【課題】無電解めっきによるフリップチップ接続で、レドックス系金属の還元剤の存在下で無電解めっきにより行うことを特徴とし、高密度実装が可能で、製造が容易であり、低コストで製造でき、接合部が均一かつ信頼性が高く、かつ低抵抗の製造可能な半導体チップの積層実装方法を提供すること。
【解決手段】配線基板１上に、外部引き出し電極に突起電極（バンプ）６を有する下部半導体チップ５を搭載し、この半導体チップ５の上に上部半導体チップ８を搭載する。配線基板１の配線層２と下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）６との間、下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）７と上部半導体チップ８の突起電極（バンプ）９の突起電極（バンプ）同士をレドックス系金属の還元剤を用いた無電解めっきにより電気的に接続させる。配線層２と突起電極（バンプ）６との間および半導体チップ５と８の突起電極（バンプ）同士はめっき膜１０により同時に安定して接続される。 （もっと読む）

【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層５を形成する工程を経てセラミック電子部品１００を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、ｐＨが６〜１２であるセラミックス電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】メッキ液が安定で、メッキの選択析出性が良好なメッキ法を提供する。また、そのメッキ法により形成されたメタルキャップ膜を埋め込み配線上に有し、配線間のリーク耐性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】メッキ後、メッキ廃液を回収して再利用する循環式メッキ法であって、メッキ液を収容する容器からメッキ液を取り出す工程と、取り出したメッキ液に、メッキ助剤であるジメチルアミンボランを添加する工程と、ジメチルアミンボランを添加したメッキ液でメッキする工程と、生じたメッキ廃液を、メッキ液を収容する容器に回収する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金製の耐食性に優れた熱交換器用プレートフィンを提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金製の熱交換器用プレートフィン１、２であって、その表面に無電解ニッケルめっき層が形成されているプレートフィン１、２である。ニッケルめっき層の厚さは１０μｍ以上が望ましい。このプレートフィン１、２が、車両用のプレートフィン型冷却器の構成部材として使用されるものであれば、車両洗浄時における腐食性の強い洗浄剤の飛散等に対して優れた耐食性を示す。 （もっと読む）

【課題】コバルト合金の無電解堆積を行なう。
【解決手段】 銅表面の上にコバルト合金層を無電解堆積させるためのシステム及び方法は、低ｐＨによって特徴付けられる溶液を含む。この溶液は、例えば、コバルト（II）塩と、少なくとも２つのアミン基を含む錯化剤と、ｐＨを７．０未満に調整するように構成されるｐＨ調整剤と、還元剤とを含んでよい。幾つかの実施形態では、コバルト合金は、集積回路において、銅表面と誘電体との間の接合特性及び銅拡散特性を助長するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ポリアミド樹脂成形体を有する構造部材（樹脂ブラケット等）において、そのポリアミド樹脂成形体が、水分や塩化カルシウム等と接触しないようにすることができる構造部材およびそれを用いた防振装置を提供する。
【解決手段】ポリアミド樹脂を主成分とし繊維状補強材を含有するコア層２１が、ポリアミド樹脂を主成分とするスキン層２２により被覆された樹脂ブラケット２と、この樹脂ブラケット２の表面に被覆されているめっき膜１とを備え、上記樹脂ブラケット２のスキン層２２の表面が、スキン層２２内に含有された、酸，アルカリ，水または有機溶剤に溶解する溶解性成分６の溶解跡の穴部６ａの存在により粗面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】成形温度において表面被覆層にクラックが発生することを防止するとともに、金型の塑性変形を防止することで、金型の形状を高い精度で維持する。
【解決手段】鋼製の基材に焼入れを施してマルテンサイト組織からなる基材を製作し、上記基材の表面に、非晶質のＮｉ−Ｐ合金からなる表面被覆層を形成し、上記基材に加熱処理を施すことでトルースタイト組織又はソルバイト組織に変えるとともに、前記表面被覆層をＮｉとＮｉ_３Ｐの共晶組織に変える。 （もっと読む）

【課題】 無電解めっき層に形成された貫通ピンホールを封鎖することにより耐食性に優れためっき層形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基材１上に、無電解Ni-Pめっきを行う第１めっき工程と、第１めっき工程によって形成された第１めっき層３の表面をエッチングするエッチング工程と、エッチング工程によって処理された第１めっき層３上に、無電解Ni-Pめっきを行い第２めっき層５を形成する第２めっき工程を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】帯電され易さの異なるトナーが混在している場合でも、トナーを確実に帯電させる優れた帯電特性を有し、担持したトナーを安定的に感光体に付与することができる現像ローラを容易に製造可能な現像ローラの製造方法、かかる製造方法により製造された現像ローラ、および、かかる現像ローラを備え、信頼性の高い現像装置および画像形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明の現像ローラの製造方法は、金属管５１１の外周面に溝（凹部）２を形成する凹部形成工程と、この凹部形成工程の後に、溝２を形成した金属管（金属製の管体）５１１の外周面５１１ａ上に、表面層５１２を形成する表面層形成工程と、この表面層形成工程の後に、表面層５１２を構成する非晶質材料の一部が結晶化するように、少なくとも表面層５１２に熱処理を施す熱処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で均一な被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）