国際特許分類[C25D5/02]の内容

国際特許分類[C25D5/02]に分類される特許

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【課題】従来の検査・解析医療用磁気デバイスの製造する方法のようにスパッタ装置やドライエッチング装置などの真空系装置を使用すると、コスト、大量生産の面で不利であった。そこでスパッタ装置やドライエッチング装置などの真空系装置を使用せず、湿式プロセスのみで安価で大量に生産可能な方法を提供する。
【解決手段】ガラス、セラミックあるいは樹脂基板の上に磁性膜を形成する製造工程を電気めっき、無電解めっき等の湿式プロセスのみとした。 (もっと読む)


【課題】リードフレームの搬送および部分めっき処理を施す際に、リードフレームとマスクが摺動することによるマスクの磨耗による短命化および、それに伴うリードフレームへのめっき精度の変化、マスクから発生する微細な異物の付着等の問題を解決できるめっき装置を提供する。
【解決手段】電極を兼ねたノズル板3、ノズル板3の上方に位置する上板4、上板4の上面に取付けられて開口パターンが形成されたマスク5を備える金属条材のめっき装置において、上板4の上面にスペーサー7により高さを持たせたリフトプレート6を設け、リードフレーム1の搬送時にリフトプレート6でリードフレーム1を持ち上げ、リードフレーム1とマスク5との間に間隙を設けることで、リードフレーム1とマスク5との摺動によるマスク5の磨耗およびめっき処理面の傷を防止すると共に、高精度な部分めっきを可能となす。 (もっと読む)


【課題】被めっき材上の微小領域を高位置精度で部分めっきすることが可能なレーザめっき装置およびこのレーザめっき装置によりめっきされためっき部材を提供すること。
【解決手段】被めっき材80にめっき液を接触させるめっき槽12と、めっき液中を通過する被めっき材80にレーザ照射して被めっき材80上にめっき金属を析出させるレーザ発振器14と、被めっき材80を搬送してめっき槽12中のめっき液に通過させる搬送機器16と、搬送される被めっき材80の位置決め孔の位置を検出するための光電センサ18と、レーザ光の光路上に配置されレーザ光を走査可能なガルバノミラー22を有し光電センサ18による位置決め孔の位置検出によりレーザ光を走査開始位置に走査復帰させるガルバノスキャナ20とを備えたレーザめっき装置10とする。また、レーザめっき装置10により微細にスポットめっきされためっき部材とする。 (もっと読む)


【課題】 基板の局所に所望の大きさの液体を形成させ、高精度なエッチング、メッキやコーティング等を、微小な局所においても高精度に行いうる局所表面処理方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 マイクロプローブ11にメッキ液やエッチング液等の液体21を付着させて、基板12の所定の局所に付着させた後、マイクロプローブ11と基板12に電流を流し、基板12界面での電気化学的反応を利用して、液体21の接触角を変化させて接触面積を所望の大きさに制御する。所望の大きさに制御した液体21を用いてメッキ、エッチングやコーティング等の局所表面処理を行う。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部(アライメントマーク部など)をマスクした状態で配線形成領域にめっきを行う工程を自動化によって達成できるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液42を収容するめっき槽40と、めっき槽40の中に被めっき基板30を配置して支持する基板支持部50,52と、被めっき基板30の周縁部のめっきを施さない非めっき部をマスクするマスク部品20を備えたマスキング機構5とを含む。電解めっき装置を構成する場合は、基板支持部50,52が被めっき基板30に電気的に接続される陰極電極として機能し、めっき槽40内に陽極電極60がさらに配置される。 (もっと読む)


【課題】回路形状の微小溝や微孔の中に選択的に銅めっきを析出させる方法を提供する。
【解決手段】導電体層上に金属めっきを行って微小溝および/または微孔105中に金属を充填する電気めっき方法において、平滑度の高い硬質接触面と、めっき液106が通過できかつ単位面積当たりの個数が1cmあたり10〜10個である微細貫通穴を有する接触体110を導電体層に接触させつつ金属めっきを行うことを特徴とするめっき方法。また、めっき液を保持するめっき槽、陽極、導電体層が形成され微小溝および/または微孔を有する基板を保持しながら陰極電位を与えるための保持手段および電源を有するめっき装置であって、陽極と基板の間に、基板上の導電体層に接触しつつめっき液を供給することのできる前記硬質接触面と前記微細貫通穴111とを有する接触体を配置したことを特徴とするめっき装置。 (もっと読む)


【課題】電気めっきにより金属層を形成し、化学的機械研摩(CMP)法で研摩して金属膜パターンを形成する際に、金属膜パターンの組成分布、膜厚分布を小さくしてに電子デバイスの高性能化に対応し、かつ、めっき液、めっき装置への負荷を小さくして生産性を高める金属膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】めっきする被めっき体10となる基板の表面に形成される金属膜パターン20Bを形成するために、基板表面をめっきするめっき工程と、そのめっき工程の後に、めっきにより形成された金属層20Aの膜厚を薄く平坦化するために研摩する研摩工程とを有する金属膜パターンの形成方法であって、めっき工程でめっきする部分に形成される金属層20Aが、被めっき体10表面全体に対してできるだけ小さくする。 (もっと読む)


【課題】 特に表示効果に優れると共に、長時間に亘って表示効果を維持することができる金属製手工具及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本体を有し、該本体の表面にプリント層が設けられると共に、該プリント層の範囲内に透かし彫り部が設けられ、該透かし彫り部の表面及び本体の表面における、プリント層以外の部分にメッキ層が設けられ、該メッキ層の表面は、プリント層の表面から突出することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プーリに設けられた貫通孔をマスキングする栓の1対のシール部を貫通孔の1対の開口端に対応して互いに離隔した位置に設けることにより、貫通孔へのメッキ液の侵入を防止しながら、貫通孔への栓の圧入容易化を図る。
【解決手段】組合せ部材Aは、1対の開口端11,12を有する貫通孔10が設けられたプーリ1と、プーリ1にメッキ液によるメッキ処理が施される際に貫通孔10の内周面20をマスキングするために貫通孔10に圧入される栓30とから構成される。内周面20は、両開口端11,12をそれぞれ規定する1対の開口部21,22と、両開口部21,22以外の非開口部23とから構成される。栓30は、各開口部21,22に圧接して開口部21,22との間を密封状態にする1対のOリング31,32と、Oリング31,32が装着されると共に非開口部23を圧接しない非圧接部としての本体33とを有する。 (もっと読む)


【課題】電気めっきによる自己制約型異方性ゲルマニウム・ナノ構造体を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム・ナノ構造体は、直径1ミクロン未満のワイヤ及び幅1ミクロン未満のウォールを含み、基板と接触してその基板の外側に延びる。さらに電気めっきによるゲルマニウム・ナノ構造体の作成方法を提供する。 (もっと読む)


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