【課題】電解銅めっき浴およびそのめっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の特定のピリジン化合物と１種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴。この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は広範囲の電解質濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】銅堆積物において内部応力を軽減する銅電気めっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の銅イオン源、１種以上の抑制剤、および艶消し外観の銅堆積物を提供するのに充分な量の１種以上の促進剤を含む組成物と基体とを接触させめっきを行う。促進剤には３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸、エチレンジチオジプロピルスルホン酸、ビス−（ω−スルホブチル）−ジスルフィド、メチル−（ω−スルホプロピル）−ジスルフィド、Ｎ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステル、（Ｏ−エチルジチオカルボナト）−Ｓ−（３−スルホプロピル）−エステル、３−［（アミノ−イミノメチル）−チオール］−１−プロパンスルホン酸、３−（２−ベンジルチアゾリルチオ）−１−プロパンスルホン酸、ビス−（スルホプロピル）−ジスルフィドおよびこれらのアルカリ金属塩が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできるめっき液を提供する。
【解決手段】少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液に、更にホルマリンをその３６質量％水溶液として０.５〜２ｍｌ／Ｌまたはカテコールをその１１質量％水溶液として０.５〜５ｍｌ／Ｌ添加したことを特徴とする被めっき物上にレジストで形作られた配線回路部分への銅充填用酸性電解銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】 電気銅メッキ浴において、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成する。
【解決手段】 （Ａ）可溶性銅塩と、（Ｂ）酸又はその塩と、（Ｃ）特定のフェナントロリンジオン化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。上記フェナントロリンジオン化合物を含有するため、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成でき、ビアホールとスルホールが混在する基板に本発明の電気銅メッキ浴を適用することで、生産性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】浴の均一電着性に有意な影響を及ぼさずに、すなわち、浴が効果的にブラインドバイアおよびスルーホールを充填しつつ、平滑な銅堆積物を生成する、ＰＣＢの製造に使用される銅電気めっき浴における使用のための平滑化剤及びそれを使用しためっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の特定のシクロジアザ化合物と１種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴が提供され、この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は様々な銅濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙（ボイド）や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 アミド類、アミノ酸類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 カルボン酸類、環状エステル類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる銅メッキ光沢剤と銅メッキ抑制剤を必須の有効成分として含有する半導体用電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた半導体用電解銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で表わされる銅メッキ光沢剤を０．１〜１００質量ＰＰＭと、ポリエチレングリコールなどの抑制剤を含有してなることを特徴とする半導体用電解銅メッキ浴および該めっき浴を用いる半導体の電解銅めっき方法。


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^１及びＲ^２がともに水素原子となるものは除く。Ｍは、リチウム、ナトリウム及びカリウムから選ばれる原子又はアンモニウムもしくは１価の有機アンモニウム基を示す。） （もっと読む）

【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 Ｃ₂〜Ｃ₄アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に３位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 （もっと読む）

【課題】 微細配線への加工性を高めた銅めっき被膜を形成する銅電気めっき法の提供とこの銅電気めっき方法を銅めっき被膜の成膜に用いた金属化樹脂フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】 銅めっき液に通電して銅めっき被膜を形成する銅電気めっき方法において、銅めっき液への通電時の電流密度を、銅めっき被膜の厚みが２．５μｍになるまでは、０．５Ａ／ｄｍ^２以下として銅めっきを行うと共に、銅めっき液は構成原子に硫黄原子を有する有機化合物を８重量ｐｐｍ〜３０重量ｐｐｍ含むことを特徴とするものである。 （もっと読む）