化学；冶金 | 金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 | 金属質への被覆；金属材料による材料への被覆；表面への拡散，化学的変換または置換による，金属材料の表面処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般 | ガス状化合物の分解による化学的被覆であって，表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの，すなわち化学蒸着 | 被覆の方法に特徴のあるもの | ガスを反応室に導入するため，または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの

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【課題】別途加熱手段を設けることなく、真空室に送り込む原料ガスを加熱するとともに、基板を適切に加熱することで、安定して基板上に膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを内部に配置するとともに所定の真空度を維持し得る加熱室１３を有して、熱化学気相成長法により基板Ｋに原料ガスＧを供給してカーボンナノチューブを成長させる熱ＣＶＤ装置であって、基板Ｋの上方で且つ加熱室１３内に配置されて基板Ｋを加熱する加熱装置２１と、この加熱装置２１の上方に配置されて加熱装置２１により加熱される渦巻状の被加熱部３３を有するとともに基板Ｋの下方から原料ガスＧを供給するガス供給管３１とを具備したことを特徴とする。

【課題】 比較的高い成膜速度で、特性ムラおよび欠陥の少ない良好な堆積膜を形成する。
【解決手段】 円柱状または円筒状の複数の基体の外周面に堆積膜を形成する堆積膜の形成方法であって、複数の前記基体を、各中心軸を平行にして、隣り合う前記基体間で前記外周面同士を間隙をおいて対向させた状態で、反応室内に配置する第１ステップと、該反応室内に前記堆積膜の原料ガスを連続的に供給するとともに排出する第２ステップと、隣り合う前記基体を前記中心軸回りに互いに逆方向に回転させて、前記間隙に流れ込む前記原料ガスの流れを生じさせる第３ステップと、対向する前記外周面間に電圧を印加して前記原料ガスを分解し、分解生成物からなる堆積膜を前記外周面に堆積させる第４ステップと、を含むことを特徴とする堆積膜の形成方法を提供する。

【課題】従来よりも低温でシリコン含有窒化膜を成膜することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハにＳｉＮ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ウエハが収容される処理室に、ＤＣＳ（ジクロロシラン）を供給するシラン系ガス供給工程と、前記シラン系ガスの供給と同時ではないタイミングで、前記処理室にＮＨ_３（アンモニア）を供給する窒化ガス供給工程と、前記処理室にＴＥＡ（トリエチルアミン）を供給するアミン系ガス供給工程と、前記処理室の前記シラン系ガスまたは前記窒化ガスを排気する排気工程と、を有し、前記アミン系ガス供給工程は、前記シラン系ガス供給工程及び前記窒化ガス供給工程と合わせて行う。

【課題】優れた制御性および再現性を実現しつつ、結晶中の面内方向および膜厚方向に均一に珪素が高濃度にドーピングされたＩＩＩ族窒化物結晶を製造できる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板を準備する工程と、ＩＩＩ族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて該下地基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる成長工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、前記成長工程で結晶成長炉にさらにハロゲン元素含有物質及び珪素含有物質を同一の導入管から供給するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。

【課題】基板表面へ供給される活性種の濃度を増大させ、基板処理工程の効率や生産性を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を所定の間隔で多段に積層して収容する処理室と、該処理室内で処理ガスを基板の表面へ噴出する複数のガス噴出口が設けられ基板の積層方向に沿って延在するガスノズル２７０ａと、を備え、前記ガス噴出口から噴出する処理ガスを活性化させて基板に供給するガス活性化部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを、前記ガスノズル２７０ａの外側に、前記処理ガスの流れが基板の外周縁に対して垂直となるように通過可能な隙間を空けながら、前記ガス噴出口を囲むように、有する。

【課題】複数の導入管を通じてガス導入が行える半導体製造装置において、薄膜の膜厚、濃度の面内分布をより均一化できるようにする。
【解決手段】チャンバー１５に対して複数のガス導入配管２５３ａ〜２５３ｅを接続し、各ガス導入配管２５３ａ〜２５３ｅに対してフローメータ２５４ａ〜２５４ｅを備えた構成とする。これにより、ガスの導入場所に応じて独立してガス流量を制御でき、半導体基板６０に対して形成される薄膜の膜厚、濃度の面内分布を同時に均一化することが可能となる。特に、バッチ処理を行う場合にも、多数の半導体基板６０に対して形成される薄膜の膜厚、濃度の面内分布を均一化を図ることが可能となる。

【課題】本発明は、ガスの流速、濃度を、被処理基板面内或いは基板間の膜厚の変動に対して、領域ごとに制御を行うことが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】側壁面のガス導入口２０・２１から原料ガスが導入されるガス室２０１・２１１と、成長室１１とを備え、ガス室２０１・２１１の内部には、当該内部を積層方向に複数に区画し且つガスが通過可能な開口２６１’・２６２’が形成された１つ以上の仕切り板２６１・２６２と、各仕切り板に対して、一端が当該仕切り板の開口２６１’・２６２’を含む底面に取り付けられ且つ他端がガス室２０１・２１１の最下流層の端部まで延伸されて、ガスの流れを積層方向に垂直な方向に分割する隔壁２７とが設けられ、隔壁２７により分割された最下流層の領域ごとに、ガス整流室２１２・２７２及び当該ガス整流室を経たガスを成長室１１に吐出するガス吐出口が設けられている。

【課題】要求される処理プロセス性能に応じて必要とされる処理ガスの供給状態の実現可能性を増大させることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、処理室内の載置台の上方に位置する空間に、処理室の側壁から処理室の中心に向くように処理室内に突出するとともに、突出方向先端部と側壁部にガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、ガスノズルを、夫々突出方向に沿った当該ガスノズルの中心軸の回りに回転させる回転機構とを具備している。

【課題】被処理体を支持する支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制して形成される薄膜の膜厚の面内均一性及び膜質の改善を図ることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】処理ガスを一側から他側に向けて水平方向に流すようにした処理容器構造内で処理すべき複数枚の被処理体Ｗを支持する支持体構造において、天板部９２と、底部９４と、天板部と底部とを連結し、被処理体を支持する複数の支持部１００がその長さ方向に沿って所定のピッチで形成されると共に複数の支持部の内の最上段の支持部と天板部９２との間の距離と複数の支持部の内の最下段の支持部と底部９４との間の距離とが共に支持部間のピッチ以下の長さに設定されている複数の支持支柱９６とを備える。これにより、支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制する。

【課題】緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率の低い金属膜を形成する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することである。
【解決手段】基板が収容された処理室に、第１の原料を供給して前記基板の表面に前記第１の原料を吸着させる第１の工程と、前記第１の原料が前記基板の表面で飽和吸着する前に、前記処理室に前記第１の原料とは異なる反応ガスを供給して、前記基板に吸着した第１の原料と反応させる第２の工程と、前記処理室内の雰囲気を除去する第３の工程と、前記処理室に前記第１の原料を改質する改質ガスを供給して、前記基板に吸着した前記第１の原料を改質する第４の工程と、を行うことで前記基板の表面に１原子層未満の膜を形成する。

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