【課題】基板の表面における酸二無水物及びジアミンのそれぞれのガスの供給量の変動を防止し、酸二無水物とジアミンとの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、固体状態の第１の原料を気化させ、気化した第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、液体状態の第２の原料を気化させ、気化した第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器２１の内部の圧力と第２の気化器４１の内部の圧力とを調整することによって、第１の原料ガスの供給量と第２の原料ガスの供給量との比が一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜を成膜した非鉄金属材料部材の腐食を抑制できる複合硬質皮膜部材を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、非鉄金属材料からなる被成膜部材２と、前記被成膜部材の表面に形成された酸化珪素膜７と、前記酸化珪素膜上に形成された炭素含有珪素膜８と、前記炭素含有珪素膜上に形成されたダイヤモンドライクカーボン膜９とを具備することを特徴とする複合硬質皮膜部材である。 （もっと読む）

【課題】第４族金属含有膜を堆積させるための液体前駆体を提供する。
【解決手段】式（ｐｙｒ^*）Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（ＯＲ³）によって表される液体の第４族前駆体であって、式中、ｐｙｒ^*がアルキル置換のピロリルであり、ＭがＴｉ、Ｚｒ及びＨｆを含む第４族金属であり、Ｒ^1-3が同じであることができるか又は異なることができそして直鎖又は分枝のＣ_1-6アルキル、好ましくはＣ_1-3アルキルからなる群より選択され、Ｒ⁴がＣ_1-6アルキル、好ましくはピロリルがη¹において金属中心に対して配位するのを防ぐために２、５位において置換された分枝のＣ_3-5アルキルからなる群より選択され、ｎ＝２、３、４である液体の第４族前駆体が提供される。さらに、これらの化合物を用いた堆積方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】 撥水性に優れる撥水層を、真空排気やガス置換等を行うことなく、簡易な条件および装置で製造することができる撥水層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の撥水層の製造方法は、フッ素を含有する撥水層の製造方法であって、大気圧下、フッ素原子および水素原子を含むガス、ならびに不活性ガスを含むガス中において、プラズマ放電処理により、フッ素含有層を形成するフッ素含有層形成工程と、前記フッ素含有層の表面に溶剤を接触させる溶剤処理工程とを含み、前記フッ素含有層形成工程の前記ガス中の前記フッ素原子数（Ｘ）および前記水素原子数（Ｙ）の割合（Ｘ／Ｙ）が、８以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミック被膜を形成する基材である炭素繊維強化炭素複合材が積層体である場合など剥離強度を十分に確保できない場合であっても、セラミック被膜との熱膨張差により生じる基材内部の層間剥離を防止する。
【解決手段】炭素繊維強化炭素複合材である基材１５と、基材１５の表面に被覆されたセラミック被膜１７とからなるセラミック複合部材１００であって、基材１５の表面には複数の孔１９を形成し、孔１９の内部表面１９ａをセラミック被膜１７によって覆う。セラミック被膜１７に覆われた後の孔１９の開口部の幅Ｗは、セラミック被膜１７の被膜厚さｔの２倍以下であることが好ましい。基材１５は炭素繊維層と炭素マトリクス層を複数積層して構成し、孔１９は少なくとも最表層の炭素繊維層を貫通することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】周期表１４族元素の多結晶体を高速で得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】周期表１４族元素の多結晶体の製造方法であって、所定の電極１１，１２を備えた反応容器１０中に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成する超臨界形成工程と、超臨界形成工程で形成された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態において電極１１，１２間に印加することによりプラズマ放電を発生させ周期表１４族元素の多結晶体を生成させるプラズマ放電工程と、を有する周期表１４族元素の多結晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＧＳＴ、ＧｅＴｅ、及び他の膜を非晶質の形態で、ただし比較的高い蒸着速度で形成する新規な方法を提供すること。
【解決手段】ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン前駆体は、ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン含有膜、例えば、ＧｅＴｅ、ＧＳＴ、及び熱電ゲルマニウム含有膜を形成するために、有用に使用される。これらの前駆体を用いて非晶質膜を形成する方法もまた記載されている。さらに、相変化型メモリー用途用のＧｅＴｅ平滑非晶質膜を形成するための、［｛ｎＢｕＣ（ｉＰｒＮ）₂｝₂Ｇｅ］又はＧｅブチルアミジネートの使用が記載されている。 （もっと読む）

原子層堆積法によって基板上に有機薄膜を形成する方法を開示する。この方法は、実質的に平行な細長チャネルに沿って一連のガス流を同時に方向付けする工程を含み、該一連のガス流は、順番に、少なくとも第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、第２反応ガス材料とを含み、任意選択的に複数回繰り返される、この際、該第１反応ガス材料は、該第２反応ガス材料で処理された基板表面と反応することができ、該第１反応ガス材料、該第２反応ガス材料、又はその両方は、揮発性有機化合物である。この方法は、有機薄膜の堆積中、実質的に大気圧で、又は大気圧を上回る圧力で、２５０℃未満の温度で実施される。
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【課題】被加工品および／または材料に良好に付着した被覆を提供する。
【解決手段】本発明は、被加工品および／または材料に被覆をする方法であって、以下の工程を含む方法に関する：接着層の塗布、および高強度の最上層のプラズマ被覆による塗布。
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【課題】
特に薄型多結晶シリコン基板を用いて高変換効率を実現する光電変換素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】
一導電型領域と逆導電型領域とを有する多結晶半導体基板１３と、多結晶半導体基板１３の一導電型領域側の主面の少なくとも一部に形成され、且つ、水素を含有する絶縁層１６と、絶縁層１６を介して多結晶半導体基板１３上に形成された一導電型を示す薄膜層１８とを有する光電変換素子とする。 （もっと読む）