説明

国際特許分類[C23C16/458]の内容

国際特許分類[C23C16/458]に分類される特許

1 - 10 / 620



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285

【課題】安価な構成であり、被処理基板におけるプラズマ処理の面内均一性を良好にすることができる被処理基板支持構造を提供する。
【解決手段】被処理基板支持構造31は、円板状の部材であって、その上に被処理基板Wを載置するようにして支持する支持台33と、円筒状の部材であって、支持台33の下方側に一方端部が取り付けられるシャフト部32と、支持台33内に設けられるヒータ36とを備える。支持台33は、第一の熱伝導率である部材から構成されている。シャフト部32は、第一の熱伝導率以上の第二の熱伝導率である部材から構成されている。支持台33の内部であって、シャフト部32の一方端部が支持台33に取り付けられる連結部40に対して距離を開けて連結部40の上側に位置する部分には、第一の熱伝導率よりも低い第三の熱伝導率である断熱部41が設けられている。 (もっと読む)


【課題】化学蒸着を実施するための反応炉を提供する。
【解決手段】化学蒸着またはエピタキシャル層成長反応炉は反応チャンバを含んでいる。少なくとも1つの基板キャリアと基板キャリアを支持するためのサポータとが反応チャンバ内に設けられている。基板キャリアは第1面と第2面とを含んでいる。基板キャリアの第2面には少なくとも1つの内向きに窪んだ凹部が設けられている。サポータは、サポータは、スピンドル部と;スピンドル部の一端に接続されて、スピンドル部の外周から外向きに延びた支持部であって、支持部が支持面を含んだ支持部と;スピンドル部に接続されて、基板キャリアの第1面に向かって所定の高さだけ延びたプラグイン部と、を含み、サポータのプラグイン部は取外し可能に凹部内に挿入され、基板キャリアがサポータ上に配置され且つサポータによって支持されることを可能にしている。 (もっと読む)


【課題】基板とそれを載置する冶具との間の貼り付きを防止する成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室であるチャンバ103内に配置された冶具であるサセプタ102上に基板101を載置し、サセプタ102を上部で支持する円筒部104aを備えた回転部104を回転させながら、ガス制御部140の制御によって、チャンバ103内へ原料ガス137を供給する。併せて、円筒部104aにパージガス151を供給し、パージガス151が基板101とサセプタ102の間から抜け出るようにすることによって、基板101の少なくとも一部がサセプタ102から浮いた状態で回転するようにし、基板101の上に所定の膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】基板保持部品の交換に掛かるコストの削減を実現できると共に半導体製造のスループットを向上させることができるサセプタ及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板の表面をその下方の反応ガス流路に臨ませて基板の表面に半導体膜を気相成長させるフェースダウン型の半導体製造装置に用いられるサセプタにおいて、基板を支えるツメ部品が着脱自在に設けられるものである。 (もっと読む)


【課題】 急激な加熱に起因するサセプタの割れ、大型化による機械的強度の低下に起因するサセプタの割れを防止することが可能なサセプタ及びそれを用いた気相成長装置を提供する。
【解決手段】 中央部の孔、及び周辺部に基板ホルダーを収納するための孔を有するサセプタであって、中央部の孔と基板ホルダーを収納するための孔の間にスリットが設けられてなるサセプタとする。また、基板ホルダーを収納するためのサセプタ、該サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、該反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置であって、前記のサセプタを用いた気相成長装置とする。 (もっと読む)


【課題】サセプタの面内温度分布の均一化を図りつつ、サセプタを安定して支持した状態で回転させる。
【解決手段】成膜室1と、成膜室1内に成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド20と、成膜室1内において被処理基板3を加熱するヒータ6とを備える。また、成膜室1内において被処理基板3が載置される回転可能なサセプタ4と、サセプタ4の縁を下方から断熱部材12を介して支持する支持部11と、サセプタ4に回転力を伝達する回転軸5とを備える。回転軸5は、サセプタ4側の端部において、この回転軸5の中心軸から偏心した位置に突起部を有する。サセプタ4は、突起部が遊挿される凹部を下面に有する。 (もっと読む)


【課題】基板のゆがみや破損を防止する有機金属化学気相成長(MOCVD)法および装置を提供する。
【解決手段】有機金属化学気相成長(MOCVD)法は、第1表面に金属系材料層が配置された基板を提供することと、金属系材料層が基板とベースの間に介するように基板をチャンバー内のベースの上に配置することと、第1表面の反対側にある基板の第2表面にMOCVDプロセスを行うこととを含む。金属系材料層と基板の間の熱伝導率の差は、1W/m℃〜20W/m℃の範囲内であり、金属系材料層と基板の熱膨張係数は、同一等級である。 (もっと読む)


【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに1回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート107を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材39と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具8であって、前記電極部材は、プラズマCVD装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板の位置決め精度が向上すると共に、プロセスへの影響が低減する基板の載置構造及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内側に収容する複数の貫通孔と、貫通孔の内壁の3箇所に突設され、基板を上面に保持する保持部とを備える基板トレイと、貫通孔に対応して突設された複数の載置台11と、保持部に対応して、載置台11の外周部分の3箇所に形成され、保持部を収容する切欠部13とを備える載置板10とを有し、基板トレイを載置板10上に載置すると、貫通孔の内側に載置台11が配置されて、基板が載置台11の上面に各々載置される基板の載置構造において、載置台11の外径を基板の外径より大きくすると共に、大きくした載置台11の外周部分に基板の外縁を案内するガイド12を設けた。 (もっと読む)


1 - 10 / 620