【解決手段】基板表面に銅層のガルバニック堆積のための無シアン化物電解質組成物およびこのような層の堆積のための方法である。電解質組成物は少なくとも銅（ＩＩ）イオン、ヒダントインおよび／あるいはヒダントイン誘導体、ジ−および／あるいはトリカルボン酸あるいはこれらの塩、およびモリブデン、タングステン、バナジウムおよび／あるいはセリウム化合物からなる群の元素の金属酸塩を含む。 （もっと読む）

【課題】 吸湿性が低く、優れた耐熱性を有する液晶ポリマーフィルムとラミネートして
、ピール強度が大きく、ファインパターン化が可能な基板用複合材とすることのできる表
面処理銅箔を提供すること。
【解決手段】 本発明は、銅箔に粗化粒子を付着して粗化面とした銅箔であって、その表
面粗さＲｚが１．５〜４．０μｍであり、明度値が３０以下である粗化処理面である表面
処理銅箔である。粗化粒子から形成される突起物は、その高さが１μｍ〜５μｍであり、
観察断面２５μｍの範囲に６〜３５個の個数で略均等に分布しているものが好ましい。ま
た、各突起物の最大幅が０．０１μｍ以上であり、２５μｍ範囲に存在する突起物の個数
で２５μｍを割った長さの２倍以下であるものが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】基板表面に金属あるいは合金のつや消し層の堆積のための電解質組成物であって次ぎを含む：
次ぎの金属あるいは合金を堆積するためのＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる堆積金属イオン；
ナトリウム、カリウム、アルミニウム、マグネシウム、あるいはホウ素からなる群の元素の少なくとも１つのハロゲン化物、硫酸塩、あるいはスルホン酸塩；および
非置換ポリアルキレンオキシド、置換ポリアルキレンオキシド、置換あるいは非置換ポリアルキレンオキシドの誘導体、フッ素化湿潤剤、パーフッ素化湿潤剤、第４級アミン、あるいはポリアルキレンオキシドで置換された第４級アミンからなる群から選ばれる１つあるいはそれ以上の分散形成剤。 （もっと読む）

【課題】電着組成物、及び、該組成物を用いた半導体基板のコーティング方法の提供。
【解決手段】本発明は、電着組成物、特に、集積回路内の配線を形成するために、「貫通ビア」型構造の形成用の半導体基板を銅でコーティングするための電着組成物に関する。本発明によれば、該溶液は、１４〜１２０ｍＭの濃度の銅イオンと、エチレンジアミンとを含み、エチレンジアミンと銅とのモル比は１．８０〜２．０３であり、該電着溶液のｐＨは６．６〜７．５である。本発明はまた、銅シード層を堆積させるための上記電着溶液の使用、及び、本発明に係る電着溶液を用いた銅シード層の堆積方法に関する。 （もっと読む）

特に、ブラインドマイクロビア（ＢＭＶ）およびトレンチにおいて非常に均一な銅析出を生成させるために、銅を電解析出するための水性酸浴が提供され、前記浴は、少なくとも１種の銅イオン源、少なくとも１種の酸イオン源、少なくとも１種の光沢剤化合物および少なくとも１種のレベラー化合物を含み、少なくとも１種のレベラー化合物は、合成によって製造される非官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化アミノ酸を含む群から選択される。
（もっと読む）

【課題】銅配線層を電解メッキ法で形成する際に電極となるシード層の溶解に起因する銅メッキ層の欠陥の発生を抑制する電解メッキ液及び該メッキ液を用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ液として、極性溶媒と、前記極性溶媒中に溶解した硫酸銅を含み、さらに添加剤として、硫黄化合物よりなるアクセラレータと、前記アクセラレータよりも小さい分子量を有する還元剤とを添加した電解メッキ液を使う。 （もっと読む）

【課題】
ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできる技術を開発すること。
【解決手段】
少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液であって、更に還元剤を添加した酸性電解銅めっき液および当該酸性電解銅めっき液を用い、電気めっきにより被めっき物上のレジストで形作られた配線回路部分に銅を充填する微細配線回路の作製方法。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。
【解決手段】以下の式を有する添加剤消費抑制有機化合物をめっき液に添加する：


式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は独立して、水素；ハロゲン；（Ｃ１−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルキル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルケニル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、または分枝アルキニル；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−ＮＯ２；ＳＯ２Ｈ；−ＳＯ３Ｍ；−ＰＯ３Ｍ；（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルフェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，−フェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，式中ｘは１から５００の整数であり、Ｒ６は水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルまたはフェニルである。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する、均一で光沢性の高い金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法を提供する。
【解決手段】以下の式を有する、メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れる：Ｒ１−Ｘ−Ｒ２（Ｘは、−Ｓ（Ｏ）ｎ−Ｓ（Ｏ）ｐ−Ｓ（Ｏ）ｑ−Ｓ（Ｏ）ｕ−Ｓ（Ｏ）ｖ−Ｓ（Ｏ）ｗ−、−（Ｓ（Ｏ）ｚ）ｍ−（ＣＨ２）ｙ−（Ｓ（Ｏ）ｚ’）ｍ’−、または−ＳＯ２−Ｓ−（ＣＨ２）ｙ−Ｓ−ＳＯ２−、ｎ，ｐ，ｑ，ｕ，ｖ，ｗ，ｚおよびｚ’はそれぞれ独立して０から２の整数、ｍおよびｍ’は独立して１から６の整数、ｙは２から４の整数である、またはＳ，Ｏ，Ｎから選択されたヘテロ原子、または（Ｃ１−Ｃ６）アルキルもしくはトシル基で置換されたＮであり、Ｒ１およびＲ２はそれらが結合している原子と一緒になって５から１８員の複素環を形成することができる）。 （もっと読む）

【課題】極めて微細な孔又は溝内に銅を埋め込むことができる、新たな銅配線の製造方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤を１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上と、銅成分とを含む電解液を強制攪拌しながら、被めっき体における配線接続孔又は配線溝内に銅を電気めっきする工程を備えた銅配線の製造方法によれば、攪拌の程度を調整することにより、微細孔への銅の埋め込み率を調整することができ、微細孔への銅の埋め込み率をより一層高めることができる。 （もっと読む）