【課題】めっき金属中にカーボンナノチューブもしくはその誘導体を常温で混入させることのできる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき方法は、無電解ニッケルめっき液もしくは無電解銅めっき液中に、カーボンナノチューブ１０もしくはその誘導体を添加して、該めっき液を用いて基材１２上に無電解めっきを施して、基材１２表面に、前記カーボンナノチューブ１０もしくはその誘導体が混入しているめっき皮膜１４を形成する無電解めっき方法であって、前記めっき液中に分散剤としてポリアクリル酸もしくはその塩を添加して、カーボンナノチューブ１０もしくはその誘導体をめっき液中に分散させて無電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】有害な金属を含有しない無電解ニッケルめっき浴を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき浴は、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する。このように、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する無電解ニッケルめっき浴を用いることで、有害な金属を使用することなくめっき浴の分解を抑制して、めっき浴の安定化を図ることができる。 （もっと読む）

本発明は、リジッドメモリーディスクの製造を対象とする。本発明は、めっき過程における非金属粒子の析出を回避する金属めっき組成物を包含する。前記めっき組成物は、下記式の脂肪酸エステル硫酸塩添加剤、その混合物またはその塩を含む：
【化１】


（式中、
Ｒ^１は、ＯＨ、ＯＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＨ_３、および直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
Ｒ^２は、Ｈおよび直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
ｍは、１〜５の整数、
ｎは、２〜３０の整数、
ｏは、０〜１０の整数、
Ｍ^＋は、金属イオン、疑似金属イオン、またはＨ^＋を表す）。
前記添加剤は、非金属粒子の析出を妨げるゼータ電位を有する。さらに、本発明は、少なくとも安定剤、錯化剤、還元剤および金属イオン源を含むめっき浴中の前記添加剤組成物を利用した無電解めっきのための方法を対象とする。

（もっと読む）

基板上に導電性薄膜を作製する方法を開示する。まず、還元性金属化合物および還元剤を液体中に分散させる。次いで、この分散液を基板上に薄膜として堆積させる。続いて、この薄膜を基板とともにパルス電磁放射線に曝露し、還元性金属化合物と還元剤とを化学的に反応させて、薄膜を導電性にする。本発明は、薄膜において酸化還元反応を行うための活性化エネルギーを強力パルス光を用いて提供する方法である。このレドックス反応は、有機化合物による金属酸化物の還元であってもよく、低温基板上で行ってもよい。
（もっと読む）

ニッケル含有金属および金含有金属で順次にめっきされる外部銀含有電気端子を備えるＬＴＣＣデバイスが記載されている。 （もっと読む）

【課題】別途の追加装備なしで、既存の装備を用いて無電解金メッキ時のニッケルメッキ層の過置換を防止でき、低コストで優れた品質のニッケル−金メッキ層を形成できるニッケル−金メッキ方法及び印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るニッケル−金メッキ方法は、対象物を無電解ニッケル−金メッキする方法であって、対象物の表面に第１ニッケルメッキ層を形成する工程と、第１ニッケルメッキ層上に第２ニッケルメッキ層を形成する工程と、第２ニッケルメッキ層上に金メッキ層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

本発明の第１主題は、１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を基材上にスプレーすることにより、非電解的に基材の表面を金属被覆する方法である。本発明の方法は、工業化可能であり、自動化可能であり、クリーンであり、多層基材に適用可能であり、固着性や装飾的外観に関しても最適である。この目的を達成するため、本発明は、次のステップを含む。ａ）金属被覆の前に基材の表面張力を減少させるための物理的処理あるいは化学的処理、ｂ）１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を１つまたそれ以上のエアロゾルの形でスプレーすることにより、ステップａ）において処理された基材表面の非電解的金属被覆処理、ｃ）金属被覆された基材表面上の保護膜の形成処理。本発明の他の主題は、本発明の方法を実現する小型機器、及び得られる製品であり、特に、化粧用の中空ガラスのフラスコ、家庭電化製品や飛行機のための部品、導電性トラックや無線周波数用アンテナ、電磁気スクリーニングのためのコーティングなどの電子部品である。 （もっと読む）

【課題】孔径大きさが４ｎｍを越えてもっと大きく、しかも均一な孔大きさを有する大細孔径メソポーラス金属を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、次の工程を含む。
（１）大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な周期性を有するリオトロピック液晶を形成できる界面活性剤と、水溶性金属塩と、揮発性有機溶媒と、水とを、混合する（前駆体溶液の調製）；
（２）前記前駆体溶液から揮発性有機溶媒を優先的に揮散させて、大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な大きさのリオトロピック液晶を形成させる；
（３）液晶中に溶存する金属イオンを還元することで、前記リオトロピック液晶の周囲に金属を析出させる；
（４）更に水性溶媒で処理してリオトロピック液晶を洗い去り、空隙を形成させる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面上に形成された導電層の表面上に無電解めっき層を形成するための無電解めっき方法において、導電層以外の領域への無電解めっき層の形成をより効果的に防止することが可能な無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき方法は、基材の表面上に形成された銀を主成分とする導電層の表面上に無電解めっき層を形成するための無電解めっき方法であって、導電層を含む基材の表面上にヨウ素含有物質を付与する工程と、ヨウ素含有物質を付与した後、導電層を含む基材の表面上にパラジウムを主成分とする触媒を付与する工程と、触媒を付与した後、導電層の表面上に無電解めっき層を形成する無電解めっき工程とを備える。 （もっと読む）