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国際特許分類[C25D3/38]の内容

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【課題】亜鉛含有金属又はマグネシウム含有金属素材に対して、安定して密着性の良いストライク銅めっき皮膜を形成できる銅めっき液であって、さらに人体や環境に対する悪影響が少ない銅めっき液を提供する。
【解決手段】
下記(1)及び(2)に示す成分を含有し、pHが10.5〜13の範囲内にあることを特徴とする、亜鉛含有金属又はマグネシウム含有金属用のストライク銅めっき液:
(1)酸化銅、水酸化銅、炭酸銅、蟻酸銅及び酢酸銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の2価の銅化合物
(2)下記式:


[式中、M及びMは同一又は異なって、それぞれ水素又はアルカリ金属である。]で表される基を2個以上有する有機ホスホン酸類。 (もっと読む)


【課題】酸性銅めっき浴組成物を用いて、樹脂フィルム面に銅厚付けめっきを施し、平滑で光沢外観を有し、耐剥離性に優れる2層フレキシブル銅張積層基材(2層FCCL)及びこのような2層FCCLを、酸性銅めっき浴組成物を用い、かつ電気めっき工程が1工程の湿式めっき法による製造方法を提供することである。
【解決手段】酸性銅めっき浴組成物とシード層なる導電性金属被覆樹脂フィルムとを用いて、湿式めっき法による2層FCCLの製造方法であって、親水化表面改質を施した樹脂フィルム面に、無電解ニッケルめっきシード層を形成させる工程と、この酸性銅めっき浴組成物中で、1次銅めっきを介さずに湿式電気めっきを施し、シード層上に銅導電層を厚付けめっきさせる工程とを含む2層フレキシブル銅張積層基材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】導電体基板の表面に直接めっき法によって凸状金属構造体を形成できるめっき液およびめっきされた導電体基板を提供する。
【解決手段】導電体基板の表面に二次元的に成長した凸状金属構造体106を形成するためのめっき液であって、Cu,Niなどの金属イオンを含む金属塩,炭化水素からなる疎水基と該疎水基の末端に親水基を有する界面活性剤,前記金属塩と界面活性剤を溶解した水溶液とを含むめっき液、および、該めっき液を用いて凸状金属構造体106を形成した導電体基板。 (もっと読む)


【課題】銅源としての酸化銅(II)を補給することによって発生した電解銅めっき液中の溶存酸素濃度の急増を抑制困難な従来の不溶性陽極を用いた電解銅めっき方法の課題を解消する。
【解決手段】
硫酸銅が添加された電解銅めっき液に浸漬しためっき対象に、不溶性陽極を用いて電解銅めっきを施す際に、前記電解銅めっき液に対して銅源として酸化銅を補給し、その際に、前記酸化銅の補給によって電解銅めっき液中に増加する溶存酸素濃度を抑制すべく、前記電解銅めっき液に硫酸鉄(II)を前記電解銅めっき液に添加する。 (もっと読む)


金属イオン源、及び
一般式N(R1−OH)3(Ia)の少なくとも1種のトリアルカノールアミン、及び/又は一般式R2−N(R1−OH)2(Ib)の少なくとも1種のジアルカノールアミンを縮合して、ポリアルカノールアミン(II)、
(但し、
−R1基が、それぞれ独立して、2〜6個の炭素原子を有する、2価の、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族の炭化水素基から選ばれ、及び
−R2基が、それぞれ、水素、及び1〜30個の炭素原子を有する、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族、脂環式、及び芳香族の炭化水素基である)
又は前記ポリアルカノールアミン(II)のアルコキシル化、置換、又はアルコキシル化と置換によって得ることができる誘導体を得ることにより得ることができる少なくとも1種の平滑化剤を含む組成物。 (もっと読む)


【課題】各種の素材に対して適用可能であって、しかも特殊な装置を用いることなく、安価に実施可能な方法によって、均質で良好な多孔質皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】疎水性基を有する水溶性第4級アンモニウム化合物からなる多孔質めっき皮膜形成用の電気めっき浴用添加剤、及び
該添加剤を含む電気めっき浴中において、電気めっき処理を行うことを特徴とする多孔質めっき皮膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路デバイス基板におけるビア構造をメタライズするための方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路デバイス基板は、前面、背面、ビア構造を備え、ビア構造は、基板の前面に開口部、基板の前面を内向きに伸びる側壁部、および底部を備え、前記方法は以下からなる:
半導体集積回路デバイス基板に、(a)銅イオン源、および(b)レベラー化合物からなる電解銅沈積組成物を接触させて、前記レベラー化合物はジピリジル化合物およびアルキル化剤の反応生成物からなり;
電流を電解銅沈積組成物に供給し銅金属をビア構造の底部および側壁部に沈積し、これによって銅充填ビア構造を得る。 (もっと読む)


【課題】高精度の電解メッキが可能であり、電解メッキ後の電解メッキ液から銅イオンを回収して再利用し生産コストを低減する。
【解決手段】硫酸銅水溶液製造装置20と、添加剤供給装置30と、電解メッキ装置40と、電解メッキ装置40から排出される電解メッキ液から銅イオンを回収する銅イオン回収装置10と、を備え、銅イオン回収装置10は、イオン発生槽11と、イオン発生槽11を陽極室12と中間室13とに区画し水素イオン及び銅イオンを透過可能な第1隔膜14と、イオン発生槽11を中間室13と陰極室15とに区画し水素イオンを透過可能な第2隔膜16と、少なくとも陽極室12に設けられる陽極18aと、陰極室15に設けられる陰極17と、を有し、送出路13aが、少なくとも硫酸銅水溶液製造装置20、添加剤供給装置30又は電解メッキ装置40のいずれか1つ以上に銅イオンを送出するよう構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性・屈曲性を有する電解銅箔を提供する。
【解決手段】電解銅箔に式1に示すLMP値が9000以上となる加熱処理を施した後の結晶構造がEBSPの分析で面に対する赤系・青系のいずれかの色調が80%以上を占める電解銅箔。式1:LMP=(T+273)*(20+Logt)ここで、20は銅の材料定数、Tは温度(℃)、tは時間(Hr)。また、該加熱処理を施した後のX線回析における(111)面の強度に対し、(331)面の相対強度が15以上である電解銅箔。 (もっと読む)


【課題】配線板の製造工程における熱履歴、特にポリイミドフィルムと接着する際にかかる熱履歴と同程度の熱履歴が施された後に、圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性と屈曲性を発現する電解銅皮膜を提供すること。
【解決手段】電解析出で製造した電解銅皮膜において、式1に示すLMP値が9000以上となる加熱処理を施すと、加熱処理後の結晶粒の最大長さが10μm以上となる結晶粒子が70%以上存在する結晶分布となる電解銅皮膜とその製造方法。
式1:LMP=(T+273)*(20+Logt)
ここで、20は銅の材料定数、Tは温度(℃)、tは時間(hr)である。 (もっと読む)


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