びCo膜を熱処理してCoTi合金を含む金属薄膜を形成する工程(STEP3)を備えている。CoTi合金を含む金属薄膜は、優れた導電性とCu拡散バリア性を有し、Cuとの格子不整合が0.15%と非常に小さいため、Cu配線と優れた密着性が得られる。 (もっと読む)


【課題】反応律速領域で成膜反応を起こさせることによって,アスペクト比が大きなコンタクトホールであっても,より薄くてカバレッジの良好なチタン膜を成膜し,コンタクトホールの抵抗を低減する。
【解決手段】 基板Wを載置するサセプタ112と,処理ガスを処理室111内に供給するシャワーヘッド120と,プラズマを生成するための高周波を所定のパワーでシャワーヘッドに供給する高周波電源143と,処理室内を排気して所定の圧力に減圧する排気装置152と,チタン膜の成膜処理に適用しようとする成膜ガスの流量が,成膜処理の反応律速領域に入るように,還元ガスの流量,処理室内の圧力,高周波パワーのいずれかを変えることによって,前記反応律速領域を制御する制御部190とを設けた。 (もっと読む)


【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材1上に炭化タンタル被覆膜2を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材1表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 Niを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内で基板を加熱する工程と、処理容器内に還元性ガスを供給し排気して、加熱された状態の基板に対して前処理を行う工程と、処理容器内に不活性ガスを供給し排気して、処理容器内に残留する還元性ガスを除去する工程と、還元性ガスを除去した処理容器内にニッケルを含む原料を供給し排気して、前処理がなされた加熱された状態の基板上に所定膜厚のニッケルを含む膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造プロセスにおけるガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知する半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】表面ラフネスが良好な金属酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハを収容した処理容器内に金属原子を含む原料を供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことでウエハ上に金属膜を形成する工程(S5)と、処理容器内に酸化ガスを供給し排気することで金属膜を酸化させる工程(S6)と、を1セットとして、このセットを所定回数行う(S7)ことによりウエハ上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ダイアモンドおよびダイアモンド含有材料と支持体の良好な接着力の確保が可能な被膜を提供する。
【解決手段】0.0004から0.3重量%の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの層を含んで成る被膜および/または0.0004から0.3重量%の量のフッ素と一緒に合金を形成している一炭化タングステン(WC)の層を含んで成る被膜が単独に、あるいは多層にダイアモンドまたはダイアモンド含有材料の上に施される。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。
【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。 (もっと読む)


【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、250℃〜350℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、CVDでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


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