【課題】優れた耐摩傷性を備えたトップコート層が、アンダーコート層を介して、樹脂基材の表面に、十分に高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材１２の表面に積層されたアンダーコート層１４上に、無機珪素化合物のスパッタ層からなる基層部１８と、無機珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部２０との複層構造を有するトップコート層１６を更に積層形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】 高耐擦傷性ハードコート層などのような硬度の高い層であっても容易に積層可能であり、かつ高硬度、高耐擦傷性と柔軟性と、を同時に兼ね備えた高耐擦傷性ハードコートフィルムを提供する。
【解決手段】 基材フィルムに、紫外線硬化型樹脂よりなる第１ハードコート層と、有機無機ハイブリッド樹脂よりなるアンカーコート層と、化学蒸着実行時に有機珪素系又は有機アルミニウム系の反応ガスを用いて成膜して得られる高耐擦傷性を有する第２ハードコート層と、を備えた構成を有する高耐擦傷性ハードコートフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥がれ、空隙などの欠陥が少ない光導波路を有した固体撮像素子や、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０中に形成され光電変換により電荷を生じる受光部２と、基板１０上の受光部２に隣接する位置に形成されて受光部２が生じた電荷の転送を行う転送電極１２と、転送電極１２上に形成される上部構造１４〜１６と、をそれぞれ形成する。さらに、少なくとも受光部２の直上かつ上部構造１４〜１６に挟まれた空間に、光導波路１８を形成する。このとき、光導波路１８を成す材料を、少なくとも第１ステップ及び第２ステップにより成膜するが、第１ステップは、第２ステップよりも前に行い、第１ステップにおける成膜速度を、第２ステップにおける成膜速度よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】固体電解質型二次電池に於いて、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュール、及び製造方法を提供する。
【解決手段】正極４を酸化ケイ素(シリカ)、負極６を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素などとし、電極にゼオライトを混合した固体電解質をコーティングした後、両電極を貼り合わせることにより、単位電池を迅速に組立製造できる。単位電池を直列に接続してから、シリコンゴム板とカバーを加圧可能なボルトで締めて密封する。 （もっと読む）

【課題】電極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極に酸化ケイ素さらにゼオライトを含む固体電解質を、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュールを提供する。
【解決手段】正極を二酸化ケイ素とし、負極を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素又は金などとし、正極と負極との間に非水電解質を採用するシリコン二次電池を製造するために、電極リード金属２を基盤１にスパターリングした後、陽極に二酸化ケイ素、陰極に窒化ケイ素を、該基盤に、スパターリングで薄膜を作成し、シリコン化合物粉末にゼオライトを混合して、紫外線(ＵＶ)、又は約１３０℃に加熱し印刷するか、又は大気圧プラズマ化学蒸着法(ＰＥＣＶＤ)を使用して各電極４,６を製膜し、当該電極にゼオライトを混合した固体電解質５をコーティングし、両電極を接合して単位セルを作成する。 （もっと読む）

【課題】低温領域において適正な特性を有するＳｉＣ系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法，基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】炭化珪素膜はアルゴンキャリアガスと、水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる減圧ＣＶＤ法で成膜される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの上部電極上に形成される充填膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成された下部電極１４と、下部電極１４上に形成された容量絶縁膜１５と、容量絶縁膜１５上に形成された上部電極１６と、上部電極１６の表面に形成された表面改質層と、表面改質層上に形成された充填膜１８を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】受光部への光入射効率を悪化させることなく、金属コンタミネーション起因による白傷を低減する。
【解決手段】複数の受光部３の上方で、パターニングされた３層の導電層（ここでは金属層の第３配線７ｃ）上の第４絶縁膜６ｄ上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを、金属コンタミネーション起因による白傷を抑制するように７００Ｗ〜１５００Ｗに設定するプラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜８を成膜するパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜８から水素を脱離させるシンター処理を行うシンター処理工程とを有している。このパッシベーション膜８は、その膜厚が５０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）