金属イオンの供給源、及び
ａ）活性アミノ官能基を含むアミン化合物と、
ｂ）エチレンオキシド、及びＣ３及びＣ４アルキレンオキシドから選ばれる、少なくとも１種の化合物の混合物、
を反応させることによって得ることができる、少なくとも１種の抑制剤を含み、該抑制剤は、分子量Ｍ_wが６０００ｇ／モル以上であることを特徴とする組成物。 （もっと読む）

金属イオン源と、
ａ）少なくとも３個の活性アミノ官能基をもつアミン化合物を
ｂ）エチレンオキシドとＣ３およびＣ４アルキレンオキシドとから選ばれる少なくとも一種の化合物との混合物と反応させて得られる少なくとも一種の抑制剤
とからなる組成物。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手段でめっき促進剤の濃度を確実に管理でき、均一なめっきを施すことができる湿式めっき方法及び湿式めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき促進剤の濃度を変えた各めっき液を用いて交流インピーダンスを測定して、めっき促進剤の各濃度における位相差−周波数特性図（ボード線図）を作成し、この位相差−周波数特性図から位相差のめっき促進剤の濃度に対する依存性の大きい周波数領域を求め、この周波数領域から特定周波数を選択すると共に、該特定周波数でのめっき促進剤の濃度と位相差との関係を求めておき、使用するめっき液の前記特定周波数での交流インピーダンスを測定してその位相差を求め、該位相差が位相差許容範囲に保持されるように、めっき促進剤の補給量を制御する。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】３００℃を超える温度が負荷されても、容易にキャリア箔の引き剥がしが可能なピーラブルタイプのキャリア箔付電解銅箔の供給を目的とする。
【解決手段】この目的達成のため、キャリア箔２／接合界面層３／耐熱金属層５／電解銅箔層４の層構成を備えるキャリア箔付電解銅箔において、ＧＤＳ分析装置を用いて、当該キャリア箔付電解銅箔の電解銅箔層側からキャリア箔側に向けて、当該耐熱金属成分の深さ方向プロファイルを測定したときの常態のピークの半価幅をＷ１、当該キャリア箔付電解銅箔を３００℃の大気雰囲気で１２０分間加熱した後の深さ方向プロファイルを測定したときの同ピークの半価幅をＷ２としたとき、（［Ｗ２］−［Ｗ１］）／［Ｗ１］≦０．３の関係を満たすことを特徴としたキャリア箔付電解銅箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】銅めっき皮膜のエッチングファクターを向上させることにより、ファインピッチの微細回路を形成することが可能な銅張り積層板と銅張り積層板に成膜する銅めっき皮膜の成膜方法を提供する
【解決手段】１槽の銅めっき槽２８または複数の銅めっき槽１２、１３、１４中の銅めっき液に、ＰＥＧとＳＰＳとＪＧＢおよびクエン酸塩等のように、めっきされる銅に炭素および酸素を共析させる添加剤を添加し、該銅めっき液に樹脂フィルム１浸漬させることにより、樹脂フィルム１の少なくとも表面に、上流側の上記銅めっき層から下流側の上記めっき層に向けて、段階的または漸次、上記炭素および酸素の共析量が多くなる１層の銅めっき層８または複数層の銅めっき層４、５、６を形成する。 （もっと読む）

【解決課題】 集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】 添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】ＰＲパルス電流を通電して電解銅めっきを行う際に、めっき外観、皮膜物性、フィリング性等を改善することができるＰＲパルス電解法に用いる銅めっき液用の添加剤を提供する。
【解決手段】アルケン類及びアルキン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分からなる、ＰＲパルス電解法に用いる銅めっき液用添加剤、
銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を含有する水溶液を基本めっき浴として、上記添加剤を含有することを特徴とする、ＰＲパルス電解法によるめっき用銅めっき液、
該銅めっき液中で、被めっき物をカソードとして、ＰＲパルス電流を通電して電解銅めっきを行うことを特徴とするＰＲパルス電解法による銅めっき方法。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。
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