【課題】本発明は、化学パラジウム/金めっき皮膜構造及びその製造方法、銅線またはパラジウム/銅線で接合されたパラジウム/金めっき皮膜パッケージ構造、及びそのパッケージプロセスを提供する。
【解決手段】化学パラジウム/金めっき皮膜は半田パッドの上に位置し、かつ、半田パッドの上に位置するパラジウムめっき層と、パラジウムめっき層の上に位置する金めっき層とを含む。この化学パラジウム/金めっき皮膜及びワイヤボンディングで金めっき層に接合される銅線やパラジウム/銅線はパッケージ構造となる。本発明は、化学パラジウム/金めっき皮膜の製造方法及びそのパッケージ構造のパッケージプロセスも提供する。本発明では、従来のニッケル層の代わりに、パラジウムめっき層を使用することで、銅線や銅パラジウム線と半田パッドのワイヤボンディング接合強度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉイオン電池のアノード材料として、ピラーを形成するためのシリコンのエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】銀を堆積したエッチングされたシリコン粒子に存在する銀は硝酸処理により除かれる。ひとつの実施態様においては、粒状又はバルク材料のシリコンを、ＨＦ、Ａｇ^＋イオン及び硝酸イオンを含むエッチング溶液で処理し、それによりシリコンをエッチングして表面にエッチングされたピラーを含むシリコンとし、前記シリコンは銀の表面堆積を含み、前記エッチングされたシリコンを使用済みエッチング溶液から分離し、前記エッチングされたシリコンを、硝酸を用いて前記エッチングされたシリコンから銀を溶解してＡｇ^＋イオンと硝酸イオンを含む溶液を形成し、Ａｇ^＋イオンと硝酸イオンを含む前記溶液とさらにＨＦを混合してさらにエッチング溶液を形成し、前記さらなるエッチング溶液をさらにシリコンを処理するために使用する。 （もっと読む）

【課題】ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成する際に、均一な膜厚を実現できる置換金めっき液及びめっき処理技術を提供する。
【解決手段】導電性金属からなる導体層上に、ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成するための置換金めっき液であって、置換金めっき液は、シアン化金塩、錯化剤、銅化合物を含有するものであり、置換金めっき液中の錯化剤と銅化合物とのモル比が錯化剤／銅イオン＝１．０〜５００の範囲であり、錯化剤と銅化合物とから形成される化合物のｐＨ４〜６における安定度定数が８．５以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ニッケルやパラジウム等の下地金属のめっき被膜に直接金めっき処理ができ、０．１μｍ以上の厚付けの金めっき被膜も形成可能で、均一な金めっき被膜を形成できるとともに、めっき作業を安全に行える無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】水溶性金化合物と、ヘキサヒドロ−２，４，６−トリメチル−１，３，５−トリアジンまたはヘキサメチレンテトラミンのいずれかを含むことを特徴とする無電解金めっき液に関する。このヘキサヒドロ−２，４，６−トリメチル−１，３，５−トリアジンまたはヘキサメチレンテトラミンを０．１〜１００ｇ／Ｌ含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体であっても、その表面へのアルミニウムのめっきを可能としてアルミニウム構造体を形成することが可能な方法、および特に大面積のアルミニウム多孔体を得ることが可能な方法を目的とする。
【解決手段】樹脂成形体の表面に金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム及びパラジウムからなる群より選択される１種以上の貴金属からなる導電層を形成する導電化工程と、導電化された樹脂成形体にアルミニウムを溶融塩浴中でめっきするめっき工程とを備えるアルミニウム構造体の製造方法とした。金属層として１μｍ〜１００μｍの厚さのアルミニウム層を有するアルミニウム構造体であって、該金属層はアルミニウムの純度が９０．０％以上、金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム及びパラジウムの合計量が０．０１％以上１０％以下、残部不可避不純物からなるアルミニウム構造体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】有機物からなる防錆剤を用いた防錆処理やめっき処理を行わずに、回路パターンとなる銅回路板の表面の変色を防止するとともに、半田付け工程における半田濡れ性や耐熱性などの耐候性を向上させることができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に接合した銅回路板の表面を脱脂し、水洗し、酸洗し、水洗した後、Ｐｄ活性化液に２０〜４０℃で２０〜６００秒間浸漬することにより銅回路板の表面にＰｄを付着させ、その後、銅回路板の表面を水洗し、３０〜６０℃程度の純水で温洗し、４０〜７０℃の温風により乾燥する。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れた導電性繊維を提供する。
【解決手段】有機繊維と化学結合により結合し得る部位と金属の微粒子と吸着により結合し得る部位とを有する有機バインダーと金属コロイドとを含む溶液をめっき浴とし、該めっき浴を用いた無電解法により金属めっきされた前駆導電性繊維を、該前駆導電性繊維を構成する繊維体の融解温度未満の温度で熱処理を行い、その後、金属コロイドを含む液を用いて無電解法により再めっきすることにより得られる導電性繊維。 （もっと読む）

【課題】被覆性及び付着力が高い金属膜を、半導体基板上に低コストで形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄイオンを含むＰｄ活性化液２８（塩化パラジウム）にＧａＡｓ基板１６（半導体基板）を浸漬してＧａＡｓ基板の表面にＰｄキャタリスト３０を付着させる。このＰｄキャタリストとＧａＡｓ基板が反応してＰｄ−Ｇａ−Ａｓの混合層４０が形成される。次に、表面にＰｄキャタリストが付着されたＧａＡｓ基板をＰｄ無電解めっき液４２に浸漬してＧａＡｓ基板上にＰｄめっき膜４４を形成する。 （もっと読む）

説明した例の半導体デバイスは、半導体基板及び金属コンタクトパッドの上に形成される不活性化層を含む。ＥＮＩＧ無電解めっきプロセスを用いて不活性化層及び金属コンタクトパッドの上にニッケルが、ニッケルの上に金が堆積される。ニッケルは、ニッケルの不活性化層とのインタフェースに及びニッケルの不活性化層及び金属コンタクトパッドとの接合に多孔質ニッケルのない第１非多孔質ニッケル領域（２５０Ａ）を含み、第１ニッケル層の上の多孔質ニッケル領域（２７０）も含む。多孔質ニッケル層の上に金領域（２６０）がある。第２非多孔質ニッケル領域（２５０Ｂ）が多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。金リッチ・ニッケル領域（２７５）が、多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。堆積されるニッケル及び堆積される金の相対的厚さは、無電解金めっきプロセス中にニッケル層の腐食がデバイス層に達しないように選択される。

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