【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層とＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上部層のＡｌ_２Ｏ_３粒について、（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、隣接する測定点からの測定傾斜角の角度差が５度以上である場合に異なる結晶粒であるとして結晶粒を特定し、個々の結晶粒のアスペクト比を求めた場合、アスペクト比が５未満である結晶粒が面積比で１０〜５０％、アスペクト比が５以上である結晶粒が面積比で５０〜９０％を占め、また、結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、アスペクト比が５未満の結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度未満、一方、上記アスペクト比が５以上である結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度以上を示す。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】下部層がＴｉ化合物層、上部層が柱状結晶組織のＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着した表面被覆切削工具であって、下部層の最表面層が、５００ｎｍ以上の層厚を有するＴｉＣＮ層からなり、該ＴｉＣＮ層の層厚方向５００ｎｍまでの深さ領域にのみ平均含有量０．５〜３原子％の酸素が含有され、また、下部層直上におけるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の横方向平均粒径は０．１〜０．３μｍであり、上部層の上方におけるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の横方向平均粒径は０．５〜１．０μｍであって、しかも、上部層全体のＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒について、工具基体表面の法線に対する（０００１）面の法線がなす傾斜角が０〜１０度であるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が、全体で４５面積％以上、界面から上部層の膜厚１μｍ未満では（０００１）配向が１０%未満、（０２−２１）配向が３０%以上である。 （もっと読む）

【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層が化学蒸着された下部層と上部層とからなり、（ａ）前記下部層は、少なくとも１層のＴｉの炭窒化物層を含み、かつ、３〜２０μｍの合計平均層厚を有する１層または２層以上からなるＴｉ化合物層、（ｂ）前記上部層は、１〜２５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層、であり、前記下部層を構成する少なくとも１層のＴｉの炭窒化物層は、柱状縦長成長ＴｉＣＮ結晶組織を有しており、その組織内に微粒ＴｉＣＮが分散分布している構成とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速重切削、高速断続切削ですぐれた耐剥離性、耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】下部層がＴｉ化合物層、上部層がα型Ａｌ_２Ｏ_３層からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる表面被覆切削工具であって、下部層直上のＡｌ_２Ｏ_３結晶粒の３０から７０％は（１１−２０）配向Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒からなり、上部層の全Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の４５％以上は、（０００１）配向Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒からなり、さらに好ましくは、下部層の最表面層は、５００ｎｍまでの深さ領域にわたってのみ０．５から３原子％の酸素を含有する酸素含有ＴｉＣＮ層からなり、また、下部層最表面層の酸素含有ＴｉＣＮ結晶粒数と、下部層と上部層の界面におけるＡｌ_２Ｏ_３結晶粒数との比の値が０．０１から０．５である表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性を備え、基材、ポリマー層及びガスバリア層間の密着性が向上し、屈曲耐性及び環境耐性に優れたガスバリア積層体とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材Ｆ上に、少なくともガスバリア層Ｇ−１、Ｇ−２とポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３とを有し、該ポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３の少なくとも１層が該ガスバリア層Ｇ−１、Ｇ−２の少なくとも１層に隣接し、該ポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３の該ガスバリア層Ｇ−１、Ｇ−２との接触界面における平均炭素含有量が該ポリマー層Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３の平均炭素含有量より小さいガスバリア積層体１。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼等の難削材の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）１〜１５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層からなる中間層、（ｃ）５〜１６μｍの平均層厚の縦長成長結晶組織をもつ改質Ｔｉ炭窒化物層からなる上部層、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の硬質被覆層が化学蒸着により形成された表面被覆切削工具において、（ｄ）上部層を構成する改質Ｔｉ炭窒化物層は、層厚方向に沿って０．５〜４．０μｍの間隔をおいて、酸素含有量のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％であり、しかも、該ピーク位置におけるＺｒ含有量は、０．８〜１．５原子％である酸素、Ｚｒ濃化領域を少なくとも１つ備える。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、かつ良好な透明性、ガスバリア耐性を備えた透明ガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】基材上に少なくとも低密度層及び高密度層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該低密度層と該高密度層との間に、１層以上の中密度層を有することを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法の提供。
【解決手段】本シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法は、半導体産業において半導体装置製造に用いられる。本発明によると、ＵＨＶＣＶＤシステムを使用してGeフィルムをSi基板上に成長させ、その後、高電子移動度トランジスタを該Geフィルム上に成長させることで、バッファ層の厚さとコストを低減する。該Geフィルムの機能は、Si基板上にＭＯＣＶＤによりIII-Ｖ ＭＨＥＭＴ構造を成長させるときに、シリコン酸化物の形成を防止することである。本発明においてＭＨＥＭＴを使用する理由は、ＭＨＥＭＴ構造中の変成バッファ層がGeとSi基板間の非常に大きな格子不整合度のために形成される貫通転位をブロックし得ることにある。 （もっと読む）