国際特許分類[C23C18/32]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | 液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ (2,675) | 還元または置換によるもの,例.無電解メッキ (2,437) | 金属による被覆 (1,076) | 鉄,コバルトまたはニッケルのうちいずれか一種による被覆;これら金属の1つとりんまたはほう素の混合物で被覆するもの (257)
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還元剤を用いるもの (166)
国際特許分類[C23C18/32]に分類される特許
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導電粒子、その製造方法及び異方性導電接着剤
【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子(単一粒子)で存在している割合が高く、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。この導電粒子は、樹脂粒子の表面に対し、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理工程、メラミン吸着処理が施された樹脂粒子の表面に、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び触媒化処理工程が施された樹脂粒子の表面に、無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。
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炭素鋼部材へのニッケルフェライト皮膜形成方法
【課題】ニッケルフェライト皮膜の形成に要する時間をさらに短縮できる炭素鋼部材へのニッケルフェライト皮膜形成方法を提供する。
【解決手段】皮膜形成装置をBWRプラントの炭素鋼製の給水配管に接続する(S1)。
ニッケルイオン及びギ酸を含む薬液を、循環配管内に流れる、60〜100℃の範囲内の温度に加熱された皮膜形成水溶液に注入する(S4)。この皮膜形成水溶液が給水配管に供給され、給水配管の内面にニッケル金属皮膜が形成される。ニッケル金属皮膜が形成された後、鉄(II)イオン及びギ酸を含む薬液、過酸化水素及びヒドラジンを、ニッケルイオン及びギ酸を含む皮膜形成水溶液に注入する(S5〜S7)。鉄(II)イオン、過酸化水素、ヒドラジン、ニッケルイオン及びギ酸を含む皮膜形成水溶液が給水配管に供給される。給水配管内でニッケル金属皮膜の表面にニッケルフェライト皮膜が形成される。
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無電解ニッケルめっきのための前処理方法
本発明は、異常ニッケルめっきを抑制する、プリント配線板の銅の造形上へのニッケルの無電解めっき方法を開示する。該方法は、i) 銅の造形をパラジウムイオンで活性化する段階; ii) 過剰なパラジウムイオンまたはそれらから形成される沈殿物を、少なくとも2つの異なる種類の酸を含む前処理組成物を用いて除去する段階、その際、1つの種類は有機アミノカルボン酸である、およびiii) ニッケルの無電解めっきをする段階を含む。
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めっき液,凸状金属構造体を有する導電体基板、及び、その製造方法
【課題】導電体基板の表面に直接めっき法によって凸状金属構造体を形成できるめっき液およびめっきされた導電体基板を提供する。
【解決手段】導電体基板の表面に二次元的に成長した凸状金属構造体106を形成するためのめっき液であって、Cu,Niなどの金属イオンを含む金属塩,炭化水素からなる疎水基と該疎水基の末端に親水基を有する界面活性剤,前記金属塩と界面活性剤を溶解した水溶液とを含むめっき液、および、該めっき液を用いて凸状金属構造体106を形成した導電体基板。
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低温基板上の薄膜を還元する方法
基板上に導電性薄膜を作製する方法を開示する。まず、還元性金属化合物および還元剤を液体中に分散させる。次いで、この分散液を基板上に薄膜として堆積させる。続いて、この薄膜を基板とともにパルス電磁放射線に曝露し、還元性金属化合物と還元剤とを化学的に反応させて、薄膜を導電性にする。本発明は、薄膜において酸化還元反応を行うための活性化エネルギーを強力パルス光を用いて提供する方法である。このレドックス反応は、有機化合物による金属酸化物の還元であってもよく、低温基板上で行ってもよい。
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ダイヤモンド被膜ドクターブレード
特に印刷版の表面から印刷インキを掻き取るための、および/またはペーパドクターナイフとして使用するためのドクターブレード(100、200)が、長手方向に作用エッジ領域(113、213)が形成された平坦かつ細長い本体部分(111、211)を有し、少なくとも作用エッジ領域(113、213)は、ニッケル−リン合金を主成分とする第1の被膜(120、220)により覆われる。このドクターブレード(100、200)は、単結晶ダイヤモンド粒子および/または多結晶ダイヤモンド粒子(120.1、220.1)が、第1の被膜(120、220)中に分散され、ダイヤモンド粒子(120.1、220.1)の粒径が、5nm以上50nm未満であることを特徴とする。
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摺動部品およびその製造方法
【課題】耐磨耗性等の表面特性が優れた摺動部品、および耐磨耗性等に優れた摺動部品を得ることができ、さらにアルミニウム基材などの耐熱温度の低い基材に対しても適用することのできる摺動部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属基材と、該金属基材の表面に形成されたニッケル−タングステン合金めっき皮膜またはニッケル−モリブデン合金めっき皮膜と、該皮膜上に形成されたフッ化ニッケル膜からなる最表面層とを有する金属材料からなることを特徴とする摺動部品、および金属基材にニッケル−タングステン合金めっき処理またはニッケル−モリブデン合金めっき処理を行いニッケル−タングステン合金めっき皮膜またはニッケル−モリブデン合金めっき皮膜を形成させ、次いで該皮膜の表面層をフッ素化してフッ化ニッケル膜を形成させることを特徴とする摺動部品の製造方法。
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半導体上での光誘導めっき方法
【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度8000ルクス〜20,000ルクス、または例えば10,000ルクス〜15,000ルクスの光を、典型的には、0.25秒〜15秒間、より典型的には2秒〜15秒間、最も典型的には5秒〜10秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の20%〜50%、または例えば30%〜40%低減させる。
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多孔質体、および多孔質体の製造方法
【課題】触媒材料として有効な硫化ニッケルにおいて、触媒能を増強させるために3次元的な微細構造を備えた比表面積の大きい硫化ニッケル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に多孔質の銅メッキを形成するなどして作製した比表面積が100mm2/mm3以上の大比表面積を有する銅基材に対し、チオ尿素とニッケル成分を含むめっき液を付与して置換反応を起こすことにより、大比表面積の基材上に均一な硫化ニッケル膜が形成された多孔質体を得る。
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接続端子部およびその製造方法
【課題】ニッケルめっき被膜と金めっき被膜間で発生する剥離や金めっき被膜のフクレの発生を顕著に防止し、はんだ接合及びワイヤー接合等に優れた無電解金めっき被膜を有する接続端子部を提供する。
【解決手段】接続端子部の基材上に、無電解ニッケル又は無電解ニッケル合金からなるめっき被膜、置換型無電解金めっき被膜、還元型無電解金めっき被膜の順に積層した構造の被膜層を有する接続端子部であって、前記置換型無電解金めっき被膜のピンホールの数が、25μm2当たり3個以下であることを特徴とする接続端子部。
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