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国際特許分類[C23C18/38]の内容

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【課題】ポリマー基材の原料及び形状に制限がなく、該ポリマー基材の表面に対して密着性の高い安定なメッキを形成することができ、かつ導電性に優れる銅メッキポリマー及びその製造方法の提供。
【解決手段】ポリマー基材に対しヨウ素をドープしてポリマーヨウ素複合体を調製するポリマーヨウ素複合体調製工程と、前記ポリマーヨウ素複合体に対し金属種をドープして前記ポリマー基材の内部及び外部に金属粒子を析出させた金属種担持ポリマーを調製する金属種担持ポリマー調製工程と、前記金属種担持ポリマーを銅メッキする銅メッキ工程と、を含むことを特徴とする銅メッキポリマーの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プリント回路基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、微細パターンの形成のために基板を表面処理する段階を含むプリント回路基板の製造方法であって、前記表面処理する段階は、表面処理前にパターンの間の銅を除去する時に残留された銅を除去する段階と、前記残留された銅が除去された基板をヨウ素化合物で処理する段階と、前記ヨウ素化合物で処理された基板を有機二価硫黄化合物で処理する段階と、前記基板を酸洗する段階と、パラジウム活性化段階と、前記酸洗された基板に無電解ニッケルメッキ層を形成する段階と、を含むことを特徴とする。本発明によると、SAPにより製作された製品に対して、滲み改善のための回路工程を別に施さなくても、表面処理工程で微細パターンの滲みを改善することができるため、工程が単純化し、これによる工程コストの低減が可能であり、銅との密着力も改善する効果を有する。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板の製造方法及びこれにより得られる半導体チップ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セミアディティブ法で銅回路を形成する工程において、電解めっきレジストを形成し、電解銅めっきにより銅回路を形成した後に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、銅回路の上部のみに銅の拡散を抑制するためのバリヤ皮膜である無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。次いで、電解めっきレジストを剥離し、導体回路となるべき部分以外の銅をエッチング除去し、ソルダーレジストパターンを形成し、電解ニッケルめっき皮膜が上部に形成された銅回路に、無電解パラジウムめっき皮膜を形成しさらに無電解金めっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】比表面積の大きな多孔質金属膜を提供する。
【解決手段】多孔質金属膜10は、基材20の上に形成される多孔質金属膜である。多孔質金属膜10は、複数の筒状体11を備えている。複数の筒状体11は、基材20の上に配されている。 (もっと読む)


【課題】パラジウムを含有しない特定の無電解めっき用触媒組成物を用いた無電解めっき皮膜の製造方法と、これにより得られる均一性と導電性とに優れるめっき被覆基板を提供すること。
【解決手段】ポリエチレンイミン中のアミノ基にポリエチレングリコールが結合してなる化合物と、平均粒子径が2〜100nmの銀ナノ粒子とを主構成成分とする銀含有構造体を触媒とする無電解めっき金属皮膜を製造する方法であって、(1)被めっき物表面をカチオン性処理剤で処理する工程、(2)前記工程(1)に引き続き、アニオン性処理剤で処理する工程、(3)前記工程(2)後の処理被めっき物を前記銀含有構造体の水性分散体に浸漬し、その被めっき物に銀含有構造体を吸着させる工程、及び(4)前記工程(3)で得られた銀含有構造体吸着被めっき物を無電解めっき用の金属イオン液(c)に浸漬する工程を有することを特徴とする無電解めっき金属皮膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】表面に銅層が被覆された白金粒子を少なくとも含む触媒を、外部電源を用いることなく、容易に量産することができる触媒の製造方法を提供する。
【解決手段】銅イオンを含む酸水溶液を、白金担持導電体3aで懸濁した懸濁液11に銅材10を浸漬し、白金粒子32の表面に銅層を析出させる析出工程S21と、析出工程S21における白金粒子の表面の銅層の析出状態を評価する評価工程S20と、を含む。評価工程S20は、参照極16と、白金からなる作用極14とを懸濁液11に浸漬する浸漬工程S22を含み、作用極S11の表面に銅層を析出させながら、参照極16に対する作用極14の電位が一定電位となるまでの時間を測定する測定工程S23と、測定後の作用極に析出した銅層を除去する除去工程S24とからなる一連の工程を、繰り返し行い、繰り返し行われる前定工程S23における測定時間毎の変化量に基づいて、析出工程S21を終了する。 (もっと読む)


【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびPN接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり;前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ;並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 (もっと読む)


【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第1のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第1の層を形成し、第2のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第1の層中の孔および第1の層上に第2の層を充填形成し、表面が平坦な上層部110を形成する。 (もっと読む)


【課題】カドミウムを含有する銅合金を再利用して銅合金製配管器材を設けることができ、この銅合金製配管器材からのカドミウムの溶出を抑制できるバルブ・管継手等の銅合金製配管器材のカドミウム溶出防止方法及びその銅合金製配管器材を提供する。
【解決手段】カドミウムが固溶した銅合金製配管器材の少なくとも接液部に不飽和脂肪酸からなる有機物質により皮膜を形成し、この配管器材の接液部表層の亜鉛を被覆して亜鉛中に固溶しているカドミウムの溶出を抑制したバルブ・管継手等の銅合金製配管器材のカドミウム溶出防止方法である。 (もっと読む)


【課題】 回路となる部分にのみ密着性の強い無電解めっき層を選択的に形成し、他の非回路となる部分を粗化しない。
【解決手段】 波長が405〜1064nmのレーザービーム2を、合成樹脂の基体1の回路となる部分11に選択的に照射し、パラジウムのイオン触媒を吸着させた後に還元剤によって金属パラジウムに還元する。次いで回路となる部分11に無電解めっき層3を成形する。回路となる部分11は表面改質されると共に粗化されているためイオン触媒が強固に定着し、無電解めっき層3が強く密着する。レーザービーム2を照射されない非回路となる部分12にはイオン触媒が吸着しないため、無電解めっき層3が成形されない。 (もっと読む)


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