【課題】ニッケルめっきされたリードフレームへの成形物の密着性を促進させる。
【解決手段】ニッケルおよびニッケル合金層のエッチング方法を開示する。本発明のエッチング組成物は、無機酸と、複素環式窒素化合物とを含む。さらに、本発明のエッチング方法は、ニッケルまたはニッケル合金層のアノードエッチングを含むことができる。本発明の方法は、半導体パッケージングの製造において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 穏やかな生産環境の下、従来よりもコストを抑えて、電子部品として良好な特性の導電体を形成できる導電体の製造方法及びそれにより得られる導電体を提供すること。
【解決手段】 導電体の製造方法は、被着体上に、直径が０．００１μｍ〜１μｍであり長さが０．０１μｍ以上である微細繊維を全繊維量の５０質量％以上含む繊維分散液を塗布して乾燥することにより、被着体表面の被覆率が１％〜８０％である繊維層を形成する工程と、繊維層を無電解めっき液と接触させて微細繊維の少なくとも一部を導電性金属で被覆する工程とを備える。 （もっと読む）

銅又は銅合金基材の表面の耐腐食性を向上させるための方法を開示する。該方法は、浸漬置換めっきによって銅又は銅合金基材の表面上に貴金属を含む金属表面層をデポジットする工程、並びに貴金属表面と相互作用し保護する少なくとも１つの官能基を含む第一有機分子と、銅表面と相互作用し保護する少なくとも１つの官能基を含む第二有機分子とを含む水性組成物に電子デバイスを暴露する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 良好な密着性を有する金めっきを形成することができる、金めっき構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 金めっき構造体の製造方法は、チタン基材（１０）の表面から酸化膜を除去する除去工程と、除去工程後に、不動態膜の形成を抑制する添加剤が添加された金めっき浴（３０）にチタン基材（１０）を浸漬する浸漬工程と、を含む。チタン基材（１０）の表面における不動態膜の形成が抑制される。それにより、良好な密着性を有する金めっき（４０）を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】多孔質体内部におけるめっき皮膜の形成を抑制しつつ、多孔質体の表面をめっきする。
【解決手段】板状多孔質体の表面にめっき被膜を形成する多孔質体のめっき方法は、板状多孔質体１０が有する細孔により板状多孔質体１０の表面に形成される開口部を塞ぐように、板状多孔質体１０の一方の面上にマスク１２を配置する第１の工程（Ｂ）と、一方の面にマスク１２を配置した多孔質体１０を、めっき浴に浸漬してめっき処理する第２の工程（Ｃ）と、めっき処理した多孔質体１０から、マスク１２を除去する第３の工程（Ｄ）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 パラジウム皮膜上に美麗な外観の置換金めっき皮膜を良好に形成する。
【解決手段】 パラジウム皮膜上に金皮膜を形成する置換金メッキ浴において、可溶性金塩と縮合リン酸類を含有し、ｐＨ２〜７である非シアン系の置換金メッキ浴である。置換金メッキ浴にポリリン酸、ピロリン酸、或はその塩などの縮合リン酸類を含有するため、この縮合リン酸類が金イオンに対して適度の錯化機能とレベリング機能を発揮し、パラジウム皮膜上に均一でレモンイエローの明るい色調の美麗な金皮膜を析出させることができる。 （もっと読む）

【課題】黒色度が高く、遮光性に優れるだけでなく、耐熱性にも優れ、しかも、環境負荷が小さく、安価なコアシェル型銀錫複合粒子の製造方法及びコアシェル型銀錫複合粒子並びに黒色材料、黒色遮光膜、黒色粒子分散液を提供する。
【解決手段】本発明のコアシェル型銀錫複合粒子１は、平均粒子径が１ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下であり、錫を主成分としかつ核となる錫微粒子２が、銀、銀錫合金、銀及び銀錫合金のいずれか１種からなる微細孔を有する膜である外殻層３により被覆された構造である。 （もっと読む）

【課題】 金めっき皮膜の下地金属表面に耐熱性の優れた化成皮膜を形成させる金めっき皮膜のピンホールの封孔処理剤および封孔処理方法を提供することを目的とする。
また、前記の封孔処理剤を金属製導電部の金めっき皮膜の表面に接触させることにより、金めっき皮膜の下地金属の表面に化成皮膜を形成させたプリント配線板および、前記の封孔処理剤を金めっき皮膜の表面に接触させることにより、金めっき皮膜の下地金属の表面に化成皮膜を形成させた後、無鉛半田を用いて半田付けを行うプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 特定のイミダゾール化合物を有効成分として含有した封孔処理剤とする。 （もっと読む）

【課題】置換金めっき皮膜を有する接続端子の接続信頼性を改善すること。
【解決手段】 導体層２と、無電解ニッケルめっき皮膜３と、純度が９９質量％以上の置換又は無電解パラジウムめっき皮膜である第１のパラジウムめっき皮膜４と、純度が９０質量％以上９９質量％未満の無電解パラジウムめっき皮膜である第２のパラジウムめっき皮膜５と、置換金めっき皮膜６と、を有し、無電解ニッケルめっき皮膜３、第１のパラジウムめっき皮膜４、第２のパラジウムめっき皮膜５及び置換金めっき皮膜６が導体層２の一方面側においてこの順序に積層され、置換金めっき皮膜６が導体層２とは反対側の最表層に位置している、接続端子１１０，１１１。 （もっと読む）

【解決手段】無電解ニッケルめっき皮膜と無電解パラジウムめっき皮膜と無電解金めっき皮膜とが形成されためっき皮膜積層体の無電解金めっき皮膜の一部又は全部を、水溶性金化合物と、錯化剤と、ホルムアルデヒド及び／又はホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物と、一般式Ｒ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄で表されるアミン化合物とを含有する無電解金めっき浴を用いた無電解金めっきにて形成する。
【効果】フラッシュ金めっき浴と、厚付け金めっき浴の２種類の浴を準備する必要がなく、１種の金めっき浴で、はんだ接合向け又はワイヤボンディング向けとして好適とされる様々な膜厚の金めっき皮膜を形成することができ、特に、膜厚０．１５μｍ以上の無電解金めっき皮膜を、１種のめっき浴で、１工程で効率よく、有効に形成することができることから、工程の簡略化が可能であり、コスト的に有利である。 （もっと読む）