【課題】硬さや耐摩耗性を電鋳製品よりも向上させた金属部材とその成形型及びその製造方法を提供し、部材の長寿命化と磨耗の激しい部位での使用を可能にする。
【解決手段】本発明による金属部材は、無電解ニッケルめっきにより形成され、リン又はホウ素の内、少なくとも一種類の元素を含むことを特徴とし、析出時で硬度Ｈｖ＝７００程度を有しており、加熱によりＨｖ＝１０００程度まで上昇するので、耐磨耗性が向上すると同時に、微細構造に係るスベリを防止するので、クリープや応力緩和等の機械的特性を改善することができる （もっと読む）

【課題】ＳｉＮ_x及びＳｉのパターン化された構造を含む、太陽電池電極のための無電解ニッケルめっき溶液を提供する。
【解決手段】無電解めっき溶液は、ニッケルイオン；還元剤；第一キレート剤；第二キレート剤；及び水を含む。
【効果】無電解めっき溶液は、Ｓｉ及びＳｉＮ_xの間の高い選択性を有し、かつアルミニウム系の層に対して無害である。 （もっと読む）

【課題】銀ペーストを使用しないで無電解めっきによって太陽電池電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリコン基板を提供する；（Ｂ）シリコン基板を活性剤と接触させる、ここで活性剤は貴金属又は貴金属化合物、増粘剤及び水を含む；（Ｃ）シリコン基板を洗浄剤で洗浄する；及び（Ｄ）無電解系めっきを実施するために、シリコン基板を無電解ニッケルめっき溶液中に浸漬し、ニッケル層５１および５２を形成する；工程を含む。本発明の無電解めっきによって太陽電池電極を提供する方法は窒化ケイ素３及びシリコン２３の間の高い選択性及び大きな運転条件範囲を有し、そして安定で制御され易いため、太陽電池基板の電極の製作において使用されるのに適している。 （もっと読む）

【課題】 窒化珪素の高熱伝導性を損なうことなく、絶縁基板に必要とされる絶縁信頼性を高めた低熱抵抗の回路基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基板の表面に金属からなる回路パターンがろう材により接合されるとともに、前記回路パターンの表面にニッケルめっき層が形成されて構成された窒化珪素回路基板であって、回路パターンが形成された窒化珪素基板の主たる二表面の面粗さが異なり、面粗さの小さい主たる面の表面粗さＲａが０．２μm以上１．０μｍ以下であり、面粗さの小さい主たる面の沿面距離が基板厚みよりも大きく、且つ前記窒化珪素基板の厚みが０．２〜１．０ｍｍである窒化珪素回路基板。 （もっと読む）

【課題】はんだ等によって接続された場合に、十分に優れた落下強度を実現することが可能なめっき膜及びモジュール基板を提供すること。
【解決手段】本発明は、リンを含むニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層上に金めっき層と、を有し、ニッケルめっき層におけるリン濃度が１１〜１６質量％であり、ニッケルめっき層の金めっき層側の面におけるリン濃度の平均値及び標準偏差をそれぞれＸ及びσとしたときに、（３×σ×１００）／Ｘの値が１０以下であるめっき膜５０、並びに当該めっき膜５０を備えるモジュール基板１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】基材となる樹脂粒子との密着性の高い金属層を形成することができる導電性微粒子の製造方法を提供する。また、該導電性微粒子の製造方法を用いて製造される導電性微粒子を提供する。
【解決手段】樹脂粒子と酸化物微粒子との混合物を０．５〜１００ＭＰａの範囲内で加圧することにより、前記樹脂粒子の表面に前記酸化物微粒子を圧着する工程１と、
前記樹脂粒子の表面から酸化物微粒子を除去し、表面に複数の凹部を有する樹脂粒子を得る工程２と、前記表面に複数の凹部を有する樹脂粒子の表面に金属層を形成する工程３とを有し、前記凹部は、開口の平均直径が０．０１〜１．０μｍであり、かつ、前記樹脂粒子表面における前記凹部の面積占有率が２０〜８０％である導電性微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面を活性化するための溶液及びプロセスの提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、ポリマーから形成される少なくとも１つの領域を含む基板表面を活性化するための溶液及びプロセスに関する。また、本発明によれば、この組成物は、Ａ）１以上のパラジウム錯体から形成される活性化剤と；Ｂ）少なくとも２つのグリシジル官能基及び少なくとも２つのイソシアネート官能基を含む各化合物から選択される１以上の有機化合物から形成される結合剤と；Ｃ）上記活性化剤及び上記結合剤を溶解可能な１以上の溶媒から形成される溶媒系とを含有する。用途：特に集積回路、とりわけ３次元集積回路、などの電子デバイスの製造。 （もっと読む）

本発明は、色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）の分野に関するものであり、幅広い種類の基材に適用できる対向電極の低温プラチナイズ方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のしきい値電圧特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】半導体基板２の表面にアルミニウム電極３を形成する。次いで、半導体基板２の表面にジンケート処理を行った後、水洗処理を行う。次いで、無電解めっき処理を行い、アルミニウム電極３の表面にニッケルめっき層５および金めっき層６をこの順で形成する。ジンケート処理後の水洗処理により、アルミニウム電極３の表面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を９．２０×１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｍ²以下にする。無電解ニッケルめっき浴中のナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を３４００ｗｔｐｐｍ以下とする。このように作製された半導体装置１の、ニッケルめっき層５およびニッケルめっき層５とアルミニウム電極３との界面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度は３．２０×１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｍ²以下である。 （もっと読む）

【課題】配線の耐折性が向上し且つ比較的低コストで製造できるフレキシブル銅張積層板及びＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面を表面改質してニッケル系シード層及び銅めっき層を順次積層した銅張積層板であって、前記ニッケル系シード層の厚さを４０〜８０ｎｍとする。 （もっと読む）