説明

国際特許分類[C25D3/12]の内容

国際特許分類[C25D3/12]の下位に属する分類

国際特許分類[C25D3/12]に分類される特許

1 - 10 / 62


【課題】2軸結晶配向したCu層上にNi又はNi合金を成膜する方法として、めっきによる方法が知られている。結晶配向性の高いNi層を生成するには、一般に低電流密度(1〜4A/dm)でめっきを行う必要があるが、低電流密度ではめっき処理に要する時間が長くなって生産性が低下し、特に、長尺の金属基板をリールtoリールで生産する場合には、積層材である金属基板の過熱が起こり得るという問題点があった。そのため、結晶配向性を保持しつつ、電流密度を上げて生産効率を向上させることができる作製条件の確立が望まれていた。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明のエピタキシャル成長用基板は、2軸結晶配向したCu層と、前記Cu層上に設けられた保護層とを有するエピタキシャル成長用基板であって、前記保護層のめっき歪εが15×10−6以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材11と、基材11の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層14と、基材11とA層14との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層13と、を備え、最表層(A層)14の厚みが0.2μmよりも厚く、中層(B層)13の厚みが0.001μm以上である電子部品用金属材料10。 (もっと読む)


【課題】樹脂基材に貼り付け後の銅箔の変色を生じない耐熱性に優れた粗化箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧延銅箔10に粗化めっき層11を形成し、樹脂基材と貼り合わせる粗化めっき層11と反対側の圧延銅箔10の表面に、ニッケルめっき層又はニッケルとコバルトの合金めっき層14を有する防錆処理層13を施した粗化箔において、防錆処理層13のS含有量が1ppm以上50ppm以下としたものである。 (もっと読む)


【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 C2〜C4アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に3位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 (もっと読む)


【課題】比表面積の大きな多孔質金属膜を提供する。
【解決手段】多孔質金属膜10は、基材20の上に形成される多孔質金属膜である。多孔質金属膜10は、複数の柱状部11を有する。複数の柱状部11は、基材20から延びている。複数の柱状部11の少なくともひとつは、基端側から先端側に向かって拡径している拡径部11a〜11cを有する。 (もっと読む)


【課題】比表面積の大きな金属膜を提供する。
【解決手段】金属膜10は、基材20の上に形成される金属膜である。金属膜10は、複数の柱状部11を有する。複数の柱状部11の少なくともひとつは、束部11a〜11dを有する。束部11a〜11dは、基端側から先端側に向かって放射状に設けられた複数の線状部12を含む。 (もっと読む)


【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品6に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品6が配設される基板5上に接着剤4を介して接合される接合面3を備えた放熱装置1において、接合面3は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が0.5〜1.0μmのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブを含む、高均一電着性複合めっき皮膜層を製造可能な、複合めっき液を提供する。
【解決手段】本発明の複合めっき液は、めっき金属塩と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属から選択される少なくとも1つの硫酸塩と、ホウ酸と、カーボンナノチューブと、分散剤とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本件発明は、水質汚濁防止法の規制対象物質であるホウ酸を含まないホウ酸フリーの電気ニッケルめっき浴を提供するとともに、従来に比して、高速にニッケル被膜を形成することができる電気ニッケルめっき浴、電気ニッケルめっき方法及び電気ニッケルめっき製品を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、電気めっきにより被めっき物にニッケル被膜を形成する際に用いる電気ニッケルめっき浴であって、当該電気ニッケルめっき浴のpHが1.0〜6.0であり、pH緩衝剤としてモノカルボン酸を含むことを特徴とする電気ニッケルめっき浴を提供する。また、当該電気ニッケルめっき浴を用いた電気ニッケルめっき方法及び、当該電気ニッケルめっき浴を用いてニッケル被膜を形成した電気ニッケルめっき製品を提供する。 (もっと読む)


【課題】ホウ酸やカルボン酸を使用せず、弱酸性から中性領域の溶液pHを備え、従来通りの生産性が得られるニッケルめっき液、及び、そのニッケルめっき液を用いたニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ニッケルイオンの供給源である1種以上のニッケル塩とpH緩衝剤とを含む電気めっき用のニッケルめっき液であって、pH緩衝剤がアミノアルカンスルホン酸又はその誘導体であり、且つ溶液pHが4.0〜6.5であることを特徴とするニッケルめっき液を採用する。 (もっと読む)


1 - 10 / 62