説明した例の半導体デバイスは、半導体基板及び金属コンタクトパッドの上に形成される不活性化層を含む。ＥＮＩＧ無電解めっきプロセスを用いて不活性化層及び金属コンタクトパッドの上にニッケルが、ニッケルの上に金が堆積される。ニッケルは、ニッケルの不活性化層とのインタフェースに及びニッケルの不活性化層及び金属コンタクトパッドとの接合に多孔質ニッケルのない第１非多孔質ニッケル領域（２５０Ａ）を含み、第１ニッケル層の上の多孔質ニッケル領域（２７０）も含む。多孔質ニッケル層の上に金領域（２６０）がある。第２非多孔質ニッケル領域（２５０Ｂ）が多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。金リッチ・ニッケル領域（２７５）が、多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。堆積されるニッケル及び堆積される金の相対的厚さは、無電解金めっきプロセス中にニッケル層の腐食がデバイス層に達しないように選択される。

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【解決手段】統合された無電解堆積プロセスを含むプロセスを通して基板を処理する方法およびシステムは、堆積溶液を用いて基板の導電性フィーチャの上に層を堆積させるように、無電解堆積モジュールにおいて基板の表面を処理することを含む。その後、基板表面は、無電解堆積モジュールにおいて洗浄液で洗浄される。この洗浄は、表面の脱湿を防いで、洗浄液から形成される転移膜によって基板表面が被覆されたままとなるように、調節される。基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、無電解堆積モジュールから取り出される。基板表面の転移膜によって基板表面の乾燥を防ぐことで、ウェットな状態で取り出しが行われる。無電解堆積モジュールから取り出された基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、堆積後モジュールの中に移される。 （もっと読む）

【課題】導電性部品用材料として好適な低い接触抵抗を持つ導電性ステンレス鋼材を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼材表面の不動態皮膜を除去した後に、表面近傍のＦｅ、Ｃｒをイオン化傾向の違いを利用して、Ｎｉに置換析出させることで、電気めっき等の工程付加を必要とせず、且つ安定した導電性を確保した、ステンレス鋼材が得られる。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム用のニッケルメッキ液を提供する。
【解決手段】 フッ化水素酸及び／又はその塩、ニッケル塩並びに水を含有するニッケルメッキ液は、アルミニウム又はアルミニウム合金に対し、アルミニウム酸化膜を除去する前工程を経ることなくニッケルメッキすることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすること。また、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうこと。
【解決手段】複数枚の被処理ウェハ２が適当な間隔をおいて平行に並べられたウェハカセット３を、めっき槽１内へ、被処理ウェハ２が薬液表面に対して垂直となるように挿入する。また、めっき槽１の側壁には、薬液供給口４が設けられている。ポンプによって薬液供給口４からめっき槽１内へ供給された薬液を、薬液表面および被処理ウェハ２に対して平行な方向に流通させ、バッファー板６によって流れを整流してからウェハカセット３へ流す。 （もっと読む）

【課題】プラントを構成する炭素鋼部材の腐食をさらに抑制することができる炭素鋼部材の防食方法を提供する。
【解決手段】ニッケルイオン及びギ酸を含む薬液を、循環配管内に流れる皮膜形成水溶液に注入する（Ｓ４）。この皮膜形成水溶液をＢＷＲプラントの炭素鋼製の給水配管に供給し、給水配管の内面にニッケル金属皮膜を形成する。ニッケル金属皮膜が形成された後、鉄（II）イオン、ギ酸、ニッケルイオン、過酸化水素及びヒドラジンを含む皮膜形成水溶液を、給水配管に供給する（Ｓ５〜Ｓ７）。給水配管内でニッケル金属皮膜の表面にニッケルフェライト皮膜が形成される。その後、酸素を含む１５０℃以上の水をニッケルフェライト皮膜に接触させ、ニッケル金属皮膜をニッケルフェライト皮膜に変換する（Ｓ１０）。給水配管の内面に厚みの厚いニッケルフェライト皮膜が形成される。 （もっと読む）

本発明は、スルホン化されてもめっき性にはならない第１のポリマー樹脂部分と、スルホン化されてめっき性になる第２のポリマー樹脂部分とを含むプラスチック物品に対して選択的にめっきを施す方法に関する。前記方法は、前記プラスチック物品をスルホン化する工程と、スルホン化されたプラスチック物品がめっきを受容するようにスルホン化された前記プラスチック物品を活性化する工程と、スルホン化及び活性化された物品に無電解めっき浴中でめっきを施す工程とを含む。前記プラスチック物品は、第１のポリマー樹脂部分にはめっきが施されず第２のポリマー樹脂部分には無電解的にめっきが施されるように選択的にめっきされる。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得る手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、一面に無電解めっき電極膜１１０が形成された基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と無電解めっき電極膜１１０の一面とを接続するボンディングワイヤ１５０とを含む。ここで、無電解めっき電極膜１１０の一面のボンディングワイヤ１５０との接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】常温常圧で動作し、大きな酸素運搬能力を容易に出しえ、電解質の漏出など事故の問題が無い、酸素ポンプの提供。
【解決手段】金属コバルトを表面に有する多孔質のガス交換性の負極３と多孔質のガス交換性の正極２との間に、電解液を含浸させた多孔質セパレータ１とを有し、集電構造を介して外部直流電源より両電極２，３に給電して、互いに隔離された気相の負極側から正極側に酸素の移動を行うものであり、常温常圧で動作する水系溶剤を用い、極めて少ない量の電解質が含浸保持されるので、電解質の漏出などの恐れが無い。また、構造的に薄くやわらかく、大面積にして酸素運搬能力を大きくすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、導電部の表面はＮｉＳＯ_４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さい回路基板である。 （もっと読む）