【課題】電流密度の低下をより確実に抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極１０は炭素基材２０と、ダイヤモンド層３０とを含んでいる。ダイヤモンド層３０は、ダイヤモンド種結晶３１と、このダイヤモンド種結晶３１から成長するとともに炭素基材２０表面を被覆する成長層３２とを含んで構成される。成長層３２は、ダイヤモンド種結晶３１の下方に、ダイヤモンド種結晶３１から成長し、炭素基材２０と接する成長領域３２１を含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】第１シャフト２の雄スプライン部４の表面（第１シャフト２の基材２Ａの表面）は、被膜１４によって被覆されている。被膜１４は、第１シャフト２の基材２Ａの表面を被覆するＤＬＣ膜１５と、基材２ＡとＤＬＣ膜１５との間に介在する中間層１６とを備えている。中間層１６は、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。ＤＬＣ膜１５には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を向上させた、信頼性の高いアルミニウム素線およびこれを備えた被覆電線を提供することにある。
【解決手段】複数本撚り合わせることにより、アルミニウム撚り線１５として用いるアルミニウム素線１０である。アルミニウム素線１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム線材１１の表面に、非晶質炭素被膜１２が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】導電性ダイヤモンド電極の製作コストを低減するとともに、導電性ダイヤモンド電極の検出感度を向上させる。
【解決手段】導電性ダイヤモンドパウダーと絶縁性バインダとを含有するＢＤＤインク６をカーボンペースト５（集電体）上に堆積させて導電性ダイヤモンド電極１を作製する。導電性ダイヤモンドパウダーは、ダイヤモンド粒子の表面にホウ素をドープしたダイヤモンド層を形成することで構成される。ＢＤＤインク６に混合する導電性ダイヤモンドパウダーは、絶縁性バインダの体積に対する導電性ダイヤモンドパウダーの体積比が２０％以上９０％以下となるように混合する。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度の均一性および結晶性に優れたｎ型ダイヤモンド半導体層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、（１００）面から＜０１１＞±１０度方向に１０度以上４０度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板と、上記面上に形成され、リン（Ｐ）を含有するｎ型ダイヤモンド半導体層と、を備える。実施の形態の半導体装置の製造方法は、（１００）面から＜０１１＞±１０度方向に１０度以上４０度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板を準備し、上記面上に、エピタキシャル成長により、リン（Ｐ）を含有するｎ型ダイヤモンド半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも２種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるＤＬＣ膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体１ａと、部品本体１ａの表面に形成された表面硬化層１ｂと、表面硬化層１ｂ上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜３と、表面硬化層１ｂとダイヤモンドライクカーボン膜３との間に設けられたチタン層２とを有する。表面硬化層１ｂは、チタン酸化物層である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させるに際し、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンドにおいて基板のダイヤモンドの欠陥に由来する欠陥を極力低減すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板上の欠陥の位置に、幅と深さのアスペクト比（深さ／幅）２以上の溝又は穴を形成した単結晶ダイヤモンド基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶ダイヤモンド膜を形成してなり、前記溝又は穴の部分が空孔として結晶内部に残っていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】摩擦接触面に、形状や高さが均一でエッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成される無機質膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層４０を形成するステップと、金属層４０にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層４０の突起部を形成するステップと、突起部４０を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマＣＶＤ法を用いて突起部４０の間の成膜面に、突起部４０に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部４０を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。 （もっと読む）