説明

国際特許分類[C23C16/52]の内容

国際特許分類[C23C16/52]に分類される特許

1 - 10 / 547



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285

【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し(S5)、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合(S6)、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し(S7→S8)、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する(S7→S2)。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ搬入時にウェーハのエッジが反って非接触搬送部材と接触し、スクラッチ傷が発生することを防止する。
【解決手段】反応炉10のカメラ取り付け穴18にカメラ14を取り付け、反応炉10内のウェーハを撮影可能な状態とする。次に、予め所定のウェーハ投入温度に設定された反応炉10内にウェーハWを搬入し、サセプタ11上に載置する。このとき、ウェーハWのエッジが一時的に反り上がるので、この状態をカメラ14で撮影する。そして撮影した画像からウェーハWの反り量を求め、さらにこの反り量に基づいて非接触搬送部材と接触することがない反り量となる適正なウェーハ投入温度を求める。その後、ウェーハWと同一品種を処理する場合に、反応炉10内をこの適正なウェーハ投入温度に設定する。 (もっと読む)


【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置1は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ5に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置1であって、
サセプタ5の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置3を有し、サセプタ載置判定装置3は、回転するサセプタ5における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置22と、位置測定装置22の計測値を入力してサセプタ5の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段47とを備えたことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するN+1個の補正量計算ユニットと、N番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するN個の操作変数追加ユニットとを備え、N番目の操作変数追加ユニットは、N+1番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をN+1番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 (もっと読む)


【課題】温度設定の制御を適正化することにより温度安定待ち時間を短縮する。
【解決手段】複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置1の温度制御方法であって、プラズマ処理装置1の処理容器10内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第1の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第2の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、気相成長装置内の汚染不純物の種類によってモニタウエーハの導電型を使い分ける必要なく、高感度で正確に清浄度を評価することのできる気相成長装置の清浄度評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、
前記気相成長装置を用いて、シリコンウエーハ上に導電型がP型のエピタキシャル層とN型のエピタキシャル層を順不同で連続して成長させたモニタウエーハを製造して、該モニタウエーハのライフタイム値を測定し、
前記モニタウエーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 (もっと読む)


【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、ゲート開度を調整することによってガス配管のガス圧力を調整するバルブと、前記バルブに接続された軸部と、ガイド部と、前記軸部を軸回転させる回転駆動部と、ガス配管内のガス圧力が所望のガス圧力となるよう前記回転駆動部を制御する制御部と、を備えている。前記ガイド部は、前記軸部を支持するとともに、前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させる。また、前記ガイド部は、前記軸部を囲う筐体と、一方の端部が前記筐体に固定配置されるとともに他方の端部が前記ねじ溝に接触する固定ピン部と、を有している。前記軸部は、1本のねじ溝に複数種類のピッチが設けられ、且つ前記ねじ溝が前記固定ピン部と接触した状態で回転しながら軸方向に移動する。 (もっと読む)


【課題】流量制御機器の流量精度を常時監視しつつ、必要な場合には、再検定又は流量監視ユニット自体の自己診断を含む、より信頼性の高い流量検定を行う。
【解決手段】ガスを流量制御機器を経由してから所定のプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスラインに配設し、流量制御機器の前後におけるガス圧の下降又は上昇を測定することで流量制御機器の流量監視を行うガス流量監視システムにおいて、プロセスガスラインの内、選択した任意のプロセスガスラインの流量制御機器の上流側流路に備える第1流量監視ユニットと、プロセスチャンバの上流側流路から分岐する排出流路に備える第2流量監視ユニットと、第1流量監視ユニットによって流量制御機器の流量を常時監視するとともに、第1流量監視ユニットが複数回流量異常と検知した時に第2流量監視ユニットによって流量制御機器の流量異常の有無を再検定するよう指令する制御部とを有する。 (もっと読む)


1 - 10 / 547