本発明は、スルホン化されてもめっき性にはならない第１のポリマー樹脂部分と、スルホン化されてめっき性になる第２のポリマー樹脂部分とを含むプラスチック物品に対して選択的にめっきを施す方法に関する。前記方法は、前記プラスチック物品をスルホン化する工程と、スルホン化されたプラスチック物品がめっきを受容するようにスルホン化された前記プラスチック物品を活性化する工程と、スルホン化及び活性化された物品に無電解めっき浴中でめっきを施す工程とを含む。前記プラスチック物品は、第１のポリマー樹脂部分にはめっきが施されず第２のポリマー樹脂部分には無電解的にめっきが施されるように選択的にめっきされる。 （もっと読む）

本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって：この基体上に、少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と；少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも１つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン（単数または複数）を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化／還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＡＢＳ樹脂成形品の機械特性を損なうことなく、成形加工時の溶融流動性が改良された熱可塑性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】ジエン系単量体単位、芳香族ビニル単量体単位及びシアン化ビニル単量体単位を含有する重合体（Ａ）、芳香族ビニル単量体単位及びシアン化ビニル単量体単位を含有する重合体（Ｂ）、並びに、アルキル（メタ）アクリレートを含有する単量体成分（ｒ）を重合して得られるガラス転移温度が２５℃以下の重合体（Ｒ）の存在下で、芳香族ビニル単量体及びシアン化ビニル単量体を含有する単量体成分（ｇ）を重合して得られ、クロロホルムに対する可溶成分が９０質量％以上であり、クロロホルムに対する可溶成分の質量平均分子量が１０，０００〜１００，０００であるグラフト重合体（Ｃ）を含有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子（単一粒子）で存在している割合が高く、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。この導電粒子は、樹脂粒子の表面に対し、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理工程、メラミン吸着処理が施された樹脂粒子の表面に、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び触媒化処理工程が施された樹脂粒子の表面に、無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。 （もっと読む）

【解決手段】主金属イオン、次亜りん酸イオン、上記主金属イオンの錯化剤、及び亜りん酸イオンを含む無電解めっき液を陽イオン交換樹脂に通液し、金属イオンを分離した次亜りん酸イオン及び亜りん酸イオンを含む脱金属めっき液を通過させる処理と、上記陽イオン交換樹脂に吸着した金属イオンを溶離液にて溶離させ、主金属イオンを分離、回収する処理と、脱金属めっき液を電界透析処理して次亜りん酸イオン及び１価錯化剤イオンを含む１価アニオン溶液と、亜りん酸及び２価以上の錯化剤イオンを含む多価アニオン溶液とに分離する処理とを有する無電解めっき液の再生方法。
【効果】本発明によれば、金属イオン、次亜りん酸イオン及び１価の錯化剤イオンを効率よく回収し得ると共に、亜りん酸やめっき液中に存在する不純物金属イオンを効率よく分離することができる。 （もっと読む）

【課題】配線間リーク電流の増加を抑制できる配線構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられ、シリコン、酸素、炭素および水素を含む、配線溝５が形成された絶縁膜３,４と、配線溝５内に設けられた金属配線８と、金属配線８の上面に選択的に形成されたメタルキャップ１０とを具備してなり、絶縁膜４は、その表面を含む第１の領域と、第１の領域下の第２の領域とを備えており、前記第１の領域の炭素濃度は前記表面から深くなるに従って減少し、前記第２の領域内の炭素濃度は、前記第１の領域との界面から一定距離の深さまでは深くなるに従って減少し、前記一定の距離減を越えると深くなるに従って増加し、前記表面における炭素濃度を超えることを特徴とする。 （もっと読む）

金属で部分的にコーティングすることのできる易金属化組成物と難金属化組成物とを含むあるタイプの２ショット成形物品、および物品の製造方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】ＶＧＣＦ（商標）のような大きなサイズのＣＮＴであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ｎｉ−Ｐめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】無電解Ｎｉ−Ｐめっき液へのＶＧＣＦ（商標）（市販の直径１５０ｎｍ前後、長さ１０〜２０μｍ程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ）の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてＮｉ−Ｐめっきを施すめっき方法。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂基材上に、密着性が優れる導体膜を容易かつ低コストで形成する。
【解決手段】ポリイミド樹脂基材のめっき対象部とアルカリ性溶液とを接触させることにより、めっき対象部のポリイミド樹脂基材のイミド環を開環させる処理が行われる。次いで、当該ポリイミド樹脂基材が、ポリピロール主鎖を有する重合体からなる被膜を備えた金属微粒子を分散させた酸性分散液に浸漬される。当該浸漬により、ポリイミド樹脂基材のめっき対象部に、上記被膜を備えた金属微粒子が付着する。続いて、被膜を備えた金属微粒子がめっき対象部に付着したポリイミド樹脂基材が、少なくとも前記被膜および前記金属微粒子が溶融する温度で加熱される。そして、加熱したポリイミド樹脂基材のめっき対象部に無電解めっき膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】塩素イオンを１〜１５ｐｐｍ含む無電解銅めっき液を用いてめっきを行う。また、さらに例えばビス−（３−スルホプロピル）ジスルファイドのような、分子量５０以上２０００以下の硫黄系有機化合物を含有するめっき液を用いる。 （もっと読む）