【解決手段】無電解ニッケルめっき皮膜と無電解パラジウムめっき皮膜と無電解金めっき皮膜とが形成されためっき皮膜積層体の無電解金めっき皮膜の一部又は全部を、水溶性金化合物と、錯化剤と、ホルムアルデヒド及び／又はホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物と、一般式Ｒ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄で表されるアミン化合物とを含有する無電解金めっき浴を用いた無電解金めっきにて形成する。
【効果】フラッシュ金めっき浴と、厚付け金めっき浴の２種類の浴を準備する必要がなく、１種の金めっき浴で、はんだ接合向け又はワイヤボンディング向けとして好適とされる様々な膜厚の金めっき皮膜を形成することができ、特に、膜厚０．１５μｍ以上の無電解金めっき皮膜を、１種のめっき浴で、１工程で効率よく、有効に形成することができることから、工程の簡略化が可能であり、コスト的に有利である。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板やフレキシブル配線板等の銅回路、パッケージ基板等の半導体実装基板等の銅系素材で形成された表面に直接、はんだ接合端子等に耐熱性や耐リフロー性に優れた良好な電子部品の無電解金めっき方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】銅または銅合金系素材からなる被めっき部分を持った電子部品に、置換金めっき皮膜を形成し、更にその上に還元剤を含む無電解金めっき液により無電解金めっきを施す、電子部品の無電解金めっき方法において、前記無電解金めっき液の還元剤が、一般式（１）で表されるフェニル化合物系還元剤である、電子部品の無電解金めっき方法。


［式中、Ｒ１は水酸基、スルホン基又はアミノ基を示し、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４はそれぞれに独立に水酸基、スルホン基又はアミノ基、水素原子又はアルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】無電解めっきによるフリップチップ接続で、レドックス系金属の還元剤の存在下で無電解めっきにより行うことを特徴とし、高密度実装が可能で、製造が容易であり、低コストで製造でき、接合部が均一かつ信頼性が高く、かつ低抵抗の製造可能な半導体チップの積層実装方法を提供すること。
【解決手段】配線基板１上に、外部引き出し電極に突起電極（バンプ）６を有する下部半導体チップ５を搭載し、この半導体チップ５の上に上部半導体チップ８を搭載する。配線基板１の配線層２と下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）６との間、下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）７と上部半導体チップ８の突起電極（バンプ）９の突起電極（バンプ）同士をレドックス系金属の還元剤を用いた無電解めっきにより電気的に接続させる。配線層２と突起電極（バンプ）６との間および半導体チップ５と８の突起電極（バンプ）同士はめっき膜１０により同時に安定して接続される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に、ムラのない、均一なめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液を減圧雰囲気下で脱気して該めっき液に溶解していたガス成分を除去する脱気工程と、前記脱気工程により得られためっき液に基板を浸漬して該基板の表面にめっき層を形成するめっき工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ニッケル、銅、コバルト、パラジウムなどの下地金属皮膜を腐食せず、優れた密着性を有する金めっき皮膜を形成する無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】無電解金めっき液の成分として、（ｉ）水溶性シアン化金化合物、
（ｉｉ）錯化剤、および（ｉｉｉ）１位にフェニル基またはアラルキル基を有するピリジニウムカルボン酸化合物を含有するめっき液。 （もっと読む）

【課題】シアンを含まない金源を用いる無電解金めっき液であって、めっき液の安定性が良好で、かつ金析出が大きく抑制されず、しかも膜物性を損なわないめっき液を提供する。
【解決手段】本発明の無電解金めっき液は、シアンを含まない金源と分解抑制剤とを含有し、分解抑制剤として下記一般式Ｉ：
【化１】


一般式Ｉ中、Ｘは硫酸塩基を示し、ｎは２〜７，０００の整数を示す、で表される構造を含有する重合体を含む。 （もっと読む）

【課題】銅等の不純物が含まれた無電解パラジウムめっき液を用いる場合であっても、ニッケル皮膜上に安定してパラジウムめっき皮膜を析出させることが可能な無電解パラジウムめっき用の前処理用組成物を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物及びヒドラジン類を含有する水溶液からなる、ニッケル上に無電解パラジウムめっきを行うためのニッケル表面の活性化組成物、並びに。
プリント配線板の導体部分に無電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、上記活性化組成物を用いてニッケルめっき皮膜の活性化処理を行い、その後、無電解パラジウムめっきを行う工程を含むプリント配線板へのめっき皮膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】作業環境や廃液処理に問題を有する毒性の強いシアン等を含まず、化学的安定性に優れ、容易に取り扱うことができ、良好な膜質の金メッキ膜を効率的に形成することができる金メッキ液と、この金メッキ液を用いる金メッキ方法を提供する。
【解決手段】金錯イオン、水、および親プロトン性溶媒を含有してなり、親プロトン性溶媒の含有量が５５〜９０重量％である金メッキ液。この金メッキ液を用いた金メッキ方法。親プロトン性溶媒の含有量を５５〜９０重量％とすると、金錯イオンが安定になるので、良質な金メッキ膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】パラジウム皮膜上に直接析出が可能であり、プリント配線板の導体回路の表面処理に特に有用な還元析出型の無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】水溶性金化合物、還元剤及び錯化剤を含有する水溶液からなる無電解金めっき液であって、還元剤として、ホルムアルデヒド重亜硫酸類、ロンガリット及びヒドラジン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物を含有することを特徴とする、パラジウム皮膜上に直接金めっき皮膜を形成するために用いる還元析出型無電解金めっき液、並びにプリント配線板の導体部分に、無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜及び上記還元析出型無電解金めっき液を用いて形成された無電解金めっき皮膜が順次形成されてなるプリント配線板。 （もっと読む）

【解決手段】シアン化金塩、錯化剤、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物及びアミン化合物を含有する無電解金めっき浴を７０〜９０℃に保持した状態で上記無電解金めっき浴のめっき能を安定に維持管理する方法であって、シアン化アルカリ、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物及びアミン化合物を第１の補給成分として定期的に補給し、更に、めっき処理により金が消費されためっき浴に対し、シアン化金塩、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物及びアミン化合物のみを第２の補給成分として補給する無電解金めっき浴のめっき能維持管理方法。
【効果】ニッケル表面の粒界侵食が進行することによる外観不良を引き起こさず、良好な皮膜外観の金めっき皮膜を形成する無電解金めっき浴のめっき能を長期間、安定的に維持管理することができ、また、めっき処理によりシアン化金塩が消費された無電解金めっき浴を長期間、安定的に維持管理することができる。 （もっと読む）