国際特許分類[C23C18/31]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | 液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ (2,675) | 還元または置換によるもの,例.無電解メッキ (2,437) | 金属による被覆 (1,076)
国際特許分類[C23C18/31]の下位に属する分類
鉄,コバルトまたはニッケルのうちいずれか一種による被覆;これら金属の1つとりんまたはほう素の混合物で被覆するもの (257)
銅による被覆 (116)
貴金属による被覆 (215)
国際特許分類[C23C18/31]に分類される特許
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半導体基板上へ金属を無電解堆積するための装置
【課題】無電解堆積システムを提供する。
【解決手段】システムは処理メインフレームと、そのメインフレーム上の少なくとも1つの基板洗浄部と、そのメインフレーム上に位置する無電解堆積部を含む。無電解堆積部は、環境が制御された処理筐体と、基板の表面を洗浄及び活性化するために配置された第1処理部と、基板表面に層を無電解で堆積するために配置された第2処理部と、第1処理部と第2処理部の間で基板を搬送するために位置する基板搬送シャトルを含む。システムは、メインフレーム上に位置し処理筐体の内部にアクセスするために配置された基板搬送ロボットも含む。システムは、処理筐体に搭載された基板へ噴霧プロセスを使用することにより、プロセス流体を搬送するように配置された流体搬送システムも含む。
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ニッケル−燐コーティングを有するころがり軸受
軌道面を有する少なくとも一つの軌道輪と転動要素を備えたころがり軸受。二硫化水素を含む環境での耐疲労特性を改善するために、ころがり軸受の関連部分がニッケル−隣コーティングを施されている。 (もっと読む)
無電解堆積のための装置
本発明の実施形態は、一般的に、流体処理プラットフォームを提供する。該プラットフォームは基板搬送ロボットを有するメインフレームと、該メインフレーム上の少なくとも1つの基板洗浄セルと、少なくとも1つの処理エンクロージャとを含む。該処理エンクロージャは、処理エンクロージャの内部と流体連通状態に位置決めされたガス供給源と、エンクロージャ内に位置決めされた第一流体処理セルと、第一流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第一基板ヘッドアセンブリと、エンクロージャ内に位置決めされた第二流体処理セルと、第二流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第二ヘッドアセンブリと、第一および第二流体処理セルの間に位置決めされ、流体処理セルとメインフレームロボットとの間で基板を移送するように構成された基板シャトルとを含む。 (もっと読む)
フェイスアップウェット処理用のウェーハ温度均一性を改善する装置
無電解堆積プロセス中の基板の温度を制御する方法及び装置。該装置は、流体配分部材より高い位置で基板を支持するように構成された堆積セルを含む。加熱された流体が該流体拡散部材から供給され、該基板の裏側に接触し、それによって該基板を加熱する。該加熱流体は、該基板の表面の全域で一定温度を維持するように構成されたアパーチャーから供給される。該方法は、該基板の表面の全域で一定の処理温度を生じるように構成されている構成で、加熱流体を拡散部材を介して該基板の裏側に向かって流すステップを含む。 (もっと読む)
多層配線構造の製造方法
【課題】高集積化、微細化されたパターンにおいて、ビアホール等を良好に埋め込み、かつ電気抵抗率の低い埋め込み型の多層配線構造を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法が、絶縁層に孔部を形成する工程と、孔部の表面に、物理的真空堆積法で、平均膜厚が0.2nm以上で10nm以下である触媒層6、または触媒層の平均膜厚が、触媒層の材料原子の1原子層以上で10nm以下である触媒層6、を形成する工程と、触媒層を触媒に用いた無電解めっき法により、孔部の表面に無電解めっき層7を形成する工程と、無電解めっき層をシード層に用いた電解めっき法で、孔部を電解めっき層8で埋め込む工程とを含む。
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活性化プレートを用いる集積回路の無電解及び浸漬メッキ
本発明は、集積回路のメッキ方法を提供する。活性化プレートが、少なくとも一つの集積回路に隣接して配置される。集積回路は、接着パッド金属からなる複数の接着パッドを備え、また、活性化プレートも前記接着パッド金属からなる。無電解ニッケル層は、接着パッド及び活性化プレート上にメッキされ、金層は、接着パッド及び活性化プレート上の無電解ニッケル層を覆うようにメッキされる。活性化プレートを用いてメッキされた接着パッドを有する集積回路、ならびに集積回路をメッキするシステムについても開示されている。
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半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法
【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム1上に接着剤層2を介して施された銅箔3の表面の全面にスズめっき層4を厚さ0.01〜0.2μm形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔3に微細配線パターン30を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト6を塗布した後、前記端子部分に、厚さ0.15〜0.80μmのスズめっき層4を形成し、加熱処理することにより、厚さ0.20μm以上のスズ−銅合金層5bと厚さ0.15〜0.80μmの純スズ層4bを形成する。
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プリント基板のめっき方法
【目的】 プリント基板のスルホール内壁面に無電解めっきを用いること無く銅めっきを施すダイレクトプレーティング法において、スルホール内面に付着した金属イオンを確実に還元でき、高品質のめっきを得られるプリント基板のめっき方法を提供することを目的とする。
【構成】 アクチベータ工程でコロイド微粒子あるいは金属イオンがスルホール内面に吸着されたプリント基板Pを、アクセラレータ工程においてアルカリ性還元浴に浸漬させて導電化皮膜を形成し、次いで、スタビライザ工程において酸性浴に浸漬させて導電化皮膜を安定化した後、このプリント基板Pに電気めっきを施すプリント基板のめっき方法であって、アクセラレータ工程のアルカリ性還元浴とスタビライザ工程の酸性浴20にそれぞれ電極部材82を配置し、該電極部材82を整流器83の陽極に、前記プリント基板Pをコンベア70のステンレス製ロールリング72を介して整流器83の陰極に接続し、該陰極と前記陽極との間に低電圧を印加して所定の電流を通電する弱電解処理を行うようにした。
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