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国際特許分類[C25D3/46]の内容

国際特許分類[C25D3/46]に分類される特許

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【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材11と、基材11の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層14と、基材11とA層14との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層13と、を備え、最表層(A層)14の厚みが0.2μmよりも厚く、中層(B層)13の厚みが0.001μm以上である電子部品用金属材料10。 (もっと読む)


【課題】曲げ加工性が良好であり且つ高温環境下で使用しても接触抵抗の上昇を抑制することができる、銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる素材の表面、または素材上に形成された銅または銅合金からなる下地層の表面に、銀からなる表層が形成された銀めっき材において、表層の{111}面と{200}面と{220}面と{311}面の各々のX線回折強度の和に対する{200}面のX線回折強度の占める割合が40%以上である。 (もっと読む)


【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 C2〜C4アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に3位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 (もっと読む)


【課題】銀めっき皮膜の厚さが薄く且つ銀めっき皮膜の表面を有機皮膜で覆わなくても、耐食性に優れた銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】80〜250g/Lのシアン化銀カリウムと40〜200g/Lのシアン化カリウムと3〜35mg/Lのセレノシアン酸カリウムとからなる銀めっき液を使用して、液温15〜30℃、電流密度3〜10A/dmで電気めっきを行うことにより、反射濃度が1.0以上であり且つ(111)面、(200)面、(220)面および(311)面のX線回折ピークの積分強度の合計に対する(111)面のX線回折ピークの積分強度の割合が40%以上である銀めっき皮膜を素材上に形成する。 (もっと読む)


【課題】光沢銀の高速堆積のための、シアン化物を含まない銀電気めっき液を提供する。
【解決手段】酸化銀及び1種以上の銀ヒダントイン錯体からなる銀イオン源などの銀イオン源、ヒダントイン、ヒダントイン誘導体、スクシンイミドおよびスクシンイミド誘導体から選択される1種以上の錯化剤、ジアルキルスルフィドおよびジアルキルジスルフィドから選択される1種以上の有機スルフィド、並びに1種以上のピリジルアクリル酸を含み、シアン化物を含まない溶液からなる銀の電気めっき液。 (もっと読む)


【課題】ミラー光沢銀層をニッケルもしくはニッケル合金基体上に電気めっきするための、環境に優しい銀電気めっき方法を提供する。
【解決手段】a)1種以上の銀イオン源、1種以上のイミドもしくはイミド誘導体、および1種以上のアルカリ金属硝酸塩を含み、シアン化物を含まない溶液を提供し;b)ニッケルを含む基体を前記溶液と接触させ;並びにc)ニッケルもしくはニッケル合金上に銀ストライク層を電気めっきする。 (もっと読む)


【課題】基板上への金属の析出のための電解質組成物を提供する。
【解決手段】この電解質組成物は太陽電池上への金属、特に銀の析出に特に適している。電解質組成物は下式のイミノジスクシネート誘導体を含み、好ましくはシアン化物を含まない。
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【課題】シアン系の銀めっき液を使用しないで製造しても密着性が良好であり、高硬度で且つ高温環境下において変色し難い銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】硝酸銀を含む硝酸系銀めっき液を使用して電気めっきを行うことによって、銅、鉄、アルミニウムなどやこれらの合金からなる素材上に銀めっき皮膜を形成する際に、電流密度を0.1A/dm・s以下、好ましくは0.005〜0.1A/dm・sの電流密度上昇速度で上昇させた後に、2A/dm以上、好ましくは2〜10A/dmの一定の電流密度に維持する。 (もっと読む)


【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 (もっと読む)


【解決手段】基板表面に金属あるいは合金のつや消し層の堆積のための電解質組成物であって次ぎを含む:
次ぎの金属あるいは合金を堆積するためのV、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Te、Re、Pt、Au、Tl、Bi、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる堆積金属イオン;
ナトリウム、カリウム、アルミニウム、マグネシウム、あるいはホウ素からなる群の元素の少なくとも1つのハロゲン化物、硫酸塩、あるいはスルホン酸塩;および
非置換ポリアルキレンオキシド、置換ポリアルキレンオキシド、置換あるいは非置換ポリアルキレンオキシドの誘導体、フッ素化湿潤剤、パーフッ素化湿潤剤、第4級アミン、あるいはポリアルキレンオキシドで置換された第4級アミンからなる群から選ばれる1つあるいはそれ以上の分散形成剤。 (もっと読む)


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