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国際特許分類[C23C18/44]の内容

国際特許分類[C23C18/44]に分類される特許

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【課題】無電解パラジウムの安定性低下による異常析出の問題を解消し、ENIGAGよりもコスト面でも優れた無電解めっき層を含む基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板製造方法は、回路パターン10が設けられた基板に金(Au)層30をめっきする第1のステップと、金(Au)層30にパラジウム(Pd)層40をめっきする第2のステップと、パラジウム(Pd)層40に金(Au)層30をめっきする第3のステップと、から成る表面処理めっき層形成ステップを含む。 (もっと読む)


【課題】下地金属とパラジウムとの間の密着性を改善し、接続信頼性を高めることができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】本発明による無電解パラジウムめっき液は、水溶性パラジウム塩と、パラジウムイオンに対する錯化剤と、還元剤と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】めっき液中の銀の分解を防止して安定性を維持するとともに、下地金属等が過度に荒らされることを防止して、良好な皮膜特性を有し、外観も良好なめっき皮膜を形成することができる還元型無電解銀めっき液及びこの銀めっき液を用いた還元型無電解銀めっき方法を提供する。
【解決手段】水溶性銀塩と、還元剤とを含有する還元型無電解銀めっき液であって、0.006×10−3mol/L〜12.5×10−3mol/Lのシアン化物イオンを含有する。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板の製造方法及びこれにより得られる半導体チップ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セミアディティブ法で銅回路を形成する工程において、電解めっきレジストを形成し、電解銅めっきにより銅回路を形成した後に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、銅回路の上部のみに銅の拡散を抑制するためのバリヤ皮膜である無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。次いで、電解めっきレジストを剥離し、導体回路となるべき部分以外の銅をエッチング除去し、ソルダーレジストパターンを形成し、電解ニッケルめっき皮膜が上部に形成された銅回路に、無電解パラジウムめっき皮膜を形成しさらに無電解金めっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を十分に低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性を有する半導体チップ搭載用基板を製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体チップ搭載用基板製造方法は、基板の表面の導体回路の少なくとも一部を覆うように、電解ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程と、基板に対してデスミア処理を施す工程と、クエン酸を含む溶液に基板を浸漬する工程と、ニッケル層の少なくとも一部を覆うように、無電解めっきによりパラジウム層又は金層を形成する無電解めっき工程とをこの順序で備える。 (もっと読む)


【課題】導電性ペーストに用いた場合に、分散性及び導電性に優れた導電用銀被覆硝子粉及び導電用銀被覆硝子粉の製造方法、並びに該導電用銀被覆硝子粉を用いた導電性ペーストの提供。
【解決手段】表面処理剤を付着してなり、銀含有量が10質量%以上である導電用銀被覆硝子粉とする。前記表面処理剤が、ベンゾトリアゾール類、脂肪酸及びこれらの塩から選択される少なくとも1種である態様、前記表面処理剤が、ベンゾトリアゾール、ステアリン酸、オレイン酸、ラウリン酸及びこれらの塩から選択される少なくとも1種である態様などが好ましい。 (もっと読む)


【課題】優れた触媒活性を有する触媒微粒子の製造方法、及びカーボン担持触媒微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】内部粒子と、白金を含み当該内部粒子を被覆する最外層とを備える触媒微粒子の製造方法であって、酸素欠陥を有しない第1の金属酸化物からなる微粒子を含む逆ミセルの分散液を準備する工程、白金イオンを含む逆ミセルの分散液を準備する工程、並びに、少なくとも、前記第1の金属酸化物からなる微粒子を含む逆ミセルの分散液、前記白金イオンを含む逆ミセルの分散液、及び犠牲剤を混合し、当該混合物にマイクロ波を照射することにより、前記第1の金属酸化物からなる微粒子の少なくとも表面を、酸素欠陥を有する第2の金属酸化物に還元し、且つ、当該第2の金属酸化物上に、前記白金イオンが還元されてなる白金を含む最外層を形成する還元工程を有することを特徴とする、触媒微粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】工業化適性が高く、品質の優れたイリジウムめっき皮膜を銅材料に対して直接形成することのできる無電解イリジウムめっき液および無電解めっき方法を提供すること
【解決手段】三価のイリジウムイオンおよび四価のイリジウムイオンの少なくとも一方と、三価のチタンイオンとを含む無電解イリジウムめっき液とする。イリジウムイオン供給源となる化合物としては、例えば、六塩化イリジウム三ナトリウムが挙げられ、チタンイオン供給源となる化合物としては、例えば、三塩化チタンが挙げられる。この無電解イリジウムめっき液を用いることで、従来技術では不可能であった銅素材上へのイリジウムめっきが可能となる。 (もっと読む)


【課題】銀薄膜上に硬化型のトップコートを施す際にアンダーコート層と銀薄膜との接着性の著しい低下がなく優れた接着性を有する銀薄膜層の形成が可能な銀薄膜形成方法および該方法で用いられる銀鏡用第二活性処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に設けられたアンダーコート層を塩化第一スズを含有する銀鏡用第一活性処理液で処理する工程、さらに重金属の硫化物を含有する銀鏡用第二活性処理液で処理する工程、該重金属の硫化物で処理されたアンダーコート層上に銀鏡反応により銀薄膜層を形成する工程、該銀薄膜層上にトップコートを設ける公邸からなる銀薄膜形成方法、および該方法に用いられる重金属の硫化物を含有する銀鏡用第二活性処理液。 (もっと読む)


【課題】本発明は、化学パラジウム/金めっき皮膜構造及びその製造方法、銅線またはパラジウム/銅線で接合されたパラジウム/金めっき皮膜パッケージ構造、及びそのパッケージプロセスを提供する。
【解決手段】化学パラジウム/金めっき皮膜は半田パッドの上に位置し、かつ、半田パッドの上に位置するパラジウムめっき層と、パラジウムめっき層の上に位置する金めっき層とを含む。この化学パラジウム/金めっき皮膜及びワイヤボンディングで金めっき層に接合される銅線やパラジウム/銅線はパッケージ構造となる。本発明は、化学パラジウム/金めっき皮膜の製造方法及びそのパッケージ構造のパッケージプロセスも提供する。本発明では、従来のニッケル層の代わりに、パラジウムめっき層を使用することで、銅線や銅パラジウム線と半田パッドのワイヤボンディング接合強度を向上させる。 (もっと読む)


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