【課題】サブミリオーダーからナノレベルの微細な金属薄膜部品、特に形態がコイル状の金属薄膜部品を容易に製造できる方法を提供することを課題とした。
【解決手段】基板１上に単一もしくは複数の材料を積層して形成された金属薄膜２をフォトリソ法を適用して所望のパターン形状に形成した後、前記金属薄膜パターン５に対して高電圧を印加して、前記金属薄膜パターン５を基板１から剥離することを特徴とする薄膜金属部品の製造方法で、前記薄膜金属部品のスケールがサブミリオーダー程度以下、形状がコイル状あるいはカットワイヤーであることを特徴とする薄膜金属部品７の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品６に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品６が配設される基板５上に接着剤４を介して接合される接合面３を備えた放熱装置１において、接合面３は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が０．５〜１．０μｍのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性および工業的な製造適性に優れ、その表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性およびその経時安定性に優れた金属パターン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するユニットを含む共重合体を含有する樹脂層１２ａを基板１０上に形成する樹脂層形成工程と、該樹脂層１２ａにめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程と、前記めっき工程後に、ｐＨが６．５以下であるエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成するパターン形成工程を含む、表面にパターン状の金属膜を備える金属パターン材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ成分を含むセラミック基材上に設けられたＡｇ電極の表面全体に、無電解めっきにより確実にめっき膜を形成することが可能であるとともに、セラミック基材の上記Ａｇ電極外の領域には、無用のめっき膜を析出させることのないめっき方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ成分を含むセラミック基材上に形成されたＡｇ電極に無電解めっきを行うにあたって、Ａｇ電極上およびセラミック基材上のＡｇ電極が形成されていない領域に存在するＣｕ成分を除去するためのエッチングを行うＣｕエッチング工程と、セラミック基板上の、Ａｇ電極が形成されていない領域に存在するＡｇ成分を除去するためのエッチングを行うＡｇエッチング工程とを実施した後に、Ａｇ電極に無電解めっきを行う。
Ｃｕエッチング工程とＡｇエッチング工程とを、別工程として実施する。
Ｃｕエッチング工程は、Ａｇを溶解しないエッチング液を用いて実施する。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に残渣の発生が少なく、低発泡な透明導電膜用のエッチング液を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、硫酸アンモニウム、アミド硫酸アンモニウムおよびチオ硫酸アンモニウムからなる群の少なくとも１種の化合物と、水を含有するエッチング液を使用する。透明導電膜の残渣が少なく、発泡も少ないので、均一にムラ無く透明導電膜をエッチングすることができる。 （もっと読む）

Ｉｎ、Ａｌ及びＭｏを含む三重膜用のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対し、４５〜７０重量％のリン酸、２〜１０重量％の硝酸、５〜２５重量％の酢酸、０．０１〜３重量％の含フッ素化合物、０．１〜５重量％のリン酸塩、及び残量の水を含む。
（もっと読む）

【課題】作業効率がよく、エッチングされる基板の材料の選択範囲も大きい、ウェットエッチング方法を提供する。
【解決手段】パターニングされたクロム層２及びレジスト層３を表面に有するガラス基板１をエッチング液４に浸しウェットエッチングする。その際、アルミニウム又は鉄からなる金属棒６がタンク５内のエッチング液４に浸され、所望のタイミングで、クロム層２の露出面２ａと金属棒６の端部とが接触される。金属棒６と接触されたクロム層２は電気化学反応等により徐々にエッチングされ小さくなり、ガラス基板１のエッチング液４にさらされる部分が徐々に増え、その部分がウェットエッチングされる。これによりガラス基板１のアンダーカット形状が調節され、ガラス基板１にテーパ面７が形成される。ガラス基板１としては、例えば、石英、白板ガラス、青板ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、又は鉛ガラス等が適用可能である。 （もっと読む）

【課題】金属線または間隔のクリティカルディメンションを実質上変化させることなく、所望量の金属を除去するエッチング工程が必要とされている。
【解決手段】エッチングレジストとエッチング後の金属残渣を単一工程で除去する、光学ディスプレーデバイスの製造方法が提供される。これらの方法はＬＣＤの製造に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられるメタル材料を、選択的に、かつ効率よくエッチングするエッチング剤組成物、及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
メタル材料の精密な加工が可能であり、かつ絶縁材料に対する腐食性が少ないという優れた特性をもつエッチング剤組成物であって、フッ素化合物に無機酸もしくは有機酸のいずれかを含有することからなるエッチング剤組成物、及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）