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国際特許分類[C23C18/54]の内容

国際特許分類[C23C18/54]に分類される特許

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【課題】外部電源を用いることなく、Pt粒子又はPt合金粒子の表面にCu単原子層を形成することが可能な置換メッキ前駆体の製造方法を提供すること。
【解決手段】Cuイオンを含む酸水溶液とCu電極の少なくとも一部分とを接触させ、Pt若しくはPt合金からなるコア粒子、又は、前記コア粒子が導電性担体に担持された複合体と前記Cu電極とを前記酸水溶液内又は前記酸水溶液外において接触させ、かつ、前記コア粒子と前記酸水溶液とを、不活性ガス雰囲気下において接触させることにより、前記コア粒子の表面にCu層を析出させる析出工程を備えた置換メッキ前駆体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】合金粉末の製造原料として添加する高純度な合金成分金属を準備する必要性を大幅に減じ、かつ製造工程数が少なく、合金粉末製造時の反応時間を大幅に短縮することができる合金粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】溶融塩を用いた2種以上の金属からなる合金粉末の製造方法において、(a)溶融塩を準備するステップと、(b)前記溶融塩へ、合金粒子の核となる金属A粒子を供給するステップ、および、前記溶融塩へ、前記金属Aより貴(イオン化傾向が小さい)な金属Bを溶解させるステップと、そして(c)前記金属Aと、金属Bのイオンとの置換反応により金属A粒子の表面に金属Bを析出させ、同時に、金属A粒子の表面からの相互拡散により金属A及びBを合金化させるステップとを含んでいる前記合金粉末の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】鋼構造物の腐食を防ぐ電着被膜を外部電源を用いずに海水中で形成できるようにする。
【解決手段】鋼管杭2の海水中に没している部分に、電着被膜形成用陽極12を取り付ける。電着被膜形成用陽極12は、マグネシウムを主成分とする金属塊14と、鋼管杭2に電気的に接続される芯材13とで構成されている。
マグネシウムと鉄との電位差が大きいので、実海域3では海水を電解液として電着被膜形成用陽極12の金属塊14から鋼管杭2に向けて大量の電子eが放出され、電子と酸素の還元反応、並びに水の電気分解反応が起きて水酸イオンが生成される。そして、水酸イオンと海水中に含まれているカルシウムイオン、マグネシウムイオン、炭酸水素イオンにより炭酸カルシウム及び水酸化マグネシウムからなる電着被膜が、鋼管杭2の実海域3に浸かっている部位に形成させる。 (もっと読む)


【課題】導電特性の良好な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる配線基板の製造方法は、第1の金属が露出している第1の基板10と、当該第1の金属よりイオン化傾向の大きい第2の金属が露出している第2の基板12とを導線16で接続して、前記第1の基板および前記第2の基板を、第2の金属および還元剤を有する無電解めっき液14に浸漬することにより、前記第1の基板に前記第2の金属を析出させて金属層を形成する。 (もっと読む)


【課題】 半導体デバイス等の基板の品質を低下させることなく、基板上の配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すことが可能な無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】 ウエハW上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置を、ウエハWを支持する、導電性を有する押圧ピン64と、めっき液に接触するように押圧ピン64に設けられ、めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材64bとから構成し、金属部材64bが溶解して発生した電子を、押圧ピン64を介してウエハW上の配線部に供給する電子供給路とから構成する。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも1つの対象物(1)の表面を処理するための電極(11)に関する。上記電極(11)は、1つの空洞であって、処理作業の間、処理可能な上記対象物(1)を収容し、上記対象物(1)の自由な運動を可能にする、少なくとも1つの空洞(23)を備え、上記空洞(23)が、この空洞(23)の内部に表面処理溶液(5)を通流させる少なくとも1つの開口部(25)を備えた壁(24)によって範囲を設定され、上記表面処理の作業の間、この表面処理溶液内に電極(11)が浸漬される。この空洞(23)はほぼ円筒形であり、且つ上記対象物(1)の最大寸法よりもその直径が、概略50〜100マイクロメータ大きい。
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【課題】接触または無電解めっきを安定かつ効率的に実施するための化学的めっき方法を提案する。
【解決手段】金属外環2の開口にガラス4によりリード部材5を気密封着した気密端子1に部分めっきする場合、被めっき金属素材となるリード部材5に電気化学的な犠牲電極を設けてめっき液8に浸漬する化学的めっき方法である。ここでリード部材5の被めっき金属素材にニッケル、犠牲電極に亜鉛および錫が利用され金めっき液に浸漬して所望厚さに制御された金めっき膜9を無ピンホールで密着性良好なめっきを得る。 (もっと読む)


【課題】 還元剤溶液を用いることなく簡便な工程で作成することができる上、無電解金属メッキ膜から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比較して簡素化することができ、しかもミクロ〜ナノスケールで金属メッキパターンを正確に形成することができる無電解メッキ触媒を提供する。
【解決手段】 高分子−金属クラスター複合体からなる無電解メッキ用触媒。
高分子−金属クラスター複合体が、金属化合物の蒸気を、高分子化合物に、ガラス転移温度以上、不活性ガス雰囲気下において接触させ、金属化合物の蒸気を高分子内部に浸透させると同時に還元することにより得られたものである無電解メッキ用触媒。 (もっと読む)


【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム1上に接着剤層2を介して施された銅箔3の表面の全面にスズめっき層4を厚さ0.01〜0.2μm形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔3に微細配線パターン30を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト6を塗布した後、前記端子部分に、厚さ0.15〜0.80μmのスズめっき層4を形成し、加熱処理することにより、厚さ0.20μm以上のスズ−銅合金層5bと厚さ0.15〜0.80μmの純スズ層4bを形成する。 (もっと読む)


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