【課題】基板の処理量を増大させた、ガルバニック・コーティング装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板１の、特に太陽電池１ａの少なくとも１つの表面２，３をガルバニック・コーティングする装置であって、電解コーティング液が満たされたコーティング・タンクを有するコーティング・バスと、基板１をコーティング・バスの中を搬送するための搬送手段と、基板１に光を照射するための少なくとも１つの光源６４を有する光源回路６０、複数のアノードを有する基板１のための整流回路５０とを有する装置において、同期した電流インパルスおよび光インパルスを発生させるための手段を有し、複数の電流インパルスの間のインパルス間隔の間には、基板１への光の照射が中断されている。 （もっと読む）

本開示は一般に、磁性電気メッキまたは電着のための技術に関する。例示の方法は、基板へのメッキ材料の析出反応速度を変更するために電着中に磁石を使用することを含むことができる。
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太陽電池を製造するためにウェハをコーティングするための方法において、ニッケル、銅又は銀などの金属が金属を含有するコーティング溶液内で連続的な工程によってウェハに沈着する。ウェハがコーティング溶液に挿入され、ウェハの第一の領域が既にコーティング溶液内で延びるが第二の領域が未だにコーティング溶液内で延びていない時点で、過電流が、さらなる過電流又は電流フローなしに、ウェハの残りのエリアの、ウェハがコーティング溶液に完全に挿入されて続いて起こるさらなる自動的なコーティングのための、コーティング溶液内に達するウェハの第一の領域における金属のガルバニック沈着を始めるために、第二の領域に印加される。
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【課題】プリント配線板上の位置によるめっき被膜の厚みのバラツキを解消し、均一なめっき被膜を形成することのできるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液を貯蔵するめっき処理槽１と、めっき液に浸漬されるカソードを固定する固定（搬送）手段３と、前記めっき処理槽１内のカソード２に対向して配設されるアノード４と、前記固定搬送手段３を介してカソード２と前記アノード４とに通電する手段５とを備え、前記アノード４とカソード２との間に磁界制御手段６を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板上の位置によるめっき被膜の厚みのバラツキを解消し、均一なめっき被膜を形成することのできるプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき液が満たされカソードが配設されためっき処理槽に基板をアノードに対向してめっき液中に浸漬させ前記基板を陰極に接続させ、基板とカソードとを通電させ、さらに基板とカソードとの間に磁界を発生させて、基板の導電層表面もしくは絶縁基材あるいは絶縁層の貫通孔または非貫通孔にめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境変化を受けても、樹脂との接着強度を維持することができる基板用金属材料、基板用金属材料表面粗化処理方法および基板用金属材料製造方法を提供する。
【解決手段】基板用の金属材料であって、略球状の金属粒子７が金属板６の表面の一部または全面に３段以上積み重ねられることにより表面粗化される。前記金属粒子７が銅、ニッケル、亜鉛、コバルト、鉄、モリブデン、タングステンの中の１種類、または２種類以上の合金から形成されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明はめっき処理物の生産性の向上と量産化を図るとともに、ピンホールがなく、硬度が高く、耐磨耗性が高く、被処理物に対して均一に電着し、耐食性が高い、という特性を有するめっき皮膜を得ることを目的とする。
【解決手段】被処理物２を収容する反応槽１を介挿する循環路８内で表面処理流体を循環させることでめっき処理を行うめっき処理方法において、前記表面処理流体は、少なくとも電解液３５と、界面活性剤４０と、超臨界又は亜臨界状態の二酸化炭素２７と、を含有するエマルジョン状態の流体であり、循環路８内における前記表面処理流体を３０ｃｍ／ｓｅｃ以上の流速で循環させ、該表面処理流体が被処理物２に対して電気化学的反応を起こすことにより、めっき処理を行うことを特徴とするめっき処理方法及びこれにより得られるめっき処理物。 （もっと読む）

【課題】
特に、Ｐ含有量が大きいＮｉ−Ｐ無電解めっき膜の上に形成される無電解めっきによる貴金属めっき膜の析出性及び密着性に優れた電気接点の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】
無電解めっき法にてＮｉ−Ｐ無電解めっき膜をめっき形成し、次に、めっき浴中に陰極および陽極を設けて電流を流すことにより、前記Ｎｉ−Ｐ無電解めっき膜の陽極側に向く表面に、バイポーラ現象を利用してＮｉ−ＰからなりＮｉ含有量がＮｉ−Ｐ無電解めっき膜よりも大きいバイポーラめっき膜をめっき形成する。バイポーラめっき膜はＮｉ含有量が大きいため、貴金属めっき膜を無電解めっきするときの表面活性が高く貴金属めっき膜の析出性と密着性に優れた電気接点を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】銅源としての酸化銅（II）を補給することによって発生した電解銅めっき液中の溶存酸素濃度の急増を抑制困難な従来の不溶性陽極を用いた電解銅めっき方法の課題を解消する。
【解決手段】
硫酸銅が添加された電解銅めっき液に浸漬しためっき対象に、不溶性陽極を用いて電解銅めっきを施す際に、前記電解銅めっき液に対して銅源として酸化銅を補給し、その際に、前記酸化銅の補給によって電解銅めっき液中に増加する溶存酸素濃度を抑制すべく、前記電解銅めっき液に硫酸鉄(II)を前記電解銅めっき液に添加する。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）