【課題】
銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いた銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、（Ｂ）銅イオン供給源、及び（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、ｐＨが５〜８であり、（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源の（Ｂ）銅イオン供給源に対する配合比（モル比）が０．１〜２０である銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁膜を金属に密着させることができる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に多結晶の金属を形成する工程と、該金属の表面粗さＲａが０．０５１μｍより大きくなり、かつ該金属の表面に１〜１０μｍ径のランダムな方向に伸びる複数の穴が形成されるように、該金属の表面を１．０μｍ／ｍｉｎ未満のエッチングレートでウェットエッチする工程と、該金属の表面に絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
金とニッケルとが共存する材料の１液でのエッチングを可能にし、さらに金およびニッケルのエッチングレートを制御できるエッチング方法およびエッチング液を提供する。
【解決手段】
ヨウ素系エッチング液において、無機酸または常温で固体の有機酸、および／または有機溶剤を加えて、各成分の配合比を調節したエッチング液とし、金および／またはニッケルをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に金電極または金配線を形成するためヨウ素系のエッチング液にてエッチングする際に、半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物をほぼ完全に除去すると共に、半導体装置に二次的な損傷を与えることのない洗浄液、該洗浄液を用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 ヨウ素系エッチング液によって形成された金電極または金配線を有する半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物を洗浄するための洗浄液であって、該洗浄液がチオ硫酸塩を含む水溶液である洗浄液、それを用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】銅を浸食（アタック）せずにパラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金等の除去性が高く、有害物質を含まないため取り扱い容易なパラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金を選択的に除去できる金属除去液及びこれを用いた除去方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属除去液は、パラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金を除去する溶液であって、前記金属除去液には鎖状チオカルボニル化合物を含む。本発明のパラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金の除去方法は、鎖状チオカルボニル化合物を含む金属除去液を使用して、銅又は銅合金と、パラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金から選ばれる少なくとも１つの金属を含む系から銅又は銅合金以外の金属を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】 金又は金合金をエッチングするにあたり、高いエッチング速度をもち、かつ金又は金合金のみを高い選択性をもってエッチングでき、他の金属膜の腐食を抑制できる、エッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成された金又は金を含む合金よりなる薄膜をエッチングするためのエッチング液であって、少なくともヨウ素、ヨウ素化合物及びｐＨ緩衝剤を含み、ｐＨが６〜８の範囲であるエッチング液及びこれを用いたエッチング方法。 （もっと読む）

（ａ）高密度化二酸化炭素連続相と、（ｂ）前記二酸化炭素連続相内の極性の不連続相と、（ｃ）前記不連続相内の金属（すなわち、基板から除去される金属または基板に塗布すべき金属）と、（ｄ）前記連続相、前記不連続相、または前記連続と前記不連続相の両方の中のリガンド少なくとも１種とを含み、基板から金属を除去するためまたは基板上に金属を塗布するために有用な組成物を記載する。 （もっと読む）