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国際特許分類[C25D3/30]の内容

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【課題】 水平型電気錫めっきラインを用いた錫めっき鋼帯の製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の水平型のめっきセルを有する水平型電気錫めっきラインを用いて、鋼帯に電気錫めっき処理を施すに当たり、複数のめっきセルのうち、少なくとも錫めっき付着量に応じて決定される必要セル数のめっきセルには、めっき液を供給し、かつめっき液を供給しないめっきセルを1つ以上設けてめっき処理を行う。必要セル数は、I/Q={K×(m×W×LS)/η}/Q(ここで、I:片面当たりのめっき全電流(A)=K×(m×W×LS)/η、なお、K:係数、m:目標の片面当たりの錫めっき付着量(g/m2 )、W:鋼帯幅(mm)、LS:鋼帯搬送速度(m/min)、η:陰極電流効率、Q:1セル当たりの整流器容量(A))で決定されるI/Q値より大きい整数のうちの最小値とする。めっき液を供給しない残りのめっきセルでは、鋼帯に水またはめっき液を噴霧することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】
不溶性陽極を使用する電解スズメッキによりスズメッキ鋼板を製造する技術の改良。メッキにより消費されるスズイオンを迅速に補給することができるスズイオン補給用のスズ合金と、そのスズ合金を使用したスズイオンの補給方法を提供する。このスズイオンの補給方法を採用した電解スズメッキ法をも提供する。
【解決手段】
スズイオン補給用のスズ合金は、スズ母相とリン化スズSn相とからなり、リンの含有量を、0.1〜10原子%の範囲内としたもの。リン化スズ相は酸素還元能が高く、カソードとして作用し、スズ母相がアノードとしてはたらく。このスズ合金を水中に浸漬し、酸素ガスを吹き込むことにより、スズがイオンとして容易に溶出する。このスズイオン補給方法を採用して電解スズメッキを行なえば、不溶性の二酸化スズの生成を避けてメッキを行なうことができる。 (もっと読む)


【課題】 不溶性電極を用いた電気錫メッキ方法において、酸素吹込み時に同時に生成する錫スラッジの生成を低減できる制御方法を提供する。
【解決手段】 金属錫溶解槽とメッキ液循環槽との間で酸素を溶存させたメッキ液を循環させながら金属錫を溶解し、メッキ液循環槽と電解メッキ槽との間でメッキ液を循環して不溶性電極を用いて電気メッキする方法において、酸素吹込み量を調整して錫イオン生成速度を制御するにあたり、通板スケジュールから錫イオン消費予定速度の経時変化量を求め、該経時変化量に基づいて錫イオン生成速度を経時毎に区分化し、該区分毎に平均化した錫イオン生成速度を平均経時変化量とし、該区分毎の平均経時変化量に応じた錫イオン濃度が各区分内管理目標上下限値を超えない錫イオン生成速度となるように酸素吹込み量を調整する電気錫メッキ方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ウイスカ成長を効果的に抑制することができる錫めっき皮膜及びそれを備えた電子部品並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の錫めっき皮膜は、金属基材上に形成された錫めっき皮膜であって、錫めっき皮膜の結晶配向面が(220)面に優先配向し、且つ錫めっき皮膜形成後の皮膜応力が−7.2MPa以上0MPa以下であり、その電子部品は、該錫めっき皮膜を有する構成とした。また、本発明の錫めっき皮膜の製造方法は、銅基材上に錫めっき皮膜を形成する錫めっき皮膜の製造方法であって、錫めっき皮膜の結晶配向面を(220)面に優先配向させると共に、錫めっき皮膜形成後の皮膜応力を−7.2MPa以上0MPa以下とする構成とした。 (もっと読む)


【解決手段】 被めっき物を電気めっき槽内に収容した鉛フリーの電気錫合金めっき浴中に浸漬して、該被めっき物を陰極として電気めっきを行うに際し、上記めっき槽内で陽極をカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスで隔離して電気めっきを行うことを特徴とする電気錫合金めっき方法、及び、電気錫合金めっき液を収容し、該めっき液に被めっき物を浸漬する電気錫合金めっき槽と、該電気めっき槽内の一部を隔離するカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスと、上記アノードバック又はボックス内に設置された陽極とを具備してなることを特徴とする電気錫合金めっき装置を提供する。
【効果】 本発明の電気錫合金めっき方法及び装置は、めっき浴が長期に亘って安定し、効率よくめっきを行うことができる上、陽極として可溶性陽極を使用した場合であっても、金属の置換析出を防ぐことができるものである。 (もっと読む)


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